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SK 海力士介紹全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存，明年初出樣

  • 11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國(guó)首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存。該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn) 48GB 的單堆棧容量，預(yù)計(jì)明年初出樣。雖然一般認(rèn)為 16 層堆疊 HBM 內(nèi)存直到下一世代 HBM4 才會(huì)正式商用，但參考內(nèi)存領(lǐng)域 IP 企業(yè) Rambus 的文章，HBM3E 也有擴(kuò)展到 16 層的潛力。此外注意到，SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學(xué)術(shù)會(huì)議準(zhǔn)備的論文中也提到了可實(shí)現(xiàn) 1280G
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AI需求持續(xù)爆發(fā)！“HBM霸主”SK海力士Q3營(yíng)收、利潤(rùn)雙創(chuàng)記錄

  • 獲悉，周四，SK海力士公布了創(chuàng)紀(jì)錄的季度利潤(rùn)和營(yíng)收，這反映出市場(chǎng)對(duì)與英偉達(dá)(NVDA.US)處理器一起用于人工智能開(kāi)發(fā)的存儲(chǔ)芯片的強(qiáng)勁需求。作為英偉達(dá)的供應(yīng)商，這家韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭第三季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到7.03萬(wàn)億韓元(51億美元)，上年同期為虧損1.8萬(wàn)億韓元，高于分析師預(yù)期的6.9萬(wàn)億韓元。營(yíng)收大增94%，達(dá)到17.6萬(wàn)億韓元，而市場(chǎng)預(yù)期為18.2萬(wàn)億韓元。今年以來(lái)，SK海力士股價(jià)累計(jì)上漲逾35%，原因是該公司在設(shè)計(jì)和供應(yīng)為英偉達(dá)人工智能加速器提供動(dòng)力的尖端高帶寬內(nèi)存(HBM)方面擴(kuò)大了對(duì)三星電子(S
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全球首款12層堆疊HBM3E，開(kāi)始量產(chǎn)了

  • SK 海力士宣布，已開(kāi)始量產(chǎn) 12H HBM3E 芯片，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有 HBM 產(chǎn)品中最大的 36GB 容量。
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SK海力士揭秘半導(dǎo)體全球生產(chǎn)基地及應(yīng)用領(lǐng)域

  • 設(shè)想一下，如果沒(méi)有了智能手機(jī)、電腦或互聯(lián)網(wǎng)，世界會(huì)變成怎樣？顯而易見(jiàn)，缺失這些必需品的生活是無(wú)法想象的。然而，如果沒(méi)有半導(dǎo)體作為推動(dòng)眾多科技發(fā)展的引擎，世界無(wú)疑便會(huì)陷入無(wú)法想象的境地。盡管半導(dǎo)體芯片在生活中很常見(jiàn)，但它們的起源、用途、意義等仍然鮮為人知。時(shí)至今日，半導(dǎo)體世界仍有許多知識(shí)鮮為人知。作為現(xiàn)代科技的核心，芯片可謂是推動(dòng)科技發(fā)展背后的隱藏力量，然而很少有人目睹這些先進(jìn)設(shè)備是如何在工廠中被精心制造出來(lái)的。為了更深入地了解半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和應(yīng)用領(lǐng)域，本期半導(dǎo)體綜述系列文章將深入探討芯片生產(chǎn)工廠及屬地，并探索
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SK海力士全球率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E

  • 2024年9月26日，SK海力士宣布，公司全球率先開(kāi)始量產(chǎn)12層HBM3E新品，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有HBM*產(chǎn)品中最大**的36GB（千兆字節(jié)）容量。公司將在年內(nèi)向客戶提供產(chǎn)品，繼今年3月全球率先向客戶供應(yīng)8層HBM3E后，僅時(shí)隔6個(gè)月再次展現(xiàn)出其壓倒性的技術(shù)實(shí)力。 SK海力士強(qiáng)調(diào):“自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E)，  公司是唯一一家開(kāi)發(fā)并向市場(chǎng)供應(yīng)全系列HBM產(chǎn)品的企業(yè)。公司業(yè)界率先成功量產(chǎn)12層堆疊產(chǎn)品，不僅滿足了人工智能企業(yè)日益發(fā)展的需求，
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SK海力士CXL優(yōu)化解決方案成功搭載于全球最大開(kāi)源操作系統(tǒng)Linux

  • 2024年9月23日，SK海力士宣布，公司已將用于優(yōu)化CXL*（Compute Express Link）存儲(chǔ)器運(yùn)行的自研軟件異構(gòu)存儲(chǔ)器軟件開(kāi)發(fā)套件（HMSDK）*中主要功能成功搭載于全球最大的開(kāi)源操作系統(tǒng)Linux*上。SK海力士表示：“CXL作為繼HBM之后的下一代面向AI的存儲(chǔ)器產(chǎn)品而備受矚目，公司自主研發(fā)的CXL優(yōu)化軟件HMSDK，其性能已獲得國(guó)際認(rèn)可，并成功應(yīng)用于全球最大的開(kāi)源操作系統(tǒng)Linux中。這標(biāo)志著不僅是如HBM等超高性能硬件實(shí)力方面，公司的軟件競(jìng)爭(zhēng)力也獲得廣泛認(rèn)可，具有重大意義。”未來(lái)
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SK海力士開(kāi)發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤(pán)“PEB110 E1.S”

