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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 臺(tái)積電

臺(tái)積電張忠謀預(yù)計(jì)第四季度營(yíng)收將現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)

  • 　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀預(yù)計(jì)，第四季度公司營(yíng)收將較第三季度出現(xiàn)增長(zhǎng)。 　　據(jù)臺(tái)灣《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，芯片設(shè)計(jì)商高通和Nvidia近期造訪了臺(tái)積電等合約制造商，報(bào)道未署名消息來(lái)源。 　　張忠謀的預(yù)期好于市場(chǎng)預(yù)期水平。市場(chǎng)此前預(yù)計(jì)，臺(tái)積電第四季度營(yíng)收或?qū)⑾禄s10%，至新臺(tái)幣810億元(約合25億美元)。今年7月底，臺(tái)積電預(yù)計(jì)第三季度營(yíng)收在新臺(tái)幣880億元-900億元(約合27.16億-27.78億美元)間，主要受芯片需求回升和全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇提振。 　　臺(tái)積電今年使用了更為先進(jìn)高效的技術(shù)，提高
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臺(tái)積電40納米良率偏低 傳給予客戶代工折扣

  • 　　原先預(yù)期繪圖晶片雙雄40納米大戰(zhàn)將會(huì)在2009年第2季正式開(kāi)打，其中超微(AMD)所推出ATI Radeon HD 4770備受市場(chǎng)關(guān)注，稍后NVIDIA也會(huì)跟進(jìn)發(fā)布40納米產(chǎn)品，但出乎預(yù)料的是，由于臺(tái)積電40納米制程良率偏低，傳出僅達(dá)2成左右，令超微受傷遭受重創(chuàng)。 　　超微5月初準(zhǔn)備大舉登場(chǎng)的ATI Radeon HD 4770繪圖芯片，首度導(dǎo)入臺(tái)積電40納米制程，由于功耗降低、效能提升，備受市場(chǎng)期待，然在6月時(shí)因?qū)嶋H出貨量相當(dāng)稀少，僅少數(shù)一線業(yè)者有貨可賣(mài)，使得超微錯(cuò)失逆轉(zhuǎn)契機(jī)，外界開(kāi)始質(zhì)疑40納
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臺(tái)代工廠面臨危機(jī) 積極跨足面板

  • 　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道媒體普遍關(guān)注林百里和郭臺(tái)銘之間的友情與競(jìng)爭(zhēng)，但是此事件真正凸顯的，其實(shí)是臺(tái)灣代工產(chǎn)業(yè)面臨危機(jī)，已經(jīng)到了非轉(zhuǎn)型不可的關(guān)頭。 　　臺(tái)灣的代工產(chǎn)業(yè)面臨轉(zhuǎn)型危機(jī)，早已經(jīng)不是新鮮的話題。從股價(jià)走勢(shì)觀察，幾家科技代工大廠鴻海、廣達(dá)、華碩、仁寶等，股價(jià)都不如前幾年風(fēng)光，由此可以看出代工產(chǎn)業(yè)利潤(rùn)已大不如從前，如果不適時(shí)轉(zhuǎn)型，獲利能力將會(huì)愈來(lái)愈不理想，企業(yè)發(fā)展將遇到很大困難。 　　代工產(chǎn)業(yè)積極跨足面板 　　不只代工廠如此，連身為晶圓代工龍頭的臺(tái)積電，近年來(lái)也著手進(jìn)行轉(zhuǎn)型，開(kāi)始切入太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)。任何企業(yè)
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臺(tái)積電擬并購(gòu)高亮度LED最大廠LUMILED

  • 　　臺(tái)積電跨足綠能產(chǎn)業(yè)滿半年，LED業(yè)界傳出，臺(tái)積電正與全球高亮度藍(lán)光LED最大廠LUMILED公司洽談并購(gòu)事宜，藉由切入終端應(yīng)用以達(dá)2018年20億美元的目標(biāo)。 　　臺(tái)積電對(duì)此傳聞不予置評(píng)。但此一傳聞在創(chuàng)投界已傳了三年，礙于價(jià)格問(wèn)題，以及臺(tái)積電尚未確定跨足LED，始終未拍板。 　　LUMILED大股東是PHILIP跟惠普，去年因?yàn)榻鹑诤[造成虧損，菲力普有意出售這個(gè)不賺錢(qián)的部門(mén)。此外不同于其它LED業(yè)者在海外設(shè)立代工廠商、降低成本，LUMIED相對(duì)成本較高，不利競(jìng)爭(zhēng)。 　　業(yè)者指出，PHILIP早
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臺(tái)積電洽購(gòu)飛利浦子公司

  • 　　臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》周二援引未具名行業(yè)消息人士的話稱(chēng)，芯片代工龍頭臺(tái)積電正在就收購(gòu)飛利浦電子旗下子公司飛利浦流明(Philips Lumileds Lighting Co.)一事進(jìn)行洽談，此舉旨在增強(qiáng)臺(tái)積電發(fā)光二極管(LED)業(yè)務(wù)。 　　報(bào)導(dǎo)稱(chēng)，臺(tái)積電拒絕就此事置評(píng)。
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臺(tái)積電張忠謀重任CEO近百日：投行上調(diào)目標(biāo)價(jià)

