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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 垂直堆棧金屬接點(diǎn)

imec展示單片式CFET功能組件 成功垂直堆棧金屬接點(diǎn)

  • 于本周舉行的2024年IEEE國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)（VLSI Symposium）上，比利時(shí)微電子研究中心（imec）首次展示了具備電性功能的CMOS互補(bǔ)式場(chǎng)效晶體管（CFET）組件，該組件包含采用垂直堆棧技術(shù)形成的底層與頂層源極／汲極金屬接點(diǎn)（contact）。雖然此次研究的成果都在晶圓正面進(jìn)行接點(diǎn)圖形化，不過(guò)imec也展示了改從晶圓背面處理接點(diǎn)圖形的可行性—這能大幅提升頂層組件的存活率，將其從11%提升到79%。 CMOS互補(bǔ)式場(chǎng)效晶體管（CFET）組件搭配中間介電層（MDI）以及
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垂直堆棧金屬接點(diǎn)介紹

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