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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 兆易創(chuàng)新

兆易創(chuàng)新SPI NOR Flash全系列產(chǎn)品通過AEC-Q100車規(guī)認(rèn)證

  • 　　中國北京(2019年3月26日) — 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布，其GD25全系列SPI NOR Flash產(chǎn)品已完成AEC-Q100認(rèn)證，是目前唯一的全國產(chǎn)化車規(guī)閃存產(chǎn)品，為汽車前裝市場以及需要車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的特定應(yīng)用提供高性能和高可靠性的閃存解決方案?！　‰S著自動(dòng)駕駛、車聯(lián)網(wǎng)和新能源汽車的發(fā)展，汽車產(chǎn)業(yè)對(duì)存儲(chǔ)器的需求與日俱增，成為存儲(chǔ)芯片中重要的新興增長點(diǎn)和決定市場格局的重要力量。實(shí)現(xiàn)汽車的智能化需要更多的環(huán)境感知，隨著傳感器和更多MC
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存儲(chǔ)芯片越來越緊俏，中國企業(yè)該如何突破？

  • 隨著近兩年內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)的迅猛發(fā)展，已逐步呈現(xiàn)“衰落”之勢，因NAND閃存芯片價(jià)格自2017年第四季已開始反轉(zhuǎn)，且DRAM內(nèi)存芯片在2018年首季之后的供需動(dòng)態(tài)能見度已經(jīng)下滑。2017年DRAM價(jià)格上漲超過四成，同期NAND的價(jià)格漲幅也近四成。NAND的主要市場為PC機(jī)內(nèi)存和手機(jī)內(nèi)存，DRAM需求逐漸趨緩，庫存、定價(jià)壓力與日俱增，而NAND閃存供過于求，價(jià)格將進(jìn)一步走低。
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兆易創(chuàng)新發(fā)布GD32E231系列MCU新品，持續(xù)推動(dòng)Cortex?-M23內(nèi)核的工業(yè)化部署

  • 　　2019年2月28日，北京 — 日前，業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)正式發(fā)布基于Arm? Cortex?-M23內(nèi)核MCU的后續(xù)型號(hào)，GD32E231系列超值型MCU新品。以全面優(yōu)化的處理器資源和最為經(jīng)濟(jì)的成本優(yōu)勢，將創(chuàng)新的Arm? Cortex?-M23內(nèi)核引入高速信號(hào)采集、混合信號(hào)處理、電機(jī)控制、傳感器網(wǎng)絡(luò)等工業(yè)應(yīng)用場合，并持續(xù)推動(dòng)Cortex?-M23內(nèi)核MCU的工業(yè)化部署與全面普及?！　D32E231系列MCU采用LQFP48(7x7mm封裝)，提供了3個(gè)產(chǎn)品
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兆易創(chuàng)新推出業(yè)界最小USON8封裝尺寸的寬電壓、低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

  • 　　業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布全新的SPI NOR Flash --- GD25WDxxCK產(chǎn)品系列正式量產(chǎn)，它是業(yè)界首款采用1.5mm′1.5mm USON8最小封裝，并支持1.65V至3.6V的低功耗寬工作電壓的產(chǎn)品。作為GigaDevice久經(jīng)市場驗(yàn)證的1.8V、2.5V、3.0V SPI NOR Flash產(chǎn)品系列的有效補(bǔ)充，這款全新的寬電壓、超小尺寸產(chǎn)品系列進(jìn)一步豐富了GigaDevice的Flash Memory產(chǎn)品線，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴、消費(fèi)類及健康
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兆易創(chuàng)新宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key在閃存產(chǎn)品領(lǐng)域通力合作

  • 　　日前，業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key Electronics合作。兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash及NAND Flash等閃存產(chǎn)品可通過Digi-Key實(shí)現(xiàn)全球即時(shí)發(fā)貨，并在交貨周期及產(chǎn)品價(jià)格上更貼近客戶需求。　　兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash產(chǎn)品容量目前涵蓋512Kb至512Mb，并即將推出1Gb及2Gb的更高容量產(chǎn)品，以及業(yè)界最小尺寸的1.5x1.5mm USON封裝(容量高達(dá)8Mb)。 NAND Flash產(chǎn)品包含SPI和
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兆易創(chuàng)新GD32E230系列MCU低至20美分，開啟Cortex?-M23內(nèi)核新世代

  • 　　日前，業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)正式推出主頻高達(dá)72MHz的GD32E230系列超值型微控制器新品，并宣布開啟Arm? Cortex?-M23內(nèi)核普及應(yīng)用的全新世代?！　∽鳛镚D32 MCU家族基于Cortex?-M23內(nèi)核的首個(gè)產(chǎn)品系列，GD32E230系列MCU采用了業(yè)界領(lǐng)先的55nm低功耗工藝制程，著眼于超低開發(fā)預(yù)算需求，為取代及提升傳統(tǒng)的8位和16位產(chǎn)品解決方案，并跨越Cortex-M0/M0+門檻，直接進(jìn)入32位Cortex?-M23內(nèi)核的開發(fā)新世代帶來一步到位的
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中國最大的兩家指紋芯片廠商打起專利官司