  • 　　9月19日，將是臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀重任CEO的第100天，在這100天內(nèi)，他已經(jīng)給了市場(chǎng)投資人一個(gè)大禮，而四大投行摩根大通夏鮑文、美林證券何浩銘、花旗陸行之及高盛呂東風(fēng)，也都跟著調(diào)高臺(tái)積電的目標(biāo)股價(jià)。 　　根據(jù)臺(tái)積電公布的最新財(cái)報(bào)，第三季合并營(yíng)收約九百億新臺(tái)幣，環(huán)比增長(zhǎng)21%;第三季毛利率約為48%，大幅優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期。今年資本支出預(yù)估也由年初的15億美元上修至23億美元，對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的復(fù)蘇速度也比先前預(yù)期的更快，預(yù)估2011年產(chǎn)值即可恢復(fù)到2008年水準(zhǔn)。 　　張忠謀一口氣調(diào)高全球半導(dǎo)體產(chǎn)值、電子
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臺(tái)積電四季度將增加40/45nm制程300mm晶圓的產(chǎn)能

  • 　　據(jù)Digitimes報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電公司計(jì)劃未來(lái)數(shù)月內(nèi)對(duì)40/45nm制程 300mm晶圓產(chǎn)品進(jìn)行增產(chǎn)。盡管此前預(yù)計(jì)的四季度芯片銷(xiāo)量有可能會(huì)下降3%左右，但臺(tái)積電依然決定將40/45nm制程 300mm晶圓產(chǎn)品的產(chǎn)能提升1/3.按他們的計(jì)劃，在今年剩下的四個(gè)月中臺(tái)積電的45/40nm 300mm晶圓平均月產(chǎn)量將達(dá)4萬(wàn)片，而今年三季度的平均月產(chǎn)量則只有3萬(wàn)片。 　　今年三季度臺(tái)積電只用上了93%的產(chǎn)能進(jìn)行制造，而在剩下的幾個(gè)月內(nèi)他們的300mm產(chǎn)線顯然要開(kāi)足馬力進(jìn)行生產(chǎn)了。
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臺(tái)積電2009年-八月?tīng)I(yíng)收?qǐng)?bào)告

  • 　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司今(10)日公布2009年八月?tīng)I(yíng)收?qǐng)?bào)告，就非合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面，營(yíng)收約為新臺(tái)幣288億8,800萬(wàn)元，較今年七月減少了4.6%，較去年同期減少了6.8%。累計(jì)2009年一至八月?tīng)I(yíng)收約為新臺(tái)幣1,687億2,200萬(wàn)元，較去年同期減少了27.5%。 　　就合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面，2009年八月?tīng)I(yíng)收約為新臺(tái)幣298億2,700萬(wàn)元，較今年七月減少了4.3%，較去年同期減少了6.4%。累計(jì)2009年一至八月?tīng)I(yíng)收約為新臺(tái)幣1,747億1,200萬(wàn)元，較去年同期減少了27.0%。
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40nm工藝帶來(lái)全新競(jìng)爭(zhēng)力

  • 　　全球能源問(wèn)題的集中爆發(fā)，讓半導(dǎo)體產(chǎn)品的發(fā)展不再僅僅追求性能的提升，而是要綜合考慮性能、功耗與成本的平衡點(diǎn)。與眾多先進(jìn)電源管理方案實(shí)現(xiàn)降低系統(tǒng)功耗相比，制程工藝的進(jìn)步才是提升性能和降低功耗最根本的辦法，轉(zhuǎn)向更高制程無(wú)疑是提升半導(dǎo)體產(chǎn)品性能功耗比和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力最直接有效的辦法。 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner Dataquest產(chǎn)業(yè)分析師Kay-Yang Tan表示，過(guò)去數(shù)十年來(lái)，集成器件制造商(IDM)在工藝技術(shù)及服務(wù)的創(chuàng)新方面扮演領(lǐng)航者的角色，未來(lái)也將繼續(xù)在新一代產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)上扮演重要的角色。同時(shí)，專(zhuān)業(yè)
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臺(tái)積電打入CPU代工市場(chǎng) 獲Sun高端處理器訂單

  • 　　經(jīng)過(guò)一年半的合作，臺(tái)積電終于拿下首顆高階服務(wù)器處理器代工訂單，正式進(jìn)入CPU代工市場(chǎng)!美國(guó)Sun Microsystems最近在美國(guó)Hot Chips大會(huì)中，發(fā)表新款16核心Rainbow Falls系統(tǒng)處理器，該款處理器主要委由臺(tái)積電40納米制程代工，明年可望順利量產(chǎn)投片，成為臺(tái)積電明年?duì)I收成長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿?lái)源之一。 　　臺(tái)積電與Sun在去年2月底宣布合作，Sun將把先前的服務(wù)器用UltraSPARC處理器，委由臺(tái)積電以45/40納米代工，未來(lái)世代的處理器也將交由臺(tái)積電生產(chǎn)。另外，臺(tái)積電也與Sun合
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2012年晶圓代工將增長(zhǎng)22% 3倍于產(chǎn)業(yè)均速

