首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 產(chǎn)綜研

產(chǎn)綜研聯(lián)合東京大學(xué)研制出采用強電介質(zhì)NAND閃存單元

  • 　　日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（產(chǎn)綜研）與東京大學(xué)，聯(lián)合研制出了采用強電介質(zhì)柵極電場效應(yīng)晶體管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND閃存存儲單元。可擦寫1億次以上，寫入電壓為6V以下。而此前的NAND閃存存儲單元只能擦寫1萬次，且寫入電壓為20V。以往的NAND閃存只能微細(xì)化到30nm左右，而此次的存儲單元技術(shù)還可以支持將來的20nm和10nm工藝技術(shù)。   　　此次，通過調(diào)整p型Si底板溝道中所注入雜質(zhì)的條件，使NAND
  • 關(guān)鍵字： FeFET  NAND閃存  東京大學(xué)  產(chǎn)綜研  

產(chǎn)綜研分離金屬性與半導(dǎo)體性碳納米管

  • 　日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所日前提出了在單層碳納米管（SWCNT）中有選擇地分離金屬性SWCNT和半導(dǎo)體性SWCNT的方法。  　　首先在雙氧水中對金屬性SWCNT和半導(dǎo)體性SWCNT混合而成的市售SWCNT（金屬性SWCNT占1/3）進(jìn)行熱處理，利用半導(dǎo)體性SWCNT先于金屬性SWCNT發(fā)生氧化和燃料的原理，成功地將金屬性SWCNT的含量濃縮到了80％。金屬性SWCNT有望作為透明電極材料取代ITO（銦錫氧化物）。另外，由于有望能夠?qū)WCNT結(jié)構(gòu)進(jìn)行有選擇地控制，因此將來通過有選擇地提取半導(dǎo)體性
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體性  產(chǎn)綜研  金屬性  嵌入式系統(tǒng)  碳納米管  
共2條 1/1 1

產(chǎn)綜研介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條產(chǎn)綜研!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對產(chǎn)綜研的理解，并與今后在此搜索產(chǎn)綜研的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473