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英飛凌推出EiceDRIVER SIL和EiceDRIVER Boost

  • 英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 日前推出新一代應(yīng)用于新能源汽車(chē)的高壓IGBT門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)器。有了專為混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車(chē) (HEV) 的主逆變器而設(shè)計(jì)的全新EiceDRIVER? SIL和EiceDRIVER? Boost驅(qū)動(dòng)器，汽車(chē)系統(tǒng)供應(yīng)商便能夠更輕松地設(shè)計(jì)出更具成本效益的HEV電力傳動(dòng)傳動(dòng)子系統(tǒng)，該系統(tǒng)完全符合ASIL C/D功能安全要求標(biāo)準(zhǔn) (ISO 26262)。
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用IGBT代替MOSFET的可行性分析

  • 一、引言電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展，功率器件則要求高速、...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  MOSFET  

IGBT應(yīng)用設(shè)計(jì)全面剖析

  • 如何做好IGBT的保護(hù)眾所周知，IGBT是一種用MOS來(lái)控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率...
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IGBT使用和設(shè)計(jì)新方法

  • IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功...
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IGBT基礎(chǔ)知識(shí)梳理

  • 有關(guān)IGBT你了解多少，IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  基礎(chǔ)知識(shí)  

IGBT實(shí)用的驅(qū)動(dòng)電路及細(xì)節(jié)設(shè)計(jì)

12脈沖與IGBT高頻整流器

  • 一、概述12脈沖整流器的由來(lái)對(duì)于直流來(lái)說(shuō)不存在什么功率因數(shù)問(wèn)題，因?yàn)橹绷鞯碾娏骱碗妷河肋h(yuǎn)是同相...
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如何控制IGBT逆變器設(shè)計(jì)中的雜散電感

  • IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計(jì) ...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  逆變器設(shè)計(jì)  雜散電感  

全方位了解IGBT的基礎(chǔ)知識(shí)

  • 有關(guān)IGBT你了解多少，IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MO...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  基礎(chǔ)知識(shí)  

大功率IGBT散熱器水冷熱阻計(jì)算

  • 為了優(yōu)化水冷散熱器散熱能力，保障其可靠工作，引用了傳熱學(xué)中的基本原理與公式，以散熱器外形的機(jī)械尺寸、水的強(qiáng)制對(duì)流換熱系數(shù)和水的導(dǎo)熱系數(shù)作為參數(shù)及變量推導(dǎo)了散熱器水冷熱阻的計(jì)算公式。同時(shí)為了滿足實(shí)際應(yīng)用，開(kāi)發(fā)了一種專用水冷散熱器熱阻計(jì)算和曲線繪制軟件，可以顯示熱阻隨參數(shù)變化而變化的各種曲線，也可以直接計(jì)算顯示熱阻值。為散熱器的設(shè)計(jì)中參數(shù)的優(yōu)化選擇提供直觀方便的參考。
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針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,引言對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式，功率水平相當(dāng)?shù)?200 W)，并且常常會(huì)把電
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一種新型的零電壓零電流三電平變換器的研究

  • 摘要：針對(duì)采用IGBT的軟開(kāi)關(guān)三電平變換器中IGBT關(guān)斷過(guò)程存在的電流拖尾現(xiàn)象，以及基本三電平拓?fù)渥儔浩鞔渭?jí)存在的電壓過(guò)沖和電壓振蕩現(xiàn)象，提出了改進(jìn)型ZVZCS三電平結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)在基于拓?fù)涞娜娖綐虮蹅?cè)和兩電平橋臂
  • 關(guān)鍵字： 三電平變換器  ZVZCS  輔助網(wǎng)絡(luò)  IGBT  

IGBT礎(chǔ)知識(shí)大全

  • IGBT礎(chǔ)知識(shí)大全,有關(guān)IGBT你了解多少，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體
  • 關(guān)鍵字： IGBT  礎(chǔ)知識(shí)大全  

Tokyo搭載了光纖接口 還強(qiáng)化了IGBT驅(qū)動(dòng)板的產(chǎn)品陣容

  • Tokyo Electron Device Limited(本社: 橫濱市神奈川區(qū)，代表董事·總裁: 栗木 康幸，以下簡(jiǎn)稱 TED)開(kāi)發(fā)出在 1 塊基板上實(shí)現(xiàn) 1700V/1200A 等級(jí) IGBT 控制且搭載光纖接口的 IGBT 驅(qū)動(dòng)板 “TD-BD-IGFB05K”， 并將于 2013 年 4 月 17 日開(kāi)始銷(xiāo)售。
  • 關(guān)鍵字： TED  IGBT  太陽(yáng)能  

美高森美為NPT IGBT產(chǎn)品系列增添多款新器件

  • 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A額定電流型款。
  • 關(guān)鍵字： 美高森美  IGBT  
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