  • 　　據(jù)外電報(bào)道，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇腳步加快，野村半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師徐袆成表示，配合IDM擴(kuò)大委外釋單，全球晶圓代工從今年到2012年的營(yíng)收年復(fù)合增長(zhǎng)將大升22%，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)速度的3倍，更將是半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中最賺錢(qián)的產(chǎn)業(yè)。 　　臺(tái)積電和聯(lián)電在SOI技術(shù)與先進(jìn)制程等占優(yōu)勢(shì)，是這一波IDM擴(kuò)大委外釋單的主要受惠者。 　　明年第二季度起，各產(chǎn)品線都會(huì)開(kāi)始賺錢(qián)，且獲利增長(zhǎng)力度將延續(xù)到2012年。
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亞太晶圓代工廠2009年下半扮演資本支出復(fù)蘇推手

  • 　　SEMI World Fab Forecast最新出爐報(bào)告，2009年前段半導(dǎo)體業(yè)者設(shè)備支出下滑，其中第1季的資本支出便較2008年第4季下滑26%至32億美元。然而，資本支出在2009年第2季便已呈現(xiàn)落底，目前在整個(gè)產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈也已經(jīng)看到穩(wěn)定回升的訊號(hào)，其中晶圓代工廠2009年下半年扮演資本支出復(fù)蘇推手，存儲(chǔ)器晶圓廠、后段封測(cè)則跟進(jìn)。 　　晶圓代工廠臺(tái)積電宣布，增加2009年資本支出回復(fù)到2008年19億美元的水平，比起原本的預(yù)測(cè)提高了26%左右。隨后，臺(tái)積電第2季的投資法人說(shuō)明會(huì)上，臺(tái)積電又進(jìn)一步
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臺(tái)積電28納米明年1Q試產(chǎn)　迎擊IBM陣營(yíng)

  • 　　臺(tái)積電28納米制程再邁大步，預(yù)計(jì)最快2010年第1季底進(jìn)入試產(chǎn)，2011年明顯貢獻(xiàn)營(yíng)收，臺(tái)積電可望在28納米世代迎接中央處理器(CPU)代工訂單，目前28納米制程技術(shù)最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，仍是來(lái)自IBM陣營(yíng)的Global Foundries與新加坡特許(Chartered)，雙方競(jìng)爭(zhēng)更趨激烈。 　　臺(tái)積電表示，已將低耗電制程納入28納米高介電層/金屬閘(HKMG)制程技術(shù)藍(lán)圖，預(yù)計(jì)2010年第3季進(jìn)行試產(chǎn)，至于28納米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)則分別于2010年第1季底、第2季底進(jìn)入試產(chǎn)
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臺(tái)積電將低功耗高k金屬柵工藝納入28納米技術(shù)藍(lán)圖

  • 　　臺(tái)積電24日宣布已將低耗電工藝納入28納米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)工藝的技術(shù)藍(lán)圖，預(yù)計(jì)于2010年第三季進(jìn)行試產(chǎn)(Risk Production)。 　　臺(tái)積電自2008年九月發(fā)表28納米技術(shù)以來(lái)，技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)入量產(chǎn)的時(shí)程皆按預(yù)期計(jì)劃進(jìn)行。就試產(chǎn)時(shí)程順序而言，低耗電氮氧化硅(簡(jiǎn)稱(chēng)28LP)工藝預(yù)計(jì)于2010年第一季底進(jìn)行試產(chǎn)，高效能高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱(chēng)28HP)工藝則預(yù)計(jì)于2010年第二季底開(kāi)始試產(chǎn)，而低耗電高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱(chēng)28HPL)工藝的試產(chǎn)時(shí)程
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臺(tái)積電28納米SRAM良率突破

  • 　　臺(tái)積電24日宣布率業(yè)界之先，不但達(dá)成28納米64Mb SRAM試產(chǎn)良率，而且分別在28納米高效能高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱(chēng)28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱(chēng)28HPL)與低耗電氮氧化硅(簡(jiǎn)稱(chēng)28LP)等28納米全系列工藝驗(yàn)證均完成相同的良率。 　　臺(tái)積電研究發(fā)展副總經(jīng)理孫元成博士表示：“所有三種28納米系列工藝皆已由64Mb SRAM芯片完成良率驗(yàn)證，是一項(xiàng)傲人的成就。更值得一提的是，此項(xiàng)成果亦展現(xiàn)我們兩項(xiàng)高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate)工藝采用gate-last
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臺(tái)積電介紹

　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor) 　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文 　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡(jiǎn)介 　　臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立，是全球第一家的專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專(zhuān)業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]

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