存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

IMEC向Samsung提供嵌入式SRAM可制造設(shè)計(jì)工具

　　近日IMEC成功地將靜態(tài)存儲(chǔ)器分析工具M(jìn)emoryVAM轉(zhuǎn)交給Samsung。該工具可預(yù)估深亞微米IC技術(shù)中因工藝不穩(wěn)定而造成的SRAM成品率損失。　　該工具同時(shí)還幫助存儲(chǔ)器和系統(tǒng)設(shè)計(jì)者估算由于周期時(shí)間、存取時(shí)間和功耗等工藝因素變化而造成的成品率降低
關(guān)鍵字： IMEC 存儲(chǔ)器 IC

三星開始DDR3存儲(chǔ)器量產(chǎn)

　　為了配合英特爾不久前剛宣布的Xeon 5500系列處理器的需求問題，三星電子準(zhǔn)備開始50納米的DDR3量產(chǎn)。　　DDR3是第3代的同步雙速率存儲(chǔ)器。三星及業(yè)界都相信今年底將成為全球存儲(chǔ)器的主流技術(shù)。但也有些分析師，包括Needham的Edwin Mok認(rèn)為DDR3今年可能不會(huì)有實(shí)質(zhì)性的太多進(jìn)展。　　三星表示DDR3能使設(shè)計(jì)servers的OEM與DDR2相比較，每個(gè)系統(tǒng)提升到192Gb，并在功能提高一倍時(shí)功耗降低60%(速度提高到每秒133Mb時(shí))。　　未來Xeon 5500處理器結(jié)合DD
關(guān)鍵字：三星 DDR3 存儲(chǔ)器

SanDisk專利保護(hù)網(wǎng)支離破碎　NAND Flash帝國(guó)傾倒

　　SanDisk與全球25家NAND Flash相關(guān)業(yè)者的侵權(quán)官司纏訟1年多，日前終于確定SanDisk敗訴，讓內(nèi)存模塊廠和控制芯片業(yè)者大大松了一口氣!存儲(chǔ)器廠商認(rèn)為，臺(tái)灣模塊廠在NAND Flash領(lǐng)域默默耕耘多年，把NAND Flash市場(chǎng)大餅越作越大，但最后SanDisk卻撒下專利天羅地網(wǎng)，想把大家一網(wǎng)打盡，所幸最后官司結(jié)果，沒有讓SanDisk坐享其成!惟SanDisk 2008年起在閃存本業(yè)上虧損連連，與三星電子(Samsung Electronics)的收購計(jì)劃，又鬧的不可開交，這次專利官司
關(guān)鍵字： SanDisk 芯片存儲(chǔ)器

閃速存儲(chǔ)器硬件接口和程序設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)

閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于辦公設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。利用其信息非易失性和可以在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)特性，可將其作為具有一定靈活性的只
關(guān)鍵字：關(guān)鍵技術(shù) 程序設(shè)計(jì) 接口硬件存儲(chǔ)器閃速存儲(chǔ)器閃存接口 CF 單片機(jī)

爾必達(dá)與臺(tái)灣TMC考慮交叉持股以加強(qiáng)合作關(guān)系

　　日本個(gè)人電腦(PC)存儲(chǔ)器廠商爾必達(dá)記憶體和臺(tái)灣記憶體公司(TMC)正在考慮交叉持股，鞏固他們新近達(dá)成的合作關(guān)系，此舉提振爾必達(dá)和臺(tái)灣同業(yè)股價(jià)連續(xù)第二天上揚(yáng)。　　周三，TMC選中爾必達(dá)作為其技術(shù)合作夥伴。爾必達(dá)周四表示可能允許TMC持其10%左右的股份，并購入TMC股份，TMC是臺(tái)灣官方為拯救記憶體晶片(存儲(chǔ)器芯片)產(chǎn)業(yè)而成立的新公司。　　過去一年的大部分時(shí)間，由于供應(yīng)過剩和需求遲滯引發(fā)全球形勢(shì)低迷，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)廠商一直為虧損所困擾。爾必達(dá)和臺(tái)灣企業(yè)試圖通過合作，更好地與行業(yè)
關(guān)鍵字：爾必達(dá) DRAM 存儲(chǔ)器

Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器在E5中的應(yīng)用

1． E5的特點(diǎn)及體系結(jié)構(gòu)
E5是位于美國(guó)硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU，它是基于8051的內(nèi)核，但將微處理器的內(nèi)核，ASCI及可重構(gòu)邏輯陣列集成與一體，構(gòu)成一款CSOC（可配置系統(tǒng)）芯片。Triscend E5的主要特點(diǎn)
關(guān)鍵字： E5 應(yīng)用存儲(chǔ)器數(shù)據(jù) Memory 作為 Flash Triscend E5 閃存映射

FSI國(guó)際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲(chǔ)器制造

　　美國(guó)明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國(guó)際有限公司(納斯達(dá)克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR?全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估?？蛻?/li>
關(guān)鍵字： FSI NAND 存儲(chǔ)器

由外部總線訪問MPC5554的內(nèi)部存儲(chǔ)器

由外部總線訪問MPC5554的內(nèi)部存儲(chǔ)器,本文所述的基于MPC5554和FPGA的測(cè)試系統(tǒng)已調(diào)試完成，MPC5554內(nèi)部的Flash存儲(chǔ)器可以通過EBI模塊由外部的FPGA進(jìn)行讀寫。與外掛的存儲(chǔ)器相比，通信讀／寫速度和系統(tǒng)的可靠性都大大提高。在實(shí)際應(yīng)用中，其他處理器也可以像文中的FPGA一樣模擬總線時(shí)序。當(dāng)應(yīng)用中不需要數(shù)據(jù)傳輸時(shí)，也可將連接配置為普通I／0以作他用，硬件配置靈活。
關(guān)鍵字：內(nèi)部存儲(chǔ)器 MPC5554 訪問總線外部轉(zhuǎn)換器

爾必達(dá)躍升為瑞晶大股東有助其加入TMC

　　力晶與爾必達(dá)(Elpida)針對(duì)旗下轉(zhuǎn)投資的DRAM廠瑞晶電子正式完成股權(quán)轉(zhuǎn)移，力晶16日確定出售7.9251萬張的瑞晶股票給爾必達(dá)，每股價(jià)格為新臺(tái)幣11.17元，總交易金額為8.85億元，爾必達(dá)順勢(shì)成為瑞晶的最大股東，也是臺(tái)灣第1家日資DRAM廠，存儲(chǔ)器業(yè)者認(rèn)為，此舉將有利爾必達(dá)加入TMC公司，旗下瑞晶順利擠入TMC的生產(chǎn)制造基地之一，目前瑞晶在中科的12寸晶圓廠R1單月產(chǎn)能約8萬片，未來可望成為TMC公司的生產(chǎn)平臺(tái)。
關(guān)鍵字： Elpida DRAM 存儲(chǔ)器

半導(dǎo)體巨頭業(yè)績(jī)滑坡存儲(chǔ)器市場(chǎng)有望率先復(fù)蘇

　　全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)低迷，今年上半年很難走出低谷。不過，DRAM價(jià)格開始反彈，總算為全行業(yè)的復(fù)蘇帶來一點(diǎn)好消息。　　在過去的一個(gè)月中，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)幾乎聽不到什么好消息。在中國(guó)的農(nóng)歷新年前夕，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)頭羊英特爾公司宣布關(guān)閉5家工廠；隨即，歐洲D(zhuǎn)RAM大廠奇夢(mèng)達(dá)申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)；日前，另一家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)巨頭德州儀器也傳出了全球工廠將停產(chǎn)三周的消息。2008年第四季度低迷的行情已經(jīng)重創(chuàng)了半導(dǎo)體企業(yè)的信心，至少在今年上半年，這種低迷的行情仍然難以好轉(zhuǎn)。　　業(yè)績(jī)滑坡尚未見底　　盡管業(yè)界早已降低了
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM

