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第二屆高效節(jié)能電機(jī)控制技術(shù)解決方案專題研討會召開

  • 2012年10月24日，由電子產(chǎn)品世界雜志社主辦的“第二屆高效節(jié)能電機(jī)控制技術(shù)解決方案專題研討會”如期在上海召開，來自電機(jī)控制應(yīng)用設(shè)計(jì)領(lǐng)域的200余位工程師代表出席了活動。
  • 關(guān)鍵字： 德州儀器  富士通  電機(jī)控制  201212  

芯片制作工藝需追趕世界潮流 加倍努力

  • 　　隨著科技的發(fā)展，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造方面，各相關(guān)廠商相繼突破制造工藝，提高市場競爭力。 　　2012年初，富士通半導(dǎo)體宣布交付其為中小型IC設(shè)計(jì)公司量身定制的55nm創(chuàng)新工藝制程(可兼容65nmIP、性能堪比40nm工藝)，一度引發(fā)中國IC設(shè)計(jì)業(yè)的震動。而在日前于重慶舉辦的“中國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2012年會暨重慶集成電路跨越發(fā)展高峰論壇”上，富士通半導(dǎo)體又一次帶來驚喜，率先將已經(jīng)量產(chǎn)的成熟28nm先進(jìn)工藝和設(shè)計(jì)服務(wù)帶給中國高端SoC設(shè)計(jì)業(yè)者。 　　“55nm創(chuàng)新工藝制
  • 關(guān)鍵字： 富士通  IC  28nm  

SuVolta發(fā)布DDC技術(shù)的電路級性能與功耗優(yōu)勢

  • 致力于開發(fā)低功耗CMOS技術(shù)的公司SuVolta日前發(fā)布了一項(xiàng)旨在展示其DDC(深度耗盡通道，Deeply Depleted Channel?)技術(shù)在性能和功耗方面優(yōu)勢的測試結(jié)果。該結(jié)果來自于采用SuVoltaPowerShrink?低功耗CMOS平臺設(shè)計(jì)、并由富士通半導(dǎo)體有限公司的65納米低功耗工藝制造的模擬及數(shù)字電路。
  • 關(guān)鍵字： SuVolta  富士通  半導(dǎo)體  DDC  

富士通率先在中國引入28nm SoC設(shè)計(jì)服務(wù)和量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)

  • 2012年初，富士通半導(dǎo)體宣布交付其為中小型IC設(shè)計(jì)公司量身定制的55nm創(chuàng)新工藝制程(可兼容65nm IP、性能堪比40nm工藝)，一度引發(fā)中國IC設(shè)計(jì)業(yè)的震動。
  • 關(guān)鍵字： 富士通  IC設(shè)計(jì)  SoC  

富士通推出帶新的小封裝的超低功耗16Kb FRAM

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布其低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲器FRAM又添小封裝成員-SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)封裝SOP-8,SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
  • 關(guān)鍵字： 富士通  FRAM  存儲器  

富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)GaN功率器件

  • 　　上海，2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實(shí)現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。 　　與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
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富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

  • 　　富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實(shí)現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。 　　與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化，從而可以通過硅晶圓直徑的增加，來實(shí)現(xiàn)低成本生產(chǎn)。按照此目標(biāo)，富
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富士通明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實(shí)現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字： 富士通  功率器  GaN  

富士通半導(dǎo)體推出32位微控制器系列產(chǎn)品

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布，推出其新的基于ARM? Cortex?-M4處理器內(nèi)核的FM4系列32位通用RISC微控制器，以及新的采用Cortex-M0+內(nèi)核的FM0+系列。富士通計(jì)劃在2013年提供這些新微控制器產(chǎn)品的批量樣片，在年內(nèi)晚些時候這些產(chǎn)品將全部投產(chǎn)。
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富士通“180度全直流變頻空調(diào)方案”獲年度最佳綠色節(jié)能方案

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，其基于富士通FM3的電機(jī)控制新技術(shù)---180度全直流變頻空調(diào)方案獲得了2012年電子產(chǎn)品世界編輯推薦獎之“年度最佳綠色節(jié)能方案獎”。
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富士通提出“軟硬一體”平臺化解決方案

  • 不久前，豐田公司高調(diào)宣布放棄純電動汽車計(jì)劃，這一消息在業(yè)內(nèi)激起不小的“浪花”，加上深圳5.26交通事故電動出租車的起火事件，似乎都為新能源汽車的發(fā)展?jié)娏死渌?，有不少人甚至開始質(zhì)疑新能源汽車的前景。
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富士通提出“軟硬一體”平臺化解決方案，應(yīng)對汽車

  • 不久前，豐田公司高調(diào)宣布放棄純電動汽車計(jì)劃，這一消息在業(yè)內(nèi)激起不小的“浪花”，加上深圳5.26交通事故電動出租車的起火事件，似乎都為新能源汽車的發(fā)展?jié)娏死渌胁簧偃松踔灵_始質(zhì)疑新能源汽車的前景
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富士通半導(dǎo)體展示超高速短距離數(shù)據(jù)傳輸

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，富士通半導(dǎo)體歐洲(FSEU)已經(jīng)證明可以通過CEI-28G-VSR接口進(jìn)行單信道大于100Gbps的數(shù)據(jù)傳輸，從而將光互聯(lián)論壇(OIF)定義的芯片間電接口數(shù)據(jù)傳輸速率提高到4倍。這項(xiàng)研究成果驗(yàn)證了在利用為長距離光傳輸系統(tǒng)所開發(fā)的CMOS ADC/DAC轉(zhuǎn)換器技術(shù)后，短距離電信號傳輸所能達(dá)到的數(shù)據(jù)速率。
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富士通推出一款可支持10種接口橋接芯片

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，新推出接口橋接芯片“MB86E631”，該芯片內(nèi)部集成了一個雙核ARM? Cortex?-A9處理器與許多不同接口于一體。新產(chǎn)品樣品將從2012年12月晚些時候可以提供。
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富士通半導(dǎo)體各種變頻控制方案詳解

  • 富士通半導(dǎo)體各種變頻控制方案詳解,說到變頻電機(jī)控制，就不得不說說富士通半導(dǎo)體的技術(shù)和產(chǎn)品。富士通半導(dǎo)體開發(fā)的變頻方案采用了各種先進(jìn)技術(shù)和算法，匹配過20多款壓縮機(jī)，具有可現(xiàn)場系統(tǒng)整合調(diào)試、功能驗(yàn)證和性能優(yōu)化的優(yōu)勢，適用于各種變頻控制應(yīng)用
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