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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 光刻

2012-2013年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)進(jìn)入壁壘分析

  • 　　1、技術(shù)壁壘 　　半導(dǎo)體分立器件的研發(fā)生產(chǎn)過(guò)程涉及量子力學(xué)、微電子、半導(dǎo)體物理、材料學(xué)等諸多學(xué)科，需要綜合掌握外延、微細(xì)加工、封裝等多領(lǐng)域技術(shù)工藝，并加以整合集成，屬于技術(shù)密集型行業(yè)。隨著下游電子產(chǎn)品的升級(jí)換代，電子產(chǎn)品呈現(xiàn)多功能化、低能耗、體積輕薄的發(fā)展趨勢(shì)，新產(chǎn)品、新應(yīng)用的不斷涌現(xiàn)，對(duì)半導(dǎo)體分立器件的制造封裝工藝等方面提出了更高的技術(shù)要求，同時(shí)半導(dǎo)體分立器件差別化應(yīng)用領(lǐng)域的快速拓展，光伏、智能電網(wǎng)、汽車電子、LED照明等跨領(lǐng)域的產(chǎn)品需求，對(duì)生產(chǎn)廠商專用半導(dǎo)體分立器件的配套設(shè)計(jì)能力也提出了更高的要
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SUSS MicroTec收購(gòu)Tamarack Scientific公司

  • 　　SUSS MicroTec，宣布收購(gòu)位于美國(guó)加州科羅娜的Tamarack Scientific公司。兩家公司已經(jīng)簽署相應(yīng)的收購(gòu)協(xié)議。協(xié)議約定，SUSS MicroTec以總價(jià)934萬(wàn)美元外加盈利能力，收購(gòu)100%的Tamarack公司股份，額外的盈利能力主要取決于Tamarack公司未來(lái)三個(gè)財(cái)年收入的增長(zhǎng)情況。 　　市場(chǎng)對(duì)更多功能和更高性能電子設(shè)備需求日益增長(zhǎng)，進(jìn)一步推動(dòng)對(duì)更高性能、更高復(fù)雜度半導(dǎo)體元件的需求。這種趨勢(shì)將在不久的將來(lái)顯現(xiàn)出來(lái)，促使半導(dǎo)體后道工藝采用創(chuàng)新技術(shù)。在過(guò)去兩年里，SUSS M
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可彎曲式光電技術(shù)大躍進(jìn)

  • 美國(guó)科學(xué)家通過(guò)納米模版光刻技術(shù)(nanostencillithography)在可彎曲式基板上制作出大范圍的納米圖案。這個(gè)...
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李長(zhǎng)春在吉林華微調(diào)研時(shí)稱模擬器件行業(yè)很有前途

  • 　　2011年8月26日，中共中央政治局常委李長(zhǎng)春來(lái)華微電子調(diào)研。18時(shí)45分，中共中央政治局常委李長(zhǎng)春一行來(lái)到華微電子六英寸新型功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線(即芯片四部)門前，在公司夏增文董事長(zhǎng)的陪同下參觀了該生產(chǎn)線。李長(zhǎng)春首先觀看了設(shè)置在該生產(chǎn)線一樓大廳內(nèi)的企業(yè)文化宣傳板，隨后深入生產(chǎn)車間，身穿白色的防塵服，先后參觀了擴(kuò)散工序、PVD區(qū)、光刻工序和中測(cè)工序，詳細(xì)了解了芯片制造工藝及流程、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、生產(chǎn)規(guī)模、市場(chǎng)前景及公司發(fā)展目標(biāo)等情況。 　
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2011韓國(guó)半導(dǎo)體光刻膠需求預(yù)計(jì)達(dá)2.58億美元

  • 　　在半導(dǎo)體制程中，曝光制程非常重要，因此作為其核心材料的光刻膠(Photoresist)占較大的生產(chǎn)成本，在技術(shù)與產(chǎn)業(yè)方面的重要性也非常高。根據(jù)DisplayBank統(tǒng)計(jì)，2011年用于韓國(guó)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的光刻膠量約為25萬(wàn)~30萬(wàn)加侖，產(chǎn)值約達(dá)3,000億韓元(約2.58億美元)的規(guī)模。 　　
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DRAM成本削減及節(jié)省步伐從2012年開(kāi)始將放緩

