?氮化鎵 文章 進(jìn)入?氮化鎵技術(shù)社區(qū)
氮化鎵（GaN）技術(shù)推動電源管理不斷革新
- Ahmad Bahai，德州儀器(TI)公司首席技術(shù)官 我們可以想象一下：當(dāng)你駕駛著電動汽車行駛在馬路上，電動車充電設(shè)備的充電效率可以達(dá)到你目前所用充電效率的兩倍;僅有一半大小的電機(jī)驅(qū)動比目前應(yīng)用的效率更高;筆記本電腦電源適配器小到可以放進(jìn)口袋?！ ‰娮釉O(shè)備的未來取決于電源管理創(chuàng)新?！ 』蛘咴O(shè)想一下：每個(gè)簡單的互聯(lián)網(wǎng)搜索查詢使用的電力足以灼燒一個(gè)60瓦燈泡約17秒?，F(xiàn)在乘上每天發(fā)生的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗?！ 「行У毓芾砟茉床⒄加酶】臻g，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(G
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 德州儀器
英飛凌：功率半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步為電路創(chuàng)新提供契機(jī)
- 近年來，由于節(jié)能環(huán)保的概念日益深化，在資源有限的現(xiàn)實(shí)環(huán)境下，各國政府以及相關(guān)機(jī)構(gòu)也相應(yīng)制定出法律法規(guī)，積極發(fā)展綠色能源。像太陽能、電動車，以及充電站等配套設(shè)備，需要依靠高效率的電源轉(zhuǎn)換器，才能使設(shè)備發(fā)揮出最佳性能。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌，電源轉(zhuǎn)換器技術(shù)，氮化鎵
氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)模化、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對能力
- 數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)?！ ∨cLDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢已牢固確立——它可提供超過70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴(kuò)展至高頻率。同時(shí)，綜合測試數(shù)據(jù)已證實(shí)，硅基氮化鎵符合嚴(yán)格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術(shù)?！ 」杌壋蔀樯漕l半導(dǎo)體
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 LDMOS
氮化鎵有望乘5G起飛 亟需建立產(chǎn)業(yè)鏈
- 隨著氮化鎵(GaN)不斷應(yīng)用在二極管、場效電晶體(MOSFET)等元件上，不少業(yè)內(nèi)專家直言，電力電子產(chǎn)業(yè)即將迎來技術(shù)的大革命。氮化鎵雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅元件高出一大截，但其開關(guān)速度、切換損失等性能指標(biāo)，也是硅元件難以望其項(xiàng)背的。特別是近年來隨著氮化鎵廣泛被應(yīng)用于手機(jī)快充、電源以及5G市場，氮化鎵即將引領(lǐng)半導(dǎo)體技術(shù)革命的呼聲越來越高。 有望于手機(jī)快充、5G市場起飛 當(dāng)下，氮化鎵的主要應(yīng)用市場是手機(jī)快充、電源產(chǎn)業(yè)。近年來手機(jī)快充技術(shù)不斷發(fā)展，已成為智能手機(jī)標(biāo)配，而促進(jìn)其普及的重要推手便是氮化
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 5G
我國第三代半導(dǎo)體發(fā)展路線圖漸明晰
- 6月26日電(記者余曉潔)到2030年，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)力爭全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入世界先進(jìn)行列，部分核心關(guān)鍵技術(shù)國際引領(lǐng)，核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè)，國產(chǎn)化率超過70%……第三代半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略發(fā)布會25日在京舉行。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲如是描述我國第三代半導(dǎo)體的“中國夢”。 第二屆國際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽同日啟動。大賽圍繞第三代半導(dǎo)體裝備、材料、器件、工藝、封裝、應(yīng)用及設(shè)計(jì)與仿真方面的技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新，以及商業(yè)模式創(chuàng)新等內(nèi)容征集參
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 氮化鎵
5G PA高功率需求增 氮化鎵組件身價(jià)看漲
- 具高功率特性的氮化鎵(GaN)，將可滿足5G對功率放大器(PA)的高頻需求，并具有超越砷化鎵(GaAs)的十足潛力。未來氮化鎵將逐步在手機(jī)的5G功率放大器中出現(xiàn)，基地臺的功率放大器應(yīng)用也是其另一項(xiàng)發(fā)展主力。 絡(luò)達(dá)科技技術(shù)長林珩之表示，5G基地臺的功率放大器將會以砷化鎵與氮化鎵制程為主，因其是功率主導(dǎo)(PowerHandle)，并以表現(xiàn)度為主要衡量指針。但這樣的制程需更多的校準(zhǔn)(Calibration)程序，成本會比較高。不過，基地臺的整體數(shù)量相較于手機(jī)應(yīng)用是比較少的，因此即便其成本略高，仍在客戶
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵
日本設(shè)立共同研究室 加快氮化鎵功率器件研發(fā)進(jìn)程
