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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?氮化鎵

好馬配好鞍——鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅(qū)動器比翼雙飛，助力氮化鎵先進應(yīng)用

  • 未來已來，氮化鎵的社會經(jīng)濟價值加速到來。 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動器配合，隔離驅(qū)動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件的有效保護，完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進應(yīng)用中高效率低損耗的核心價值，讓工程師放心無憂采用氮化鎵。 普通消費者了解并接受氮化鎵，是從2018年氮化鎵PD快充開始的。憑借氮化鎵卓越的開關(guān)特性，可以高頻工作，實現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率，氮化鎵PD快充成功實現(xiàn)了小型化和輕量化，消費者易于攜帶，用戶體驗大幅度提升。在過去
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PI相約德國慕尼黑電子展 推出新款可編程小型電源IC

  •       德國時間2022年11月15日，Power Integrations亮相德國慕尼黑電子展，并推出了新款可編程、小巧及高效的零電壓開關(guān)電源IC——InnoSwitch4-Pro產(chǎn)品系列。了解PI產(chǎn)品的讀者肯定會記得，在上一代系列產(chǎn)品InnoSwitch3-Pro中，輸出功率為65W，適用于包括USB功率傳輸(PD)3.0 + PPS、Quick Charge? 4/4+、AFC、VOOC、SCP、FCP，以及其他工業(yè)和消費類電池充電器、可調(diào)光LED鎮(zhèn)流器驅(qū)
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SEMICON China | 探討熱點與前沿技術(shù) ，功率及化合物半導(dǎo)體論壇2022圓滿舉辦

  • 11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導(dǎo)體國際論壇2022”在上海國際會議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場做報告分享。此次論壇重點討論的主題包括：開幕演講，化合物半導(dǎo)體與光電及通訊，寬禁帶半導(dǎo)體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導(dǎo)體國際論壇從2016年開始首辦，今年已經(jīng)是第七屆。在嚴格遵守防疫規(guī)定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經(jīng)歷風(fēng)雨，怎么能
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EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵器件，讓高功率密度應(yīng)用實現(xiàn)靈活設(shè)計

  • 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，讓高功率密度應(yīng)用實現(xiàn)更高的性能和更小的解決方案，包括DC/DC轉(zhuǎn)換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優(yōu)化器和微型逆變器，以及電機驅(qū)動器。?EPC 是增強型氮化鎵(eGaN?)功率FET和 IC 領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者，新推采用更耐熱的QFN封裝且可立即發(fā)貨的150 V EPC2308氮化鎵器件，用于電動工具和機器人的電機驅(qū)動器、用于工業(yè)應(yīng)用的80 V/100 V高功率密度DC/DC轉(zhuǎn)換器、用于充電器、適配器和電源供
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能華推出高可靠性65W氮化鎵筆電適配器方案

  • 　　前言　　最近充電頭網(wǎng)拿到了一款基于能華CE65H160TOAI氮化鎵功率器件的65W筆電適配器方案樣品，該方案是為配合工信部國產(chǎn)替代政策而設(shè)計?！　≡摲桨覆捎媚贪咨耐鈿ぃ叫?，給人簡約時尚感覺；其內(nèi)部采用卡扣散熱設(shè)計方案，裝配緊湊牢固、安裝方式簡單，免除其它散熱方案所需要的生產(chǎn)夾具，降低生產(chǎn)成本，利于規(guī)模化的生產(chǎn)制造；再加上能華的低熱阻封裝TO-220的CoreGaN產(chǎn)品，使得系統(tǒng)的熱可靠性大為提高，已經(jīng)通過了環(huán)溫40°下的嚴苛可靠性測試。下面就隨小編來詳細了解該方案?！　∧苋A65W快充外觀　　能華
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友尚新推采用安森美NCP1345搭配氮化鎵系統(tǒng)的65瓦PD電源方案_大幅精簡線路與提高功率密度

  • NCP1345是次世代高度集成的準共振Flyback, 適用于設(shè)計高性能電源轉(zhuǎn)換器為了單純adapter 或 adapter with USB-PD (type?C or type-A) , 或 openframe 等電源轉(zhuǎn)換器, 包括雙 VCC 架構(gòu), 允許直接連接到輔助繞組, 以進行簡化 VCC 管理零件計數(shù)減少并增加性能。CP1345 還具有精確的基于主要一次側(cè)的輸出限制電路，以確保恒定輸出電流限制,無論設(shè)計輸出電壓或輸出功率如何。準共振 (QR）專有波谷鎖定電路，以確保穩(wěn)定的波谷切換,當下降到第6
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源

  • 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關(guān)斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產(chǎn)品設(shè)計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器
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除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域？

  • 硅材料制作的功率器件，也被稱為第一代半導(dǎo)體，而砷化鎵（GaAs）等材料制作的功率器件，則被成為第二代半導(dǎo)體，第二代半導(dǎo)體在高頻性能上優(yōu)于硅器件，通常用于射頻應(yīng)用。氮化鎵（GaN）或碳化硅（SiC）器件也被成為第三代半導(dǎo)體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場強約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更低的導(dǎo)通壓降，轉(zhuǎn)換效率高，也更適應(yīng)高溫工作環(huán)境。與硅材料和SiC相比，GaN材料電子飽和漂移速率更高，適合高頻率應(yīng)用場景，因而在電力電子應(yīng)用中，GaN器件可以在MHz以上頻率工作，大大減小了對外圍電路中電
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第三代半導(dǎo)體擴產(chǎn)，硅的時代要結(jié)束了嗎