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場(chǎng)過(guò)渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開(kāi)始將放緩。
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MIT研究顯示電子束光刻可達(dá)9納米精度

  • 　　美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項(xiàng)研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項(xiàng)精度為25納米的結(jié)果，這一進(jìn)展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術(shù)展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)提供了動(dòng)力。盡管EUV光刻技術(shù)目前在商業(yè)化方面領(lǐng)先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術(shù)，但EUV光刻還面臨一些棘手的問(wèn)題，如強(qiáng)光源和光掩膜保護(hù)膜等，而采用電子束“光刻”則不會(huì)存在這些問(wèn)題。
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芯片制造三巨頭的次世代光刻技術(shù)戰(zhàn)略對(duì)比分析

  • 　　臺(tái)積電與Globalfoundries是一對(duì)芯片代工行業(yè)的死對(duì)頭，不過(guò)他們對(duì)付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方 面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(wù)(至少?gòu)膶?duì)外公布的路線圖上看是這樣)，而相比之下，臺(tái)積電的28nm制 程則有HKMG和傳統(tǒng)的多晶硅柵+SION絕緣層兩種工藝可供用戶選擇。另外，兩者對(duì)待450mm技術(shù)的態(tài)度也不相同，臺(tái)積電是450mm的積極推進(jìn)者， 而Globalfoundries及其IBM制造技術(shù)聯(lián)盟的伙伴們則對(duì)這項(xiàng)技術(shù)鮮有公開(kāi)表
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HamaTech接到幾十份MaskTrack Pro設(shè)備訂單

  • 　　SUSS MicroTec AG的全資子公司HamaTech APE GmbH & Co. KG近日宣布，已接到幾十份MaskTrack Pro設(shè)備訂單。MaskTrack Pro于2009年投產(chǎn)，是用于下一代光刻領(lǐng)域的完整掩膜流程平臺(tái)。 　　對(duì)于亞22nm 193nm浸沒(méi)式光刻、EUVL深紫外光刻、NIL接觸式納米壓印技術(shù)等先進(jìn)光刻工藝的掩膜版，MaskTrack Pro是目前已知唯一可以實(shí)現(xiàn)清洗、烘烤和顯影步驟的設(shè)備。MaskTrack Pro結(jié)合物理和化學(xué)清洗技術(shù)，能有效去除有機(jī)和無(wú)機(jī)
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ASML公布其Q3業(yè)績(jī)

  • 　　ASML公司于10月13日公布其未經(jīng)審計(jì)的Q3業(yè)績(jī)
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Sokudo早餐會(huì)上論光刻技術(shù)趨勢(shì)

  • 　　在SEMICON West舉行的Sokudo光刻論壇上對(duì)于實(shí)現(xiàn)22nm的各類光刻技術(shù)的進(jìn)展、挑戰(zhàn)與未來(lái)市場(chǎng)前景進(jìn)行了熱烈的討論。 　　作為193nm光刻技術(shù)的接替者，ASML仍是全球EUV(遠(yuǎn)紫外光光刻機(jī)) 技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商。該公司的首臺(tái)NXE3100機(jī)器將如期發(fā)貨，目前正在作最后的組裝及測(cè)試。盡管如此，由于EUV技術(shù)中目前能提供的光源功率及掩模缺陷仍是此類技術(shù)的主要挑戰(zhàn)。另外，為了達(dá)到工業(yè)使用指標(biāo)急需投入大筆資金。 　　Nikon指出它仍繼續(xù)采用兩次圖形曝光方法來(lái)延伸193nm高NA(數(shù)值孔徑)
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Global Foundries宣布2015年將在15nm制程節(jié)點(diǎn)正式啟用EUV光刻技術(shù)

