存儲器文章進入存儲器技術(shù)社區(qū)

微控制器靈活的外設(shè)可提高設(shè)計的經(jīng)濟性和能源效率

嵌入式控制應(yīng)用的快速增長，對當(dāng)今的微控制器提出了極為苛刻的要求。由于大量的數(shù)字/模擬輸入信號的復(fù)雜控制算法都必須在一個界定的較短響應(yīng)時間內(nèi)進行處理，而且生成適當(dāng)?shù)妮敵鲂盘枴Ｇ度胧娇刂茟?yīng)用對于電路板空間、功耗和整體系統(tǒng)成本往往也提出了苛刻的要求。因此，微控制器除需要提供足夠的CPU和DSP性能外，還要求高度系統(tǒng)集成，從而避免擴展額外的外設(shè)。此外，它還能提供系統(tǒng)安全機制和降低器件功耗的特性。　　支持電機控制設(shè)計的捕獲/比較單元　　 CCU6是一個高分辨率的16位捕獲/比較單元，采用特定應(yīng)用模式，
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Ramtron在V系列品線中增添串行512-Kb F-RAM

　　全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出全新F-RAM系列產(chǎn)品中的第二款串行器件FM25V05，提供高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串行外設(shè)接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8腳SOIC封裝，特點包括快速訪問、無延遲 (NoDelay™) 寫入、1E14讀/寫次數(shù)和低功耗。FM25V05是工業(yè)控制、儀表、醫(yī)
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終端需求無力 DRAM合約價再重挫

　　據(jù)Digitimes網(wǎng)站報道，終端需求持續(xù)疲弱，11月上旬DRAM合約價再跌10%，DRAM市場沒有任何止跌跡象，而現(xiàn)貨價跌勢亦讓合約價無法止跌回穩(wěn)，不少DRAM大廠為消化庫存，不斷以低價方式銷售DRAM模塊，讓市場價格陷入凍結(jié)，即使多家DRAM廠宣布要減產(chǎn)救市，但目前對于DRAM價格仍沒有太大激勵性。　　受全球金融海嘯沖擊，2008年下半電子產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)旺季失靈，DRAM價格也在旺季中出現(xiàn)重挫，不僅最新出爐的11月上旬DRAM合約價再跌10%之多，1Gb容量DDR2價格僅剩下1.19美元，下半
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遭遇金融風(fēng)暴窮途并非末路

　　來工業(yè)界的領(lǐng)袖們幾乎一致的采用“困難”、“不可預(yù)測”、“差”或者“有限的可見度”來描繪目前工業(yè)的現(xiàn)狀、前景的不確定性以及未來可能面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。　　此次金融風(fēng)暴危害有多深？　　由美國次貸危機引發(fā)的金融風(fēng)暴，已經(jīng)從美國蔓延至全球。從9月15日美國雷曼銀行倒閉到如今的1個半月中，全球股市總計蒸發(fā)了10萬億美元。不少國家出現(xiàn)財政危機，如冰島政府向IMF求20億美元的緊急貸款。預(yù)計未來匈牙利、羅
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臺灣存儲器之夢破碎

　　臺灣地區(qū)取得全球晶圓代工第一、封裝第一及IC設(shè)計第二（僅次于美國）如此驕人的成績，并沒有　沾沾自喜，相反總是在努力尋找差距，并確立追趕目標(biāo)，這一點非常難能可貴。例如在臺灣島內(nèi)自2004年開始，就半導(dǎo)體及平板顯示業(yè)展開大討論，以南韓為目標(biāo)尋找差距?？谔柺?ldquo;為什么韓國能，臺灣不能？” 　　通過分析與比較，臺灣在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的目標(biāo)是：1) 總產(chǎn)值要超過韓國，成為繼美國，日本之后的全球第三位；2) 在未來三至五年中，存儲器業(yè)要超過韓國，成為全球第一。
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2009年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將動蕩不安

　　受美國金融危機的影響，市場調(diào)研機構(gòu)紛紛調(diào)整對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前景的預(yù)期。　　半導(dǎo)體設(shè)備市場正在發(fā)生變化，8月SEMI發(fā)布樂觀的2009年資本支出預(yù)測后，日前調(diào)降了市場預(yù)期，并稱諸多芯片制造商處于突然其來的“恐慌狀態(tài)”。8月的報告中，SEMI預(yù)測2008年晶圓廠設(shè)備支出減少20％，而2009年將反彈20％。對于2008年的預(yù)測沒有變化。但對于2009年，SEMI分析師ChristianGregorDieseldorff表示，預(yù)計半導(dǎo)體資本支出增幅在-10％至5％之間。許多芯片制
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DDR2器件HY5PS121621BFP在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

　　引言　　DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JED-EC開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)相比，雖然采用時鐘的上升／下降沿同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有2倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即：4 bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取)。即就是，DDR2內(nèi)存每時鐘能以4倍的外部總線速度讀／寫數(shù)據(jù),并且能以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。　　此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝,而不是目前DDR廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝,FB
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“華爾街”的消失與半導(dǎo)體的資金鏈條

提到“華爾街”，這個詞現(xiàn)在所包含的意義其實已經(jīng)遠遠超過了紐約市內(nèi)那條短短的WALL Street，因為對于世界經(jīng)濟來說，華爾街儼然世界經(jīng)濟的心臟，華爾街模式的存在成為保持經(jīng)濟活力的源泉。其實，華爾街模式并不神秘，說得簡單點，所謂“華爾街”模式不過是金融運作的高級手段，之所以充滿活力是因為其本身幾乎就是空手套白狼。然而，空手不是永遠安全，總有被狼咬上一口的時候，隨著最近次貸危機中眾多獨立投行的危機，華爾街特有的商業(yè)投資模式正式被美國財政部叫停。　　&ldq
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Ramtron推出1兆位串行F-RAM存儲器

