半導體設備供應商Mapper Lithography BV公司日前獲得荷蘭經濟事務部名為SenterNoven的機構達1000萬歐元(合1470萬美元)的補貼。
Mapper公司將利用此筆資金開發(fā)試用版設備。公司表示目前正在設計一款無掩模光刻設備的開發(fā)。這款設備將含有超過10000道平行電子束，從而將會在晶圓上直接形成圖樣，降低普通光刻設備上由于采用掩模版而帶來的高昂成本。
Mapper將聯(lián)合股東各方Catena，Technolution，Multin Hittech，Demcon，Del
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Mapper 半導體設備 光刻
在全球金融危機影響下，由于市場的萎縮導致大部分企業(yè)都不甚景氣，向來紅火的半導體業(yè)也感覺壓力深重。在探討未來如何發(fā)展之中，發(fā)現(xiàn)各種矛盾叢生，似乎很難作出決斷。
投入多產出少，能持久嗎?
SanDisk CEO Eli Harari于近期闡述了自己對于NAND閃存技術未來發(fā)展的幾點看法，認為NAND閃存產業(yè)正處在十字路口，未來的產能需要和產品需求兩者之間脫節(jié)，也即每年投資巨大, 然而由于ASP下降導致銷售額沒有相應的增大，利潤越來越薄,目前糟糕的NAND閃存產業(yè)模式使得制造廠商對于建新廠已逐漸
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SanDisk NAND 光刻 模擬電路 存儲器
有消息稱，日本Canon計劃裁去步進式光刻部門的700名員工。
這些職位多數(shù)都在日本，其中一些員工將轉至Canon其他部門，據(jù)悉700名員工約占步進光刻部門的30%。
Canon是全球第三的步進光刻設備供應商，排在ASML和Nikon之后，市場份額約為11%。
市場研究公司Gartner預測，2009年步進光刻市場將是艱難的一年，市場銷售額預計將減少54%。
Canon預計2012年之前，步進光刻部門不會盈利。
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Canon 光刻
據(jù)報道，臺積電的光刻儀供應商Mapper公司已經將300mm光刻設備交貨日延期近三個月之久。Mapper的多束e-beam光刻儀原計劃于今年第一 季度裝備臺積電300mm工廠，不過由于技術上的原因Mapper公司拖延了交貨日期，此舉可能對臺積電的制程研發(fā)進度造成一定的影響。
臺積電CEO蔡力行曾稱臺積電已在與合作伙伴聯(lián)合開發(fā)22nm及更高規(guī)格制程用多束e-beam光刻技術(multiple electron-beam (e-beam) maskless lithography equip
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臺積電 光刻
按全球第一大光刻設備供應商ASML公司的預估，其Q1的銷售額將從08年Q4的4.94億歐元下降到1.84億歐元，而去年同期為9.19億歐元，下降達80%。
ASML預計Q2的銷售額在2.1-2.3億歐元間，因為受工藝制程的進一步縮小推動，產業(yè)可能會在今年下半年開始復蘇，訂單回歸到4.0-5.0億歐元。新的工藝制程會要求購買新的或者升級現(xiàn)有的設備。
如08年僅只有各領域的領先者在購買設備，主要集中在如閃存flash的45nm、DRAM的55nm及代工的45nm客戶。預計2009年會加速工藝制
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ASML 光刻 DRAM
由SEMI、ECS及中國高科技專家組共同舉辦的中國國際半導體技術研討會成功于3月19-20日在上海召開。諾貝爾物理學獎得主、IBM院士Georg Bednorz、Intel資深院士Robert Chau、IMEC CEO Gilbert Declerck、Praxair CTO Ray Roberge為大會作主題演講，為550名與會的國內外半導體產業(yè)界人士介紹國際最前沿的納米技術、微電子技術的發(fā)展趨勢。本次研討會的成功召開為提升中國半導體產業(yè)的技術水平，將國際最先進的技術與理念引進中國起到了積極的推動
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Intel 半導體 光刻 薄膜 CMP
賽斯純氣體有限公司作為一家氣體凈化技術設備的世界領導者和供應商日前在2009年國際半導體設備與材料展覽會上, 正式宣布引入微污染物檢驗服務和CollectTorr取樣系統(tǒng), 用于對在中國的光刻和測量設備提供檢驗。
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賽斯 測量 光刻
世界最大的光刻設備制造商阿斯麥（ＡＳＭＬ）18日宣布，由于全球經濟下滑，芯片制造設備需求銳減，該公司計劃在半年內裁員1000人，占全球員工總數(shù)10％以上。
總部位于荷蘭南部城市費爾德霍芬的阿斯麥公司當天發(fā)布聲明說，裁員計劃主要涉及總部和美國的部分生產廠，此外美國的一個培訓中心將關閉。裁減對象將主要為臨時工。
阿斯麥總裁埃里克·穆里斯說，受半導體產品需求下降、存儲器價格低迷和客戶資金周轉困難的三重夾擊，近一段時間國際市場光刻設備需求銳減，“其跌速和跌幅前所未有&rd
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光刻
對于極紫外（EUV）光刻技術而言，掩膜版相關的一系列問題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問題最為關鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線具有極強的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預處理和清洗會議上，針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問題和挑戰(zhàn)，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內部討論，并在會上向與會的同仁報告了在這一領域Intel和Dai Nippon Printin
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光刻 EUV 掩膜 CMOS
全球材料、應用技術及服務綜合供應商美國道康寧公司電子部（Dow Corning Electronics）的硅晶片光刻解決方案事業(yè)部今日宣布正式開始供應Dow Corning® XR-1541電子束光刻膠，該產品是專為實現(xiàn)下一代、直寫光刻工藝技術開發(fā)所設計。這一新型先進的旋涂式光刻膠產品系列是以電子束（electron beam）取代傳統(tǒng)光源產生微影圖案，可提供圖形定義小至6納米的無掩模光刻技術能力。
可用于各種高純度、半導體等級配方的XR-1541電子束光刻膠，是由甲基異丁基酮(meth
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道康寧 硅晶片 光刻
光刻介紹
光刻 利用照相復制與化學腐蝕相結合的技術，在工件表面制取精密、微細和復雜薄層圖形的化學加工方法。光刻原理雖然在19世紀初就為人們所知，但長期以來由于缺乏優(yōu)良的光致抗蝕劑而未得到應用。直到20世紀50年代，美國制成高分辨率和優(yōu)異抗蝕性能的柯達光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術才迅速發(fā)展起來，并開始用在半導體工業(yè)方面。光刻是制造高級半導體器件和大規(guī)模集成電路的關鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [
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