半導(dǎo)體巨頭業(yè)績(jī)滑坡存儲(chǔ)器市場(chǎng)有望率先復(fù)蘇

據(jù)中國(guó)電子報(bào)報(bào)道，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)低迷，今年上半年很難走出低谷。不過，DRAM價(jià)格開始反彈，總算為全行業(yè)的復(fù)蘇帶來一點(diǎn)好消息。在過去的一個(gè)月中，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)幾乎聽不到什么好消息。在中國(guó)的農(nóng)歷新年前夕，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)頭羊英特爾公司宣布關(guān)閉5家工廠；隨即，歐洲D(zhuǎn)RAM大廠奇夢(mèng)達(dá)申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)；日前，另一家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)巨頭德州儀器也傳
關(guān)鍵字： DRAM 晶圓存儲(chǔ)器 IP Wi-Fi

基于單片機(jī)自動(dòng)巡線輪式機(jī)器人控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)

1 引言　　輪式移動(dòng)機(jī)器人是機(jī)器人研究領(lǐng)域的一項(xiàng)重要內(nèi)容．它集機(jī)械、電子、檢測(cè)技術(shù)與智能控制于一體。在 ...
關(guān)鍵字：控制系統(tǒng) 復(fù)雜可編程邏輯器件存儲(chǔ)器光電檢測(cè) 脈沖寬度調(diào)制

存儲(chǔ)器可能領(lǐng)先復(fù)蘇嗎？

　　據(jù)iSuppli最新報(bào)道，全球存儲(chǔ)器將從09年開始有一輪新的上升周期，而從2012年始又將呈下降走勢(shì)（如下圖所示）；其中，09年全球存儲(chǔ)器銷售額仍將下降4％，為242億美元，這已經(jīng)是連續(xù)下跌的第三年。08年下降20％，達(dá)到252億美元；07年為315億美元，下降7％；而在06年，全球存儲(chǔ)器達(dá)到了338億美元的高峰。　　受金融風(fēng)暴影響，在過去兩年中全球存儲(chǔ)器前八大制造商已累積總虧損達(dá)80億美元，至09年底時(shí)虧損將擴(kuò)大到110億美元。金融危機(jī)加速存儲(chǔ)器業(yè)復(fù)蘇　　金融危機(jī)是把雙
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM

石墨烯存儲(chǔ)器問世比閃存存儲(chǔ)單元密度更高

Rice大學(xué)研究人員正在著手研究一類存儲(chǔ)單元密度至少為閃存兩倍的石墨烯片狀存儲(chǔ)器。石墨烯（Graphene...
關(guān)鍵字： Graphene 石墨烯存儲(chǔ)器

臺(tái)灣政府考慮為存儲(chǔ)芯片公司紓困

　　亞洲其它地區(qū)和美國(guó)的分析師及業(yè)內(nèi)主管警告稱，臺(tái)灣政府對(duì)存儲(chǔ)芯片公司的紓困，可能只會(huì)使該行業(yè)有史以來最糟糕的衰退之一延長(zhǎng)。　　臺(tái)灣動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dram)合同制造商去年的收入為80億美元，占全球總量的約三分之一。Dram是電腦中使用的存儲(chǔ)芯片。　　這使它們成為全球IT業(yè)受經(jīng)濟(jì)下滑打擊最嚴(yán)重一環(huán)的中心。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli表示，今年，全球Dram業(yè)的收入減少了五分之一，而且Dram現(xiàn)在的市場(chǎng)價(jià)格處于歷史低點(diǎn)，僅為生產(chǎn)成本的三分之一。　　為了不讓雇傭人數(shù)上萬、銀行貸款達(dá)12
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器

共1627條 64/109 |‹ « 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 » ›|

存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]