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如何實(shí)現(xiàn)IR2110驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)

驅(qū)動(dòng)IGBT電壓型功率器件有多種具有保護(hù)及隔離功能的集成驅(qū)動(dòng)模塊。這些模塊具有多種保護(hù)功能、隔離驅(qū)動(dòng)...
關(guān)鍵字：功率器件 IR2110 IGBT

一款并聯(lián)諧振逆變電源的設(shè)計(jì)方案

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：并聯(lián)諧振逆變電源 PWM斬波控制三相不控整流橋直流斬波器 IGBT

國(guó)產(chǎn)IGBT前景光明突破之路曲折

　　隨著IGBT技術(shù)的發(fā)展，IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴(kuò)展到消費(fèi)電子應(yīng)用，成為未來(lái)10年發(fā)展最迅速的功率半導(dǎo)體器件;而在中國(guó)市場(chǎng)，軌道交通、家電節(jié)能、風(fēng)力發(fā)電、太陽(yáng)能光伏和電力電子等應(yīng)用更是引爆了IGBT應(yīng)用市場(chǎng)。　　據(jù)IHS iSuppli公司中國(guó)研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報(bào)告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴(yán)格的能源政策，2011-2015年中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)銷售額的復(fù)合年度增長(zhǎng)率將達(dá)13%。2011年IGBT銷售額將達(dá)到8.59億美元，2015年有望達(dá)到13億美
關(guān)鍵字： IGBT 半導(dǎo)體器件太陽(yáng)能

將電磁爐應(yīng)用的IGBT性能提升至最高

摘要：當(dāng)尋求將電磁爐應(yīng)用中使用的IGBT的效益提升至最高時(shí)，需要顧及幾項(xiàng)參數(shù)，包括IGBT的厚度及裸片尺寸等物理特性， IGBT的飽和電壓、阻斷電壓及開關(guān)損耗等電氣特性。優(yōu)化這些不同參數(shù)中的任何一種，都表示必須在某種程度上損及其它參數(shù)。因此，對(duì)于工程師而言，重要的是充分理解各種參數(shù)涉及到的權(quán)衡取舍。
關(guān)鍵字：電磁爐 IGBT 安森美諧振半橋峰值 201310

DSP平臺(tái)的數(shù)控逆變中頻電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

摘要：應(yīng)用數(shù)字處理技術(shù)，研究了基于DSP的數(shù)字化控制的中頻逆變電源。給出了基于IGBT的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，分析了其控制原理，采用基于TMS320F2407型DSP為核心的控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)串聯(lián)諧振中頻逆變電源的數(shù)字化控制，以滿足系統(tǒng)控制的實(shí)時(shí)性和靈活性要求。研制了一臺(tái)10kW/10kHz的逆變電源樣機(jī)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了設(shè)計(jì)的有效性和可行性。
關(guān)鍵字：逆變電源 DSP IGBT 串聯(lián)諧振 DPLL 201310

高鐵有了“中國(guó)芯”

　　中國(guó)北車集團(tuán)日前在西安對(duì)外發(fā)布：大功率IGBT芯片(絕緣柵雙極型晶體管)通過專家鑒定并投入批量生產(chǎn)。中國(guó)自此有了完全自主產(chǎn)權(quán)的大功率IGBT“中國(guó)芯”。　　據(jù)介紹，作為新一代半導(dǎo)體器件，IGBT是自動(dòng)控制和功率變換的關(guān)鍵核心部件，被廣泛應(yīng)用在軌道交通裝備行業(yè)、電力系統(tǒng)、工業(yè)變頻、風(fēng)電、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車和家電產(chǎn)業(yè)中。此前，國(guó)內(nèi)高端IGBT芯片基本依賴進(jìn)口。此次大功率IGBT芯片的研制成功，不僅可以為我國(guó)高鐵、動(dòng)車組等軌道交通裝備及其他相關(guān)行業(yè)提供強(qiáng)勁的“中國(guó)芯
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體器件 IGBT

淺談大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過流保護(hù)方案

引言隨著電力電子器件制造技術(shù)的發(fā)展，高性能、大容量的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）因其具有電壓型控制、輸...
關(guān)鍵字： IGBT 逆變器

