存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

微控制器靈活的外設(shè)可提高設(shè)計(jì)的經(jīng)濟(jì)性和能源效率

嵌入式控制應(yīng)用的快速增長(zhǎng)，對(duì)當(dāng)今的微控制器提出了極為苛刻的要求。由于大量的數(shù)字/模擬輸入信號(hào)的復(fù)雜控制算法都必須在一個(gè)界定的較短響應(yīng)時(shí)間內(nèi)進(jìn)行處理，而且生成適當(dāng)?shù)妮敵鲂盘?hào)。嵌入式控制應(yīng)用對(duì)于電路板空間、功耗和整體系統(tǒng)成本往往也提出了苛刻的要求。因此，微控制器除需要提供足夠的CPU和DSP性能外，還要求高度系統(tǒng)集成，從而避免擴(kuò)展額外的外設(shè)。此外，它還能提供系統(tǒng)安全機(jī)制和降低器件功耗的特性。　　支持電機(jī)控制設(shè)計(jì)的捕獲/比較單元　　 CCU6是一個(gè)高分辨率的16位捕獲/比較單元，采用特定應(yīng)用模式，
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Ramtron在V系列品線(xiàn)中增添串行512-Kb F-RAM

　　全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出全新F-RAM系列產(chǎn)品中的第二款串行器件FM25V05，提供高速讀/寫(xiě)性能、低電壓工作和可選器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串行外設(shè)接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8腳SOIC封裝，特點(diǎn)包括快速訪(fǎng)問(wèn)、無(wú)延遲 (NoDelay™) 寫(xiě)入、1E14讀/寫(xiě)次數(shù)和低功耗。FM25V05是工業(yè)控制、儀表、醫(yī)
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終端需求無(wú)力 DRAM合約價(jià)再重挫

　　據(jù)Digitimes網(wǎng)站報(bào)道，終端需求持續(xù)疲弱，11月上旬DRAM合約價(jià)再跌10%，DRAM市場(chǎng)沒(méi)有任何止跌跡象，而現(xiàn)貨價(jià)跌勢(shì)亦讓合約價(jià)無(wú)法止跌回穩(wěn)，不少DRAM大廠(chǎng)為消化庫(kù)存，不斷以低價(jià)方式銷(xiāo)售DRAM模塊，讓市場(chǎng)價(jià)格陷入凍結(jié)，即使多家DRAM廠(chǎng)宣布要減產(chǎn)救市，但目前對(duì)于DRAM價(jià)格仍沒(méi)有太大激勵(lì)性。　　受全球金融海嘯沖擊，2008年下半電子產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)旺季失靈，DRAM價(jià)格也在旺季中出現(xiàn)重挫，不僅最新出爐的11月上旬DRAM合約價(jià)再跌10%之多，1Gb容量DDR2價(jià)格僅剩下1.19美元，下半
關(guān)鍵字： DRAM 存儲(chǔ)器金融海嘯

遭遇金融風(fēng)暴窮途并非末路

　　來(lái)工業(yè)界的領(lǐng)袖們幾乎一致的采用“困難”、“不可預(yù)測(cè)”、“差”或者“有限的可見(jiàn)度”來(lái)描繪目前工業(yè)的現(xiàn)狀、前景的不確定性以及未來(lái)可能面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。　　此次金融風(fēng)暴危害有多深？　　由美國(guó)次貸危機(jī)引發(fā)的金融風(fēng)暴，已經(jīng)從美國(guó)蔓延至全球。從9月15日美國(guó)雷曼銀行倒閉到如今的1個(gè)半月中，全球股市總計(jì)蒸發(fā)了10萬(wàn)億美元。不少?lài)?guó)家出現(xiàn)財(cái)政危機(jī)，如冰島政府向IMF求20億美元的緊急貸款。預(yù)計(jì)未來(lái)匈牙利、羅
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體硅片存儲(chǔ)器金融危機(jī)

臺(tái)灣存儲(chǔ)器之夢(mèng)破碎

　　臺(tái)灣地區(qū)取得全球晶圓代工第一、封裝第一及IC設(shè)計(jì)第二（僅次于美國(guó)）如此驕人的成績(jī)，并沒(méi)有　沾沾自喜，相反總是在努力尋找差距，并確立追趕目標(biāo)，這一點(diǎn)非常難能可貴。例如在臺(tái)灣島內(nèi)自2004年開(kāi)始，就半導(dǎo)體及平板顯示業(yè)展開(kāi)大討論，以南韓為目標(biāo)尋找差距?？谔?hào)是“為什么韓國(guó)能，臺(tái)灣不能？” 　　通過(guò)分析與比較，臺(tái)灣在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的目標(biāo)是：1) 總產(chǎn)值要超過(guò)韓國(guó)，成為繼美國(guó)，日本之后的全球第三位；2) 在未來(lái)三至五年中，存儲(chǔ)器業(yè)要超過(guò)韓國(guó)，成為全球第一。
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2009年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將動(dòng)蕩不安

