存儲器文章進入存儲器技術(shù)社區(qū)

兆易創(chuàng)新朱一明談中國存儲器發(fā)展之策：軟實力與硬實力并舉

現(xiàn)在中國存儲產(chǎn)業(yè)的整體力量與任何一家國際存儲巨頭相比仍然要弱小很多。在此之際，中國存儲器產(chǎn)業(yè)更應(yīng)小心謹慎，避免過度張揚。
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中美貿(mào)易對決后，給通訊產(chǎn)業(yè)留下了什么？

中美貿(mào)易戰(zhàn)陰云消散了，帶走了什么?
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美光：存儲器一路好到2021年

　　存儲器大廠美光(Micron)昨(22)日在美國召開分析師大會，美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra表示，存儲器市場已出現(xiàn)典范轉(zhuǎn)型，以智能型手機為中心的行動時代(mobile era)，逐步轉(zhuǎn)進人工智能(AI)等的數(shù)據(jù)經(jīng)濟時代(data economy era)。數(shù)據(jù)經(jīng)濟需要搭載大量DRAM及NAND Flash協(xié)助運算，存儲器市場可望一路好到2021年。　　Sanjay Mehrotra表示，2000～2007年是PC及網(wǎng)際網(wǎng)路的時代，每年創(chuàng)造出的存儲器(包括DRAM、NAND/NOR Flas
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6英寸半導體石墨烯片一期項目啟動地勘

　　21日，在晉江石墨烯產(chǎn)業(yè)園，6英寸半導體石墨烯片一期項目啟動地勘，預示著該項目正式落地建設(shè)。據(jù)了解，項目總投資110億元。其中，一期項目投資22.4億元，用地約153畝，計劃2020年基本建成投產(chǎn)。項目投產(chǎn)后可有效填補國內(nèi)產(chǎn)業(yè)空白，帶動產(chǎn)業(yè)鏈上下游項目集群發(fā)展?！　≌嫉?94畝的晉華存儲器項目建設(shè)有序推進，下半年芯片環(huán)節(jié)有望迎來全面投產(chǎn)。以晉華為龍頭項目的集成電路產(chǎn)業(yè)，將為晉江未來發(fā)展帶來“芯”動力，把晉江引入“芯”時代?！　】偼顿Y105億元，占地約600畝，主要建設(shè)具研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的HDT高
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韓國存儲器產(chǎn)業(yè)銷售額將在2020年減少78億美元

　　當前，不論DRAM還是NAND Flash等存儲器，中國市場基本上100%依賴進口，這使得產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此，現(xiàn)階段在政府的支持下，除了紫光集團旗下的長江存儲已經(jīng)在武漢建設(shè)NAND Flash工廠，預計2018年下半年量產(chǎn)之外，其他包括安徽合肥、福建晉江也有團隊在進行DRAM研發(fā)，這使得未來幾年，中國生產(chǎn)存儲就會逐漸進入市場。　　對此，韓國企業(yè)也開始關(guān)注中國競爭對手的加入。韓國預測，在2022年時會因為中國競爭的影響，韓國企業(yè)將減少78億美元的存儲器的銷售金額。　　根據(jù)韓國媒體《et
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韓、臺存儲器廠商瘋狂加碼DRAM產(chǎn)業(yè) 搶占最后的紅利期

　　長期以來，我國的NAND閃存芯片和DRAM內(nèi)存芯片的需求幾乎全部靠進口來解決，市場長期被三星、SK海力士以及美光等存儲器巨頭所壟斷。　　以全球存儲芯片市場前兩位的三星和SK海力士為例。數(shù)據(jù)顯示，三星的全球內(nèi)存市場占有率為46%，閃存市場占有率為39%。SK海力士的全球內(nèi)存市場占有率為29%，閃存市場占有率為15%。僅這兩家企業(yè)，就占據(jù)了全球75%的內(nèi)存市場以及閃存市場的半壁江山。如果再加上美光的市場份額，這三家企業(yè)的全球內(nèi)存市場份額之和達到了95%。　　毫無疑問，現(xiàn)在存儲市場話語權(quán)仍被這幾
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韓國兩半導體巨頭秀成績單，全靠存儲器業(yè)務(wù)

　　韓聯(lián)社報道，韓國兩大半導體巨頭三星電子和SK海力士今年第一季度業(yè)績喜人，有望促半導體產(chǎn)業(yè)今年再次成為韓國出口領(lǐng)頭羊。　　SK海力士24日發(fā)布公告，2018年首季公司銷售額為8.7197萬億韓元(約合人民幣511億元)，營業(yè)利潤為4.3673萬億韓元，同比分別增長38.6%和77.0%。三星電子將于26日發(fā)布最終核實的今年首季各事業(yè)部門業(yè)績，據(jù)推測，半導體部門銷售額有望達21.1萬億韓元，營業(yè)利潤達11萬億韓元。兩大企業(yè)今年首季半導體部門銷售額之和約為30萬億韓元，營業(yè)利潤約為15萬億韓元。　　
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讓半導體排行榜洗牌的存儲器，2017年的市場表現(xiàn)到底如何？

