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三星新儲存元件 讓中端手機也享大容量

  •   在Galaxy S6搭載最高128GB儲存容量后,三星似乎也計畫讓更多手機也能享有大容量,稍早宣布將推出以eMMC 5.0技術(shù)為基礎(chǔ),同時最高儲存容量達128GB的3-bits-per-cell NAND Flash儲存元件,并且對應(yīng)每秒達260MB讀取速度表現(xiàn),預(yù)期將使中階規(guī)格以下手機產(chǎn)品,以及多數(shù)存儲卡產(chǎn)品能在成本預(yù)算內(nèi)有更大儲存容量選擇。        根據(jù)三星公布消息,預(yù)計將推出以eMMC 5.0技術(shù)為基礎(chǔ),同時最高儲存容量達128GB的3-bit NAND Flash儲存
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儲存元件介紹

  存儲元件   計算機中主存儲器包括存儲體M,各種邏輯部件及控制電路等,存儲體由許多存儲單元組成,每個存儲單元又包含若干個存儲元件,每個存儲元件能寄存一位二進制代碼“0”或“1”,存儲元件又稱為存儲基元、存儲元。一個存儲單元存儲一串二進制代碼(存儲字),這串二進制代碼的位數(shù)稱為存儲字長,存儲字長可以是8位、16位、32位等,如果把一個存儲體看做是一幢大樓,存儲單元看做是大樓里的每個房間,那么每 [ 查看詳細 ]

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