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Power Integrations發(fā)布基于氮化鎵的InnoSwitch3 AC-DC變換器IC

  • 美國(guó)加利福尼亞州圣何塞，2019年7月25日訊– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日發(fā)布InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC的新成員。新IC可在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)提供95%的高效率，并且在密閉適配器內(nèi)不使用散熱片的情況下可提供100 W的功率輸出。這一突破性的性能提升源自內(nèi)部開發(fā)的高壓氮化鎵開關(guān)技術(shù)。準(zhǔn)諧振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro I
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5G時(shí)代，砷化鎵依舊稱王？

  • 5G時(shí)代即將來臨，有觀點(diǎn)認(rèn)為第二代砷化鎵芯片面臨被取代的命運(yùn)，甚至有許多砷化鎵廠商宣稱早已跨進(jìn)第三代...
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國(guó)內(nèi)碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，5G芯片國(guó)產(chǎn)化再進(jìn)一步

  • 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，作為蕪湖大院大所合作的重點(diǎn)項(xiàng)目，國(guó)產(chǎn)化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，打破國(guó)外壟斷。這標(biāo)志著今后國(guó)內(nèi)各大芯片企業(yè)生產(chǎn)5G通信芯片，有望用上國(guó)產(chǎn)材料。
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碳化硅VS氮化鎵，寬禁帶半導(dǎo)體材料雙雄能否帶中國(guó)實(shí)現(xiàn)彎道超車？

  • 在現(xiàn)實(shí)世界中，沒有人可以和“半導(dǎo)體”撇清關(guān)系。雖然這個(gè)概念聽上去可能顯得有些冰冷，但是你每天用的電腦，手機(jī)以及電視等等，都會(huì)用到半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體的重要性自不必說，今天我們來說一下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中一個(gè)很關(guān)鍵的組成部分，那就是半導(dǎo)體材料。
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半導(dǎo)體發(fā)展經(jīng)歷三代變革 推動(dòng)社會(huì)發(fā)展

  • 第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)正在成為搶占下一代信息技術(shù)、節(jié)能減排及國(guó)防安全制高點(diǎn)的最佳途徑之一，是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要組成內(nèi)容。
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英飛凌氮化鎵解決方案投入量產(chǎn)

  • 　　英飛凌科技股份公司攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN? 600 V增強(qiáng)型HEMT和氮化鎵開關(guān)管專用驅(qū)動(dòng)IC(GaN EiceDRIVER? IC)，精彩亮相2018年德國(guó)慕尼黑電子展。英飛凌展示了其產(chǎn)品的優(yōu)越性：它們具備更高功率密度，可實(shí)現(xiàn)更加小巧、輕便的設(shè)計(jì)，從而降低系統(tǒng)總成本和運(yùn)行成本，以及減少資本支出。隨著CoolGaN 600 V增強(qiáng)型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅(qū)動(dòng)IC的推出，目前，英飛凌是市場(chǎng)上唯一一家提供涵蓋硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的全系列
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用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化GaN性能

  • 將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。
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讓我們一起實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行

  • 我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟，大潮之下，沒人能獨(dú)善其身。每年，我們都看到市場(chǎng)
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碳化硅/氮化鎵組件進(jìn)入商品化 電力電子產(chǎn)業(yè)迎來大革命

  • LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。 這些新組件雖然
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氮化鎵（GaN）技術(shù)推動(dòng)電源管理不斷革新

  • 　　Ahmad Bahai，德州儀器(TI)公司首席技術(shù)官　　我們可以想象一下：當(dāng)你駕駛著電動(dòng)汽車行駛在馬路上，電動(dòng)車充電設(shè)備的充電效率可以達(dá)到你目前所用充電效率的兩倍;僅有一半大小的電機(jī)驅(qū)動(dòng)比目前應(yīng)用的效率更高;筆記本電腦電源適配器小到可以放進(jìn)口袋?！　‰娮釉O(shè)備的未來取決于電源管理創(chuàng)新。　　或者設(shè)想一下：每個(gè)簡(jiǎn)單的互聯(lián)網(wǎng)搜索查詢使用的電力足以灼燒一個(gè)60瓦燈泡約17秒?，F(xiàn)在乘上每天發(fā)生的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗。　　更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(G
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英飛凌：功率半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步為電路創(chuàng)新提供契機(jī)

  • 近年來，由于節(jié)能環(huán)保的概念日益深化，在資源有限的現(xiàn)實(shí)環(huán)境下，各國(guó)政府以及相關(guān)機(jī)構(gòu)也相應(yīng)制定出法律法規(guī)，積極發(fā)展綠色能源。像太陽(yáng)能、電動(dòng)車，以及充電站等配套設(shè)備，需要依靠高效率的電源轉(zhuǎn)換器，才能使設(shè)備發(fā)揮出最佳性能。
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氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)?；?、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對(duì)能力

  • 　　數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。　　與LDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)已牢固確立——它可提供超過70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴(kuò)展至高頻率。同時(shí)，綜合測(cè)試數(shù)據(jù)已證實(shí)，硅基氮化鎵符合嚴(yán)格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術(shù)?！　」杌壋蔀樯漕l半導(dǎo)體
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氮化鎵襯底晶片實(shí)現(xiàn)“中國(guó)造”

  • 　　一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長(zhǎng)壽命的器件，是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個(gè)“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。 　　“不會(huì)游泳的時(shí)候就跳下了水” 　　蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國(guó)首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商， 團(tuán)隊(duì)從氮化鎵單晶材料氣相生長(zhǎng)的設(shè)備開始研發(fā)，逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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用GaN重新考慮功率密度

  • 用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn)，從那時(shí)起，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。
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氮化鎵有望乘5G起飛 亟需建立產(chǎn)業(yè)鏈

  • 　　隨著氮化鎵(GaN)不斷應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效電晶體(MOSFET)等元件上，不少業(yè)內(nèi)專家直言，電力電子產(chǎn)業(yè)即將迎來技術(shù)的大革命。氮化鎵雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅元件高出一大截，但其開關(guān)速度、切換損失等性能指標(biāo)，也是硅元件難以望其項(xiàng)背的。特別是近年來隨著氮化鎵廣泛被應(yīng)用于手機(jī)快充、電源以及5G市場(chǎng)，氮化鎵即將引領(lǐng)半導(dǎo)體技術(shù)革命的呼聲越來越高。 　　有望于手機(jī)快充、5G市場(chǎng)起飛 　　當(dāng)下，氮化鎵的主要應(yīng)用市場(chǎng)是手機(jī)快充、電源產(chǎn)業(yè)。近年來手機(jī)快充技術(shù)不斷發(fā)展，已成為智能手機(jī)標(biāo)配，而促進(jìn)其普及的重要推手便是氮化
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?氮化鎵介紹

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