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產(chǎn)綜研聯(lián)合東京大學(xué)研制出采用強(qiáng)電介質(zhì)NAND閃存單元

  • 　　日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（產(chǎn)綜研）與東京大學(xué)，聯(lián)合研制出了采用強(qiáng)電介質(zhì)柵極電場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND閃存存儲(chǔ)單元?？刹翆?億次以上，寫入電壓為6V以下。而此前的NAND閃存存儲(chǔ)單元只能擦寫1萬次，且寫入電壓為20V。以往的NAND閃存只能微細(xì)化到30nm左右，而此次的存儲(chǔ)單元技術(shù)還可以支持將來的20nm和10nm工藝技術(shù)。   　　此次，通過調(diào)整p型Si底板溝道中所注入雜質(zhì)的條件，使NAND
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