　　Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款產(chǎn)品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外設(shè)接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8腳SOIC封裝，其特點是快速訪問、無延遲(NoDelay?) 寫入、1E14讀/寫次數(shù)和低功耗。FM25V10是工業(yè)控制、計量、醫(yī)療、汽車、軍事、游戲及計算機等應(yīng)用領(lǐng)域1Mb串行閃存和串行EEPRO
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市場驚現(xiàn)大批無芯片閃存三星成最大受害者

　　近期黑心NAND閃存大量流竄到市面上，多數(shù)仿造三星產(chǎn)品，三星電子成最大受害者。　　網(wǎng)易科技訊 9月16日消息，全球存儲器市場不景氣，而偽劣商品卻大行其道，過去市面上曾出現(xiàn)黑心記憶卡，但近期在市場卻首次出現(xiàn)黑心NAND Flash，大批已封裝晶圓顆粒經(jīng)拆封后，竟發(fā)現(xiàn)里面連芯片都沒有，且已整批流竄到市面上，其中，以三星電子(Samsung Electronics)品牌NAND Flash為被仿冒大宗，算是最大受害者。業(yè)內(nèi)人士表示，假的NAND Flash產(chǎn)品都是整批以低價交易，嚴(yán)重破壞NAND
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富通微電與南亞簽署協(xié)議了結(jié)芯片專利糾紛

　　據(jù)道瓊斯通訊社報道，南通富士通微電子股份有限公司（Nantong Fujitsu Microelectronics Co.，簡稱：富通微電）和南亞科技（Nanya Technology Corp.，）周二表示，雙方簽署了一份專利許可協(xié)議，以解決雙方圍繞動態(tài)隨機存儲器（Dynamic Random Access Memory， DRAM芯片）的專利糾紛。　　兩公司發(fā)表聯(lián)合公告表示，根據(jù)協(xié)議，南通富士通微電子股份有限公司母公司富士通（Fujitsu Ltd.，）將撤回要求法院禁止南亞科技DRAM
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2009年70多個晶圓廠項目將促進設(shè)備支出超20％的反彈

　　根據(jù)SEMI近期發(fā)布的World Fab Forecast報告，報告顯示2008年半導(dǎo)體設(shè)備支出將減少20％，而2009年將獲得超過20％的反彈，主要受全球70多個晶圓廠項目的帶動。該報告的2008年8月版列出了53個晶圓廠組建項目，2009年還有21個晶圓廠建設(shè)項目。　　2008年，300mm晶圓廠項目占了晶圓廠設(shè)備支出的90％，約69％的支出用于65nm及以下節(jié)點技術(shù)。2008年全年晶圓廠總產(chǎn)能預(yù)計相當(dāng)于1600萬片200mm晶圓，年增長率僅9％，2007年增長率達16％。2009年，總產(chǎn)能預(yù)
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TI推出具有MCU存儲器收發(fā)器以及USB 控制器的2.4-GHz 片上系統(tǒng)

　　CC2511x（CC2510x 產(chǎn)品系列的姐妹產(chǎn)品）具有全速 USB 控制器。CC2511x 器件分為 3 個版本（8/16/32kB 快閃存儲器和1/2/4kB RAM 存儲器），除了支持強制端點 0 外，其還可支持 5 個 USB 端點。DMA 控制器可用于在主存儲器和沒有 MCU 干擾的 USB 控制器之間進行數(shù)據(jù)傳輸。由于 2.4-GHz 收發(fā)器可支持高達 500kSPS 的數(shù)據(jù)速率，因此，對于USB 適配器（無線耳機、鍵盤、鼠標(biāo)、Presenter）以及需要與 USB 連接以進行固件升級的其
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基于FPGA的空間存儲器的糾錯系統(tǒng)

　　1、引言　　阿爾法磁譜儀(Alpha Magnetic Spectrometer，AMS)實驗室是丁肇中博士領(lǐng)導(dǎo)的由美、俄、德、法、中等16個國家和地區(qū)共300多名科學(xué)家參加的大型國際合作項目。它是國際空間站上唯一大型物理實驗，是人類第一次在太空中精密地測量高能量帶電原子核粒子的實驗。其目的是為尋找反物質(zhì)所組成的宇宙和暗物質(zhì)的來源以及測量宇宙線的來源。　　但是對于AMS實驗的空間電子系統(tǒng)，同樣會受到高能粒子的襲擊，導(dǎo)致存儲器的內(nèi)容發(fā)生變化，改寫半導(dǎo)體存儲器件的邏輯狀態(tài)，導(dǎo)致存儲單元在邏輯&ls
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TI推出新一代 3A DDR 端接穩(wěn)壓器

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款可滿足 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各種低功耗存儲器終端電源管理要求的汲極／源極雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 TPS51200。該簡便易用的新型穩(wěn)壓器的陶瓷輸出電容僅為 20 μF，比同類競爭解決方案的電容降低了近 80%。這樣，設(shè)計人員可利用該器件實現(xiàn)更低成本、更小型化的 DDR 存儲器終端解決方案，以滿足數(shù)字電視、機頂盒、VGA 卡、電信、數(shù)據(jù)通信、筆記本以及臺式機電腦等現(xiàn)代大容量存儲器電子產(chǎn)品以及日益豐富的消費類電子產(chǎn)品的需求。
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]