　　受美國(guó)金融危機(jī)的影響，市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)紛紛調(diào)整對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前景的預(yù)期。　　半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)正在發(fā)生變化，8月SEMI發(fā)布樂(lè)觀(guān)的2009年資本支出預(yù)測(cè)后，日前調(diào)降了市場(chǎng)預(yù)期，并稱(chēng)諸多芯片制造商處于突然其來(lái)的“恐慌狀態(tài)”。8月的報(bào)告中，SEMI預(yù)測(cè)2008年晶圓廠(chǎng)設(shè)備支出減少20％，而2009年將反彈20％。對(duì)于2008年的預(yù)測(cè)沒(méi)有變化。但對(duì)于2009年，SEMI分析師ChristianGregorDieseldorff表示，預(yù)計(jì)半導(dǎo)體資本支出增幅在-10％至5％之間。許多芯片制
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DDR2器件HY5PS121621BFP在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

　　引言　　DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JED-EC開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)相比，雖然采用時(shí)鐘的上升／下降沿同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有2倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即：4 bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取)。即就是，DDR2內(nèi)存每時(shí)鐘能以4倍的外部總線(xiàn)速度讀／寫(xiě)數(shù)據(jù),并且能以?xún)?nèi)部控制總線(xiàn)4倍的速度運(yùn)行。　　此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝,而不是目前DDR廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝,FB
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“華爾街”的消失與半導(dǎo)體的資金鏈條

提到“華爾街”，這個(gè)詞現(xiàn)在所包含的意義其實(shí)已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了紐約市內(nèi)那條短短的WALL Street，因?yàn)閷?duì)于世界經(jīng)濟(jì)來(lái)說(shuō)，華爾街儼然世界經(jīng)濟(jì)的心臟，華爾街模式的存在成為保持經(jīng)濟(jì)活力的源泉。其實(shí)，華爾街模式并不神秘，說(shuō)得簡(jiǎn)單點(diǎn)，所謂“華爾街”模式不過(guò)是金融運(yùn)作的高級(jí)手段，之所以充滿(mǎn)活力是因?yàn)槠浔旧韼缀蹙褪强帐痔装桌?。然而，空手不是永遠(yuǎn)安全，總有被狼咬上一口的時(shí)候，隨著最近次貸危機(jī)中眾多獨(dú)立投行的危機(jī)，華爾街特有的商業(yè)投資模式正式被美國(guó)財(cái)政部叫停。　　&ldq
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體華爾街金融投資銀行私募基金芯片存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)

Ramtron推出1兆位串行F-RAM存儲(chǔ)器

　　Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款產(chǎn)品，具有高速讀/寫(xiě)性能、低電壓工作和可選器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外設(shè)接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8腳SOIC封裝，其特點(diǎn)是快速訪(fǎng)問(wèn)、無(wú)延遲(NoDelay?) 寫(xiě)入、1E14讀/寫(xiě)次數(shù)和低功耗。FM25V10是工業(yè)控制、計(jì)量、醫(yī)療、汽車(chē)、軍事、游戲及計(jì)算機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域1Mb串行閃存和串行EEPRO
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市場(chǎng)驚現(xiàn)大批無(wú)芯片閃存三星成最大受害者

　　近期黑心NAND閃存大量流竄到市面上，多數(shù)仿造三星產(chǎn)品，三星電子成最大受害者。　　網(wǎng)易科技訊 9月16日消息，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)不景氣，而偽劣商品卻大行其道，過(guò)去市面上曾出現(xiàn)黑心記憶卡，但近期在市場(chǎng)卻首次出現(xiàn)黑心NAND Flash，大批已封裝晶圓顆粒經(jīng)拆封后，竟發(fā)現(xiàn)里面連芯片都沒(méi)有，且已整批流竄到市面上，其中，以三星電子(Samsung Electronics)品牌NAND Flash為被仿冒大宗，算是最大受害者。業(yè)內(nèi)人士表示，假的NAND Flash產(chǎn)品都是整批以低價(jià)交易，嚴(yán)重破壞NAND
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富通微電與南亞簽署協(xié)議了結(jié)芯片專(zhuān)利糾紛