2017年存儲器部門景氣大好，讓其他同樣強勁成長的類別相形失色。
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這款國產(chǎn)存儲器芯片，速度將是現(xiàn)在的1000倍

　　據(jù)報道，華中科技大學光電學院副院長繆向水及其團隊正在研制一款基于相變存儲器的3D XPOINT存儲技術(shù)。他估計，在這項技術(shù)基礎(chǔ)上研發(fā)的芯片，其讀寫速度會比現(xiàn)在快1000倍，可靠性也將提高1000倍。　　　　　　“芯片是信息社會的糧食，其中存儲器芯片是應(yīng)用最廣泛的，市場最大的芯片，所有的電子產(chǎn)品，包括手機、相機、電腦都離不開它。當前，我國每年進口額高達2600億美元，其中的四分之一是存儲器，95%的存儲器芯片依靠進口。”繆向水指
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Gartner：2017年全球半導體收入增長21.6%，突破4000億美元大關(guān)

　　全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner最新統(tǒng)計結(jié)果顯示，得益于存儲器市場的強勁增長，2017年全球半導體收入共計4204億美元，較2016年的3459億美元上漲了21.6%?！　artner研究總監(jiān)George Brocklehurst表示：“2017年半導體產(chǎn)業(yè)締造了兩大里程碑。一個是收入突破4000億美元大關(guān)。另一個是穩(wěn)坐全球半導體頭把交椅25年的英特爾(Intel)被三星電子超越。這兩大里程碑的締造都要歸功于存儲器市場的快速增長，供貨不足導致了DRAM和NAND閃存的價格上漲
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美光：存儲器產(chǎn)業(yè)門檻高大陸廠商短期內(nèi)難追趕

　　中國大陸積極發(fā)展存儲器，并向美商美光大舉挖角，美光全球制造資深副總裁艾倫(Wayne Allan)昨(24)日表示，發(fā)展存儲器的門檻難度高，美光擁有40年制造經(jīng)驗與豐富知識產(chǎn)權(quán)(IP)，以及優(yōu)秀人才，不是大陸短期內(nèi)就能趕上。　　有關(guān)中美貿(mào)易戰(zhàn)升高，艾倫強調(diào)，正密切關(guān)注事件發(fā)展，會多方考量及評估風險，但目前還看不出有負面影響。大陸表態(tài)將重視保護知識產(chǎn)權(quán)，美光樂見其成，但至今仍未考慮技術(shù)授權(quán)給大陸廠商的計劃。　　他指出，發(fā)展存儲器有許多門檻，進入非常困難，有專利、IP等問題，大陸競爭者短期間不易追
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我國首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)

　　位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺11日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白。　　目前，我國通用存儲器基本全部依賴進口，國家存儲器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團隊歷時2年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進入全球存儲芯片第
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存儲器/嵌入式存儲器的市場機會　

美光科技嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部市場副總裁Kris Baxter在2018年“慕尼黑上海電子展”期間，介紹了美光及多家行業(yè)分析師對存儲器尤其是嵌入式存儲器市場的預測，重點是DRAM和NAND在汽車和工業(yè)領(lǐng)域的趨勢。
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存儲器需求迎來“超級周期” 國產(chǎn)化進程加快

　　隨著數(shù)據(jù)大集中、數(shù)據(jù)挖掘、商業(yè)智能、協(xié)同作業(yè)等技術(shù)的成熟，數(shù)據(jù)價值呈指數(shù)上升。在此背景下，無論是國家經(jīng)濟運轉(zhuǎn)還是百姓日常生活，都和數(shù)據(jù)息息相關(guān)，必然導致存儲(包括數(shù)據(jù)存儲、數(shù)據(jù)保護和容災(zāi)等領(lǐng)域)需求的持續(xù)快速增長，使得存儲行業(yè)成為信息產(chǎn)業(yè)中最具持續(xù)成長性的領(lǐng)域之一。　　2017年Q4全球存儲市場增長13.7% 　　根據(jù)IDC全球企業(yè)存儲系統(tǒng)季度追蹤報告顯示，2017年第四季度全球企業(yè)存儲系統(tǒng)工廠收入同比增長13.7%，達到136億美元，總出貨量達到了89.2EB，同比增長39.3%。ODM營收繼
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智能手機、筆記型電腦等如何選擇快閃存儲器？

　　從智能手機、筆記型電腦、以及與各種云端應(yīng)用相關(guān)的服務(wù)器，快閃存儲器儲存已經(jīng)在我們的現(xiàn)實世界中無處不在?？扉W存儲器技術(shù)已經(jīng)如此普遍，我們大多數(shù)人甚至都沒有意識到快閃存儲器技術(shù)本質(zhì)上并不是一種可靠的儲存媒介。實際上，快閃存儲器單元的使用壽命有限，快閃存儲器的特性意味著需要強大的磨損平衡(Wear-Leveling)技術(shù)以便使其有更好的性能表現(xiàn)。　　業(yè)界的好消息是，現(xiàn)代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進步，能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]