兆易創(chuàng)新收購思立微 屏下光學(xué)指紋技術(shù)市場領(lǐng)先

  • 　　2018年8月24日，兆易創(chuàng)新對(duì)外發(fā)布了《2018年半年度報(bào)告》，內(nèi)容顯示2018年上半年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入11.07億元，同比增長17.88%;凈利潤2.35億元，同比增長30.99%?；久抗墒找?.84元?！　≌滓讋?chuàng)新的主要業(yè)務(wù)為閃存芯片及其衍生產(chǎn)品、微控制器產(chǎn)品的研發(fā)、技術(shù)支持和銷售，是國內(nèi)閃存芯片的龍頭企業(yè)。其中兆易創(chuàng)新的NORFlash產(chǎn)品主要基于目前65nm技術(shù)平臺(tái)，加大推進(jìn)先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)55nmNORFlash技術(shù)產(chǎn)品研發(fā)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于PC主板、手機(jī)、數(shù)字機(jī)頂盒、路由器、家庭網(wǎng)關(guān)、安防監(jiān)控產(chǎn)
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兆易創(chuàng)新朱一明談中國存儲(chǔ)器發(fā)展之策：軟實(shí)力與硬實(shí)力并舉

  • 現(xiàn)在中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的整體力量與任何一家國際存儲(chǔ)巨頭相比仍然要弱小很多。在此之際，中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)更應(yīng)小心謹(jǐn)慎，避免過度張揚(yáng)。
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兆易創(chuàng)新推出多款GD32E103系列Cortex?-M4 MCU

  • 　　日前，業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)推出基于120MHz?Cortex?-M4內(nèi)核的GD32E系列高性能主流型微控制器新品，以持續(xù)領(lǐng)先的處理效能，持續(xù)增強(qiáng)的資源配置，持續(xù)優(yōu)化的成本價(jià)格，持續(xù)創(chuàng)新的商業(yè)模式，面向工控物聯(lián)等主流型應(yīng)用需求提供絕佳開發(fā)利器?！　∽鳛镚D32微控制器家族的最新成員，?GD32E103系列率先提供了8個(gè)產(chǎn)品型號(hào)，包括QFN36、LQFP48、LQFP64和LQFP100等4種封裝類型選擇。從而以極佳的靈活性和全面的兼容性輕松應(yīng)對(duì)飛速發(fā)
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兆易創(chuàng)新朱一明：活下來才是關(guān)鍵

  • 在國產(chǎn)芯片崛起，以及國家集成電路產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略逐步落地的背景下，兆易創(chuàng)新表現(xiàn)得十分搶眼。
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被兆易創(chuàng)新“看上”的思立微，究竟什么來頭？

  • 2018年剛剛開始，就有不少有關(guān)于收購的消息傳出。國外有高通完成了對(duì)恩智浦的收購;在國內(nèi)方面，兆易創(chuàng)新收購思立微的預(yù)案前段時(shí)間也已經(jīng)出爐。
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兆易創(chuàng)新擬收購思立微100%股權(quán) 傳目標(biāo)直指華為

  • 作為國產(chǎn)觸控芯片、指紋芯片廠商，2017年對(duì)于思立微而言，無疑是成功的一年!
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清華大學(xué)攜手兆易創(chuàng)新于IEDM發(fā)表阻變存儲(chǔ)器論文

  • 　　12月2-6日，第63屆國際電子器件大會(huì)(International Electron Devices Meeting, IEDM)在美國加州舊金山舉行，清華大學(xué)微納電子系吳華強(qiáng)課題組的2篇文章入選其列，分別題為“類腦計(jì)算中阻變存儲(chǔ)器的氧空位分布無序效應(yīng)模型(Modeling disorder effect of the oxygen vacancy distribution in filamentary analog RRAM for neuromorphic computing)”和“用于類腦計(jì)算
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兆易創(chuàng)新獲中芯支援?dāng)U產(chǎn)Nor Flash 短期恐對(duì)價(jià)格沖擊有限

  • 　　據(jù)報(bào)導(dǎo)， Nor Flash 生產(chǎn)大廠兆易創(chuàng)新(Gigadevice)搶進(jìn) Nor Flash 市場，獲得代工龍頭中芯國際(SMIC)的支持，將提供兆易創(chuàng)新每月 2.5 萬片，占全球 Nor Flash 約 30% 的產(chǎn)能，進(jìn)一步威脅臺(tái)灣大廠旺宏與華邦電。 　　不過，根據(jù)《科技新報(bào)》獨(dú)家取得的消息，中芯國際供應(yīng)兆易創(chuàng)新的產(chǎn)能，僅為每月一萬片。雖然對(duì)當(dāng)前市場的供貨有所幫助，但是對(duì)價(jià)格的沖擊，短期可能有限。 　　存儲(chǔ)器業(yè)者透露表示，預(yù)定 2018 年第 1 季在兆易創(chuàng)新獲得中芯國際支持的產(chǎn)能陸續(xù)投片，
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