IGBT保護(hù)電路的過流保護(hù)設(shè)計(jì)方案

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是一種用MOS來(lái)控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)，因而廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差，一旦出現(xiàn)意外就
關(guān)鍵字： IGBT 保護(hù)電路過流保護(hù) 設(shè)計(jì)方案

可再生能源應(yīng)用加持IGBT市場(chǎng)前景一片光明

　　據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole的最新報(bào)告，IGBT在電動(dòng)車/動(dòng)力混合汽車(EV/HEV)、再生能源(RenewableEnergies)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器(MotorDrive)、不斷電動(dòng)力系統(tǒng)(UPS)及交通上的應(yīng)用是該市場(chǎng)的成長(zhǎng)動(dòng)力來(lái)源。IGBT市場(chǎng)在2011~2012年少許反常性的下跌后，Yole分析師預(yù)期今年市場(chǎng)已回歸穩(wěn)定成長(zhǎng)腳步，具體而言，市場(chǎng)預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達(dá)到60億美元。在Yole的報(bào)告中最廣泛被分析的是IGBT在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用，區(qū)分為工業(yè)、商業(yè)和住宅應(yīng)用，馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器是帶動(dòng)IGBT
關(guān)鍵字：可再生能源 IGBT

英飛凌發(fā)布第三季度財(cái)報(bào)

英飛凌科技股份公司發(fā)布了2013財(cái)年第三季度(截至2013年6月30日)的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)。
關(guān)鍵字：英飛凌汽車電子 IGBT

英飛凌推出高功率密度和高可靠性的汽車級(jí)品質(zhì)功率模塊

英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 推出完全符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的全新 EconoDUAL? 3 IGBT 模塊。這一新產(chǎn)品可滿足商用車、工程車、農(nóng)用車等可靠性要求苛刻的應(yīng)用。汽車級(jí)品質(zhì)是指該模塊可明顯增加溫度周次和抗熱沖擊能力，而且采用了全新的可改善 EMI 特性的軟特性二極管。
關(guān)鍵字：英飛凌 EconoDUAL IGBT

IGBT功率放大電路保護(hù)方法的應(yīng)用

摘要：本文針對(duì)IGBT功率放大電路的保護(hù)問題，探討了過流檢測(cè)電路、驅(qū)動(dòng)信號(hào)脈寬檢測(cè)及過熱保護(hù)的實(shí)現(xiàn)方法，通過仿真與試驗(yàn)，驗(yàn)證保護(hù)電路的效果。
關(guān)鍵字： IGBT 保護(hù)電路 201307

英飛凌展示新一代IGBT——650V TRENCHSTOP 5

英飛凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源管理展覽會(huì)上突出展示了650V TRENCHSTOP? 5。新一代的薄晶圓IGBT絕緣柵雙極型晶體管——TRENCHSTOP? 5自從2012年秋季推出以來(lái)，已經(jīng)獲得了巨大的市場(chǎng)關(guān)注，它被認(rèn)為是一種革新的技術(shù)。
關(guān)鍵字：英飛凌 TRENCHSTOP IGBT

IR全新1200V IGBT為電機(jī)驅(qū)動(dòng)及不間斷電源應(yīng)用提升功率密度和效率

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出堅(jiān)固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)及不間斷電源 (UPS) 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
關(guān)鍵字： IR 電源 IGBT

安森美半導(dǎo)體推出領(lǐng)先業(yè)界的最佳系統(tǒng)級(jí)性能的IGBT，擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)持續(xù)擴(kuò)充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品陣容，應(yīng)用于消費(fèi)類電器及工業(yè)應(yīng)用的高性能電源轉(zhuǎn)換(HPPC)。安森美半導(dǎo)體新的第二代場(chǎng)截止型(FSII) IGBT器件改善開關(guān)特性，降低損耗達(dá)30%，因而提供更高能效，并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度，為設(shè)計(jì)人員增強(qiáng)系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達(dá)20%。安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul
關(guān)鍵字：安森美，IGBT