  • 半導(dǎo)體寒氣襲人知誰暖？芯片行業(yè)的砍單潮已經(jīng)將寒氣傳遞給了眾多企業(yè)，三星半導(dǎo)體部門負責人Kyung Kye-hyun就預(yù)計芯片銷售大幅下滑態(tài)勢將延續(xù)至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長率由原先預(yù)估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴大至衰退6%；費城半導(dǎo)體指數(shù) (SOX)近6個月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料卻在迎來市場倍增與產(chǎn)能擴張。 安森美二季度財報發(fā)布后，就將其2022年碳化硅營收預(yù)期上調(diào)為“同比增長3倍”，而
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hofer powertrain和VisIC Technologies宣布新一代氮化鎵電力電子元件

  • hofer powertrain為新一代電動汽車傳動系統(tǒng)奠定基礎(chǔ)。德國動力系統(tǒng)專家hofer powertrain選擇前瞻性芯片技術(shù)，通過汽車領(lǐng)域氮化鎵（GaN）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者VisIC Technologies公司提供最新氮化鎵芯片技術(shù)D3GaN（直驅(qū)D型）實現(xiàn)新的多級電力電子元件。新解決方案在效率和功率密度方面超過硅基技術(shù)的性能，最近的測試證明了它的成功。氮化鎵半導(dǎo)體是提高效率、增加電動汽車行駛里程和壽命的關(guān)鍵。hofer powertrain和VisIC Technologies的目標是開發(fā)基于氮化鎵的
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飛宏新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用Transphorm的氮化鎵技術(shù)

  • 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)宣布，全球電源產(chǎn)品和電動汽車充電站供應(yīng)商飛宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術(shù)。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN?第四代技術(shù)，這是一種氮化鎵場效應(yīng)管(FET)平臺，具有以下優(yōu)點：系統(tǒng)設(shè)計簡單，元件數(shù)量少，性能更高，可靠性一流。飛宏的65W適配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配備兩個US
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功率半導(dǎo)體組件的主流爭霸戰(zhàn)

  • 功率半導(dǎo)體組件與電源、電力控制應(yīng)用有關(guān)，特點是功率大、速度快，有助提高能源轉(zhuǎn)換效率，多年來，功率半導(dǎo)體以硅（Si）為基礎(chǔ)的芯片設(shè)計架構(gòu)成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導(dǎo)體材料出現(xiàn)，讓功率半導(dǎo)體組件的應(yīng)用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點高功率組件應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟秘書長林若蓁博士（現(xiàn)職為臺灣經(jīng)濟研究院研究一所副所長）指出，功率半導(dǎo)體組件是電源及電力控制應(yīng)用的核心，具有降低導(dǎo)通電阻、提升電力轉(zhuǎn)換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管）與IGBT（絕緣
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比銀行卡還要小的多，智融推出65W 3C口超薄氮化鎵快充方案

  • 前言65W氮化鎵充電器能夠為手機和電腦提供理想的快充體驗，同時不需要PFC，從成本和體積上都很有優(yōu)勢，是工廠和消費者選擇的主力產(chǎn)品。隨著近年來平面變壓器技術(shù)的成熟，通過使用平面變壓器取代傳統(tǒng)繞線變壓器，充電器從常規(guī)的方塊形態(tài)進化成為餅干形態(tài)，更加便于攜帶。智融科技推出了多款可用于氮化鎵充電器的協(xié)議降壓二合一芯片，在車充和氮化鎵快充中應(yīng)用非常廣泛。智融推出了用于氮化鎵開關(guān)管的初級主控芯片SW1106，支持直驅(qū)增強型氮化鎵開關(guān)管，進一步完善氮化鎵快充產(chǎn)品線，致力于推出一站式氮化鎵快充電源解決方案。充電頭網(wǎng)已經(jīng)
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Transphorm推出參考設(shè)計組合，加快USB-C PD氮化鎵電源適配器的開發(fā)

  • 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?近日宣布推出七款參考設(shè)計，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設(shè)計組合包括廣泛的開放式框架設(shè)計選項，覆蓋多種拓撲結(jié)構(gòu)、輸出和功率（45W至140W）。SuperGaN?技術(shù)的差異化優(yōu)勢?電源適配器參考設(shè)計采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設(shè)計簡單、可靠性高和性能強勁的優(yōu)勢，這些特點已經(jīng)成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對比分析中，與1
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氮化鎵集成電路縮小電動自行車和無人機的電機驅(qū)動器

  • 基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計EPC9173無論是在尺寸、性能、續(xù)航里程、精度和扭矩方面，優(yōu)化了電機系統(tǒng)且簡化設(shè)計和加快產(chǎn)品推出市場的時間。我們可以把這種微型逆變器放進電機外殼中，從而把電磁干擾減到最小、實現(xiàn)最高的功率密度和最輕的重量。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9173，它是一款三相無刷直流電機驅(qū)動逆變器，采用具備嵌入式柵極驅(qū)動器功能的EPC23101 eGaN?集成電路和一個3.3 mΩ導(dǎo)通電阻的浮動功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管。EPC9173在20 V和85 V之間的輸入電源電壓下工作，峰值電
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