- 據(jù)報(bào)道，共同研究室預(yù)計(jì)將于2017年3月底前后設(shè)置、最初由總計(jì)10名左右的研究人員參加。該研究室力爭將“氮化鎵”這種物質(zhì)運(yùn)用在控制電流的新一代半導(dǎo)體功率器件等中。 據(jù)了解，“氮化鎵”是天野研發(fā)的獲諾貝爾獎的藍(lán)色發(fā)光二級管(LED)的材料。該研究室力爭把名古屋大學(xué)研制氮化鎵結(jié)晶的技術(shù)與該機(jī)構(gòu)調(diào)查物質(zhì)性質(zhì)的技術(shù)相結(jié)合，加快研發(fā)進(jìn)程。 天野是小出在名古屋大學(xué)念書時(shí)低一屆的學(xué)弟。兩人在名城大學(xué)終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學(xué)獎)門下一同進(jìn)行
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 功率器件
氮化鎵（GaN）晶體管設(shè)備越薄越冷
- 伊利諾伊大學(xué)研究人員開發(fā)出新的氮化鎵(GaN)熱控制方法 GaN晶體管比傳統(tǒng)的硅晶體管具有更高的功率密度，可以在較高溫度下運(yùn)行(500℃以下)，但像所有半導(dǎo)體那樣，GaN晶體管也產(chǎn)生過多的熱量，這會限制他們的性能。 基于散熱器和風(fēng)扇的冷卻方法增加成本和體積。現(xiàn)在，一個(gè)來自伊利諾伊大學(xué)微納米技術(shù)實(shí)驗(yàn)室的研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造了一種新的方法，他們聲稱該方法簡單而且低成本。 采用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)，坎·拜拉姆的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)證明，GaN層的厚度在過熱中起很大作用，影響設(shè)備的熱預(yù)期和最終性能。
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 晶體管
硅襯底氮化鎵基激光器將大幅降低器件制造成本
- 中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生所研究員楊輝團(tuán)隊(duì)在硅上研制出第三代半導(dǎo)體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續(xù)工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關(guān)研究成果近日刊登在《自然—光子學(xué)》。 中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生所研究員楊輝團(tuán)隊(duì)在硅上研制出第三代半導(dǎo)體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續(xù)工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關(guān)研究成果近日刊登在《自然—光子學(xué)》。 隨著半導(dǎo)體科技的高速發(fā)展，科技工作者發(fā)現(xiàn)基于傳統(tǒng)技術(shù)路線來進(jìn)行芯片與系統(tǒng)之間的數(shù)據(jù)通信越來越難
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 芯片
氮化鎵功率技術(shù)大熱，Transphorm創(chuàng)新HEMT結(jié)構(gòu)“劍走偏鋒”高壓器件
- 氮化鎵技術(shù)因其在低功耗、小尺寸等特性設(shè)計(jì)上的獨(dú)特優(yōu)勢和成熟規(guī)?；纳a(chǎn)能力，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術(shù)趨勢論壇上，這個(gè)主題受到國內(nèi)媒體的集體“圍觀”。富士通電子元器件高級市場經(jīng)理蔡振宇(Eric)的“氮化鎵產(chǎn)品主要的應(yīng)用場景和未來的趨勢”主題分享，將富士通電子旗下代理產(chǎn)品線Transphorm公司獨(dú)特GaN技術(shù)和產(chǎn)品方案第一次帶到中國媒體面前，采用創(chuàng)新的Cascode結(jié)構(gòu)的HEMT高壓產(chǎn)品讓Transphorm在氮化鎵功率表技術(shù)領(lǐng)域劍走偏鋒，成為該陣營的領(lǐng)頭
- 關(guān)鍵字： 富士通 氮化鎵
高級教程視頻系列教授如何使用氮化鎵（GaN）功率器件以實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)增加合共九個(gè)教程單元的教學(xué)視頻系列，擴(kuò)大它的視頻資源以拓展氮化鎵技術(shù)的知識庫，為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師提供高級技術(shù)教程，包括應(yīng)用范例，教授如何使用氮化鎵晶體管及集成電路設(shè)計(jì)出更高效的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。 除了為工程師提供氮化鎵晶體管的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)及可靠性數(shù)據(jù)外，本視頻系列教授如何把開發(fā)板轉(zhuǎn)化為實(shí)用的原型。此外，該系列提供氮化鎵晶體管在廣泛的功率電子應(yīng)用中的實(shí)用范例，包括面向電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)的DC/DC轉(zhuǎn)換，以及關(guān)于采用氮化鎵器件的無線充電應(yīng)用的兩個(gè)視頻。 氮化鎵(GaN)高級學(xué)習(xí)視頻
- 關(guān)鍵字： 宜普 氮化鎵
?氮化鎵介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條?氮化鎵!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對?氮化鎵的理解，并與今后在此搜索?氮化鎵的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對?氮化鎵的理解，并與今后在此搜索?氮化鎵的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
?氮化鎵相關(guān)帖子
?氮化鎵資料下載
?氮化鎵專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473