　　據(jù)道瓊斯通訊社報(bào)道，南通富士通微電子股份有限公司（Nantong Fujitsu Microelectronics Co.，簡(jiǎn)稱(chēng)：富通微電）和南亞科技（Nanya Technology Corp.，）周二表示，雙方簽署了一份專(zhuān)利許可協(xié)議，以解決雙方圍繞動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory， DRAM芯片）的專(zhuān)利糾紛。　　兩公司發(fā)表聯(lián)合公告表示，根據(jù)協(xié)議，南通富士通微電子股份有限公司母公司富士通（Fujitsu Ltd.，）將撤回要求法院禁止南亞科技DRAM
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2009年70多個(gè)晶圓廠(chǎng)項(xiàng)目將促進(jìn)設(shè)備支出超20％的反彈

　　根據(jù)SEMI近期發(fā)布的World Fab Forecast報(bào)告，報(bào)告顯示2008年半導(dǎo)體設(shè)備支出將減少20％，而2009年將獲得超過(guò)20％的反彈，主要受全球70多個(gè)晶圓廠(chǎng)項(xiàng)目的帶動(dòng)。該報(bào)告的2008年8月版列出了53個(gè)晶圓廠(chǎng)組建項(xiàng)目，2009年還有21個(gè)晶圓廠(chǎng)建設(shè)項(xiàng)目。　　2008年，300mm晶圓廠(chǎng)項(xiàng)目占了晶圓廠(chǎng)設(shè)備支出的90％，約69％的支出用于65nm及以下節(jié)點(diǎn)技術(shù)。2008年全年晶圓廠(chǎng)總產(chǎn)能預(yù)計(jì)相當(dāng)于1600萬(wàn)片200mm晶圓，年增長(zhǎng)率僅9％，2007年增長(zhǎng)率達(dá)16％。2009年，總產(chǎn)能預(yù)
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TI推出具有MCU存儲(chǔ)器收發(fā)器以及USB 控制器的2.4-GHz 片上系統(tǒng)

　　CC2511x（CC2510x 產(chǎn)品系列的姐妹產(chǎn)品）具有全速 USB 控制器。CC2511x 器件分為 3 個(gè)版本（8/16/32kB 快閃存儲(chǔ)器和1/2/4kB RAM 存儲(chǔ)器），除了支持強(qiáng)制端點(diǎn) 0 外，其還可支持 5 個(gè) USB 端點(diǎn)。DMA 控制器可用于在主存儲(chǔ)器和沒(méi)有 MCU 干擾的 USB 控制器之間進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。由于 2.4-GHz 收發(fā)器可支持高達(dá) 500kSPS 的數(shù)據(jù)速率，因此，對(duì)于USB 適配器（無(wú)線(xiàn)耳機(jī)、鍵盤(pán)、鼠標(biāo)、Presenter）以及需要與 USB 連接以進(jìn)行固件升級(jí)的其
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基于FPGA的空間存儲(chǔ)器的糾錯(cuò)系統(tǒng)

　　1、引言　　阿爾法磁譜儀(Alpha Magnetic Spectrometer，AMS)實(shí)驗(yàn)室是丁肇中博士領(lǐng)導(dǎo)的由美、俄、德、法、中等16個(gè)國(guó)家和地區(qū)共300多名科學(xué)家參加的大型國(guó)際合作項(xiàng)目。它是國(guó)際空間站上唯一大型物理實(shí)驗(yàn)，是人類(lèi)第一次在太空中精密地測(cè)量高能量帶電原子核粒子的實(shí)驗(yàn)。其目的是為尋找反物質(zhì)所組成的宇宙和暗物質(zhì)的來(lái)源以及測(cè)量宇宙線(xiàn)的來(lái)源。　　但是對(duì)于A(yíng)MS實(shí)驗(yàn)的空間電子系統(tǒng)，同樣會(huì)受到高能粒子的襲擊，導(dǎo)致存儲(chǔ)器的內(nèi)容發(fā)生變化，改寫(xiě)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的邏輯狀態(tài)，導(dǎo)致存儲(chǔ)單元在邏輯&ls
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TI推出新一代 3A DDR 端接穩(wěn)壓器

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款可滿(mǎn)足 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各種低功耗存儲(chǔ)器終端電源管理要求的汲極／源極雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 TPS51200。該簡(jiǎn)便易用的新型穩(wěn)壓器的陶瓷輸出電容僅為 20 μF，比同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)解決方案的電容降低了近 80%。這樣，設(shè)計(jì)人員可利用該器件實(shí)現(xiàn)更低成本、更小型化的 DDR 存儲(chǔ)器終端解決方案，以滿(mǎn)足數(shù)字電視、機(jī)頂盒、VGA 卡、電信、數(shù)據(jù)通信、筆記本以及臺(tái)式機(jī)電腦等現(xiàn)代大容量存儲(chǔ)器電子產(chǎn)品以及日益豐富的消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的需求。
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]