  • 　　在最近召開(kāi)的SemiCon West產(chǎn)業(yè)會(huì)議上， Global Foundries 公司宣布他們將在15nm制程節(jié)點(diǎn)開(kāi)始啟用EUV極紫外光刻技術(shù)制造半導(dǎo)體芯片。 Global Foundries 公司負(fù)責(zé)制程技術(shù)研發(fā)的高級(jí)副總裁Greg Bartlett還表示，公司將在紐約Fab8工廠建成后馬上開(kāi)始在這家工廠部署EUV光刻設(shè)備，按之前 Global Foundries公布的計(jì)劃，這個(gè)時(shí)間點(diǎn)大概是在2012年下半年，與之巧合的是，光刻設(shè)備廠商ASML公司也將于這個(gè)時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始上市EUV光刻設(shè)備。 　　由
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美科學(xué)家設(shè)計(jì)出簡(jiǎn)便快速的納米電線制造方法

  • 　　美科學(xué)家設(shè)計(jì)出簡(jiǎn)便快速的納米電線制造方法，只需加熱即可將氧化石墨烯轉(zhuǎn)為導(dǎo)電物質(zhì) 　　據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)6月10日?qǐng)?bào)道，美國(guó)一聯(lián)合研究小組稱，他們?cè)诶檬┲圃旒{米電路領(lǐng)域獲得了突破：設(shè)計(jì)出了簡(jiǎn)便、快速的納米電線制造方法，能夠 調(diào)諧石墨烯的電學(xué)特征，使氧化石墨烯從絕緣物質(zhì)變成導(dǎo)電物質(zhì)。這被認(rèn)定為石墨烯電子學(xué)領(lǐng)域的一項(xiàng)重要發(fā)現(xiàn)，相關(guān)研究報(bào)告發(fā)表在6月11日出版的《科學(xué)》雜 志上。 　　納米電路的研究人員之所以對(duì)于石墨烯的研究頗具熱忱，是因?yàn)榕c硅相比，電子在石墨烯內(nèi)移動(dòng)時(shí)會(huì)受到更小的阻力，而硅晶體管
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SUSS MicroTec推出面向LED市場(chǎng)的專用光刻系統(tǒng)

  • 　　SUSS MicroTec，全球知名的半導(dǎo)體行業(yè)及相關(guān)設(shè)備和工藝解決方案供應(yīng)商，推出新一代MA100e光刻機(jī)，專用于高亮度發(fā)光二極管(HB-LEDs)生產(chǎn)。MA100e基于SUSS MicroTec光刻機(jī)經(jīng)典設(shè)計(jì)，具有最大至4英寸的載片能力，每小時(shí)產(chǎn)量可達(dá)145片，業(yè)界領(lǐng)先。 　　電視機(jī)、顯示器等對(duì)LED背光的需求急劇增長(zhǎng)，LED設(shè)備生產(chǎn)商必須盡力滿足這一市場(chǎng)增長(zhǎng)需要。LED行業(yè)對(duì)成本很敏感，所以SUSS MicroTec設(shè)計(jì)的MA100e Gen2自動(dòng)光刻機(jī)在成本控制方面極具競(jìng)爭(zhēng)力。設(shè)備配置的高照
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光刻介紹

光刻 　　利用照相復(fù)制與化學(xué)腐蝕相結(jié)合的技術(shù)，在工件表面制取精密、微細(xì)和復(fù)雜薄層圖形的化學(xué)加工方法。光刻原理雖然在19世紀(jì)初就為人們所知，但長(zhǎng)期以來(lái)由于缺乏優(yōu)良的光致抗蝕劑而未得到應(yīng)用。直到20世紀(jì)50年代，美國(guó)制成高分辨率和優(yōu)異抗蝕性能的柯達(dá)光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術(shù)才迅速發(fā)展起來(lái)，并開(kāi)始用在半導(dǎo)體工業(yè)方面。光刻是制造高級(jí)半導(dǎo)體器件和大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [ 查看詳細(xì) ]

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