  • 采用第五代PCIe，較上一代產(chǎn)品性能提高一倍，能效提升30%以上· 經(jīng)客戶驗(yàn)證后，將于明年第二季度開(kāi)始量產(chǎn)· 增強(qiáng)數(shù)據(jù)中心的SSD產(chǎn)品組合，滿足多樣化客戶需求· “不僅在HBM領(lǐng)域，同時(shí)在NAND閃存解決方案SSD產(chǎn)品領(lǐng)域，鞏固全球頂級(jí)面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商領(lǐng)導(dǎo)者地位”2024年9月11日，SK海力士宣布，公司開(kāi)發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤(pán)（SSD，Solid State Drive）產(chǎn)品“PEB110 E1.S”（以下簡(jiǎn)稱 PEB110）。SK海力士表示：“隨著AI時(shí)代的全面到
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SK海力士成功開(kāi)發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

  • 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開(kāi)發(fā)出采用第六代10納米級(jí)（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)。SK海力士強(qiáng)調(diào)：“隨著10納米級(jí)DRAM技術(shù)的世代相傳，微細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過(guò)業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計(jì)完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開(kāi)始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展?！惫疽?b DRAM
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自動(dòng)駕駛汽車公司W(wǎng)aymo已搭載SK海力士HBM2E

  • 8月15日消息，日前，SK海力士副總裁Kang Wook-seong透露，公司已經(jīng)開(kāi)始將HBM引入汽車半導(dǎo)體，Waymo已搭載SK海力士的HBM2E。Kang Wook-seong表示，目前，汽車DRAM半導(dǎo)體正在從LPDDR 4轉(zhuǎn)向LPDDR 5，HBM最快三年內(nèi)、最遲五年內(nèi)將成為主流。他預(yù)測(cè)表示，當(dāng)自動(dòng)駕駛L3、L4級(jí)普及時(shí)，對(duì)HBM的需求將迅速增加，更高的計(jì)算能力對(duì)于L2.5級(jí)或更高級(jí)別的自動(dòng)駕駛至關(guān)重要，HBM3在一塊芯片上每秒計(jì)算1TB，能夠滿足要求。根據(jù)外媒報(bào)道，SK海力士已向上游設(shè)備企業(yè)訂購(gòu)
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三星8層堆疊HBM3E已通過(guò)英偉達(dá)所有測(cè)試，預(yù)計(jì)今年底開(kāi)始交付

  • 三星去年10月就向英偉達(dá)提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過(guò)一直沒(méi)有通過(guò)英偉達(dá)的測(cè)試。此前有報(bào)道稱，已從多家供應(yīng)鏈廠商了解到，三星的HBM3E很快會(huì)獲得認(rèn)證，將在2024年第三季度開(kāi)始發(fā)貨。據(jù)The Japan Times報(bào)道，三星的HBM3E終于通過(guò)了英偉達(dá)的所有測(cè)試項(xiàng)目，這將有利于其與SK海力士和美光爭(zhēng)奪英偉達(dá)計(jì)算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達(dá)還沒(méi)有最終確定供應(yīng)協(xié)議，但是問(wèn)題不大，預(yù)計(jì)今年底開(kāi)始交付。值得一提的是，三星還有更先進(jìn)的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

  • IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開(kāi)發(fā)，計(jì)劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計(jì)劃于 2025 上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說(shuō)法，SK 海力士未來(lái)兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
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消息稱 SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO

  • IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》（Hankyung）與 Blocks & Files 報(bào)道，SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 閃存與固態(tài)硬盤(pán)子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購(gòu)英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務(wù)，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購(gòu)第一階段后成立的獨(dú)立美國(guó)子公司?！?Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響，Sol
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全球三大廠HBM沖擴(kuò)產(chǎn) 明年倍增

  • AI應(yīng)用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠，積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，市場(chǎng)人士估計(jì)，2025年新增投片量約27.6萬(wàn)片，總產(chǎn)能拉高至54萬(wàn)片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據(jù)外媒拆解，英偉達(dá)H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過(guò)生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進(jìn)入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場(chǎng)，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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SK海力士砸750億美元 力拚AI

  • 韓國(guó)SK集團(tuán)30日宣布，旗下內(nèi)存制造商SK海力士將在2028年前投資103兆韓元（約750億美元）強(qiáng)化芯片事業(yè)，尤其將著重AI發(fā)展。SK集團(tuán)日前剛結(jié)束為期兩天的策略會(huì)議，并于會(huì)后宣布全力發(fā)展AI價(jià)值鏈，將SK海力士的技術(shù)應(yīng)用在高帶寬內(nèi)存芯片（HBM）、AI數(shù)據(jù)中心及AI語(yǔ)音助理等領(lǐng)域。SK集團(tuán)指出，上述103兆韓元當(dāng)中將有80％，也就是大約82兆韓元（約600億美元）投入發(fā)展HBM。 HBM廣泛應(yīng)用在生成式AI芯片組，且SK海力士目前是輝達(dá)的HBM3獨(dú)家芯片供貨商。今年第一季SK海力士營(yíng)收年增超過(guò)1倍至1
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SK海力士開(kāi)發(fā)面向AI PC的高性能固態(tài)硬盤(pán)‘PCB01’

  • - SK海力士28日宣布，公司開(kāi)發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI* PC的業(yè)界最高性能固態(tài)硬盤(pán)（SSD，Solid State Drive）產(chǎn)品‘PCB01’。* 端側(cè)（On-Device）AI：在設(shè)備本身上實(shí)現(xiàn)AI運(yùn)行，而非依賴物理分離的服務(wù)器進(jìn)行計(jì)算。由于智能手機(jī)或PC等終端設(shè)備自行收集信息并進(jìn)行計(jì)算，可提升AI功能的反應(yīng)速度、加強(qiáng)用戶定制性AI服務(wù)功能。SK海力士表示：“公司業(yè)界率先將PCB01適用了‘PCIe* 5.0 x8接口**’技術(shù)，以顯著提升數(shù)據(jù)處理速度等性能。繼HBM等超高性能DR
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