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存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器 文章 進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)
東芝存儲(chǔ)器契約重點(diǎn) 滿(mǎn)足3條件方出售
- 日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),東芝存儲(chǔ)器(TMC)出售案的重要部分為外界所知,必須滿(mǎn)足3個(gè)條件才能出售:1,通過(guò)10個(gè)主要國(guó)家地區(qū)的反壟斷法審查;2,與西部數(shù)據(jù)(WD)的仲裁案及官司中,沒(méi)有禁止出售命令;3,日本政府認(rèn)為交易不影響國(guó)家安全。 在反壟斷法審查方面,需通過(guò)審查的國(guó)家有:巴西、大陸、歐盟、日本、韓國(guó)、墨西哥、菲律賓、臺(tái)灣、土耳其、美國(guó)。目前重點(diǎn)在通常耗時(shí)超過(guò)6個(gè)月的大陸審查,因參與此案的SK海力士(SK Hynix)與東芝是同業(yè),故契約設(shè)定10年內(nèi)SK海力士取得東芝存儲(chǔ)器普通股
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國(guó)家存儲(chǔ)器基地一號(hào)廠(chǎng)房提前封頂 2018年將投入使用
- 總投資240億美元的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(一期)的一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠(chǎng)房9月28日實(shí)現(xiàn)提前封頂,預(yù)計(jì)2018年投入使用。全面建成后,該項(xiàng)目年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。 國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來(lái)科技城,一期工程于2016年12月30日正式開(kāi)工建設(shè),規(guī)劃3座全球單座潔凈面積最大的廠(chǎng)房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑,其核心生產(chǎn)廠(chǎng)房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過(guò)3萬(wàn)美元。 國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目是新中國(guó)成立以來(lái)湖北省單體投資最大的高科技產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目,項(xiàng)目一期達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)能30萬(wàn)片
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分析師:三星存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)創(chuàng)紀(jì)錄,有望推高Q3利潤(rùn)
- 據(jù)路透社北京時(shí)間10月10日消息,分析師預(yù)計(jì),三星存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)利潤(rùn)將在第三季度創(chuàng)下紀(jì)錄,這一數(shù)據(jù)意味著三星電子的利潤(rùn)再創(chuàng)新高。受此消息提振,三星股價(jià)周二在韓國(guó)股市開(kāi)盤(pán)后大漲4.5%。 據(jù)分析師預(yù)計(jì),三星電子第三季度利潤(rùn)為14.3萬(wàn)億韓元(約合126億美元),再次創(chuàng)下新高。今年第二季度三星電子的單個(gè)季度的凈利潤(rùn)首次超過(guò)蘋(píng)果公司。公告顯示,三星電子2017年4-6月?tīng)I(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的14.07萬(wàn)億韓元(約126.44億美元),同比增長(zhǎng)72.9%;凈利潤(rùn)11.05萬(wàn)億韓元,刷新歷史紀(jì)錄。 外媒
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紫光存儲(chǔ)器基地一號(hào)廠(chǎng)房提前封頂:2018年投入使用
- 這段時(shí)間內(nèi)存、固態(tài)硬盤(pán)、顯卡價(jià)格的波動(dòng)讓眾多用戶(hù)傷心不已,就其根源還是核心芯片掌握在極少數(shù)廠(chǎng)家手中,供貨多少都是人家說(shuō)了算,所以咱們也必須有話(huà)語(yǔ)權(quán)。 據(jù)報(bào)道,世界級(jí)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(一期)一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠(chǎng)房今天在武漢提前封頂,建筑總面積52.4萬(wàn)平方米。 作為國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略部署,國(guó)家存儲(chǔ)器基地是新中國(guó)成立以來(lái),湖北最大的單體投資項(xiàng)目,將為我國(guó)打破主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域國(guó)際壟斷提供硬支撐。 基地由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)
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國(guó)家存儲(chǔ)器基地一期提前封頂 年產(chǎn)值可達(dá)100億美元
- 9月28日消息,由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(一期)一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠(chǎng)房,實(shí)現(xiàn)提前封頂。 趙偉國(guó)表示,存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目是中國(guó)集成電路存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破,相當(dāng)于中國(guó)科技領(lǐng)域的遼寧號(hào)航空母艦出海試航。該項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)提前封頂,這是為不辱使命、堅(jiān)定不移推進(jìn)國(guó)家戰(zhàn)略所必須要做到的??陀^地說(shuō),我們?cè)诤诵募夹g(shù)和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上仍然與世界一流水平存在差距,實(shí)現(xiàn)追趕超越的目標(biāo)絕非一朝一夕,需要堅(jiān)定的戰(zhàn)略定力和
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超低功耗CBRAM存儲(chǔ)器技術(shù) 或能加速I(mǎi)oT應(yīng)用發(fā)展
- 屬于非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的快閃存儲(chǔ)器(flash memory)過(guò)去在智能手機(jī)、平板電腦等市場(chǎng)需求的帶動(dòng)下,快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)快速成長(zhǎng),然隨著快閃存儲(chǔ)器技術(shù)逐漸瀕臨尺寸與性能極限,各式新存儲(chǔ)器技術(shù)陸續(xù)浮上臺(tái)面,導(dǎo)電橋式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(conductive- bridging RAM;CBRAM)就是相當(dāng)被看好的接班技術(shù)之一。 The Daily Reckoning網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),過(guò)去幾10年來(lái),半導(dǎo)體技術(shù)的重大進(jìn)展多是來(lái)自于微縮,然隨著每次的微縮,快閃存儲(chǔ)器都會(huì)變得更不可靠,且這種以電荷儲(chǔ)存為基礎(chǔ)的存儲(chǔ)器技術(shù)也
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收購(gòu)東芝存儲(chǔ)器的貝恩財(cái)團(tuán)有哪些成員?
- 東芝出售內(nèi)存事業(yè)股權(quán)花落美國(guó)私募股權(quán)基金貝恩資本陣營(yíng),群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成21日表示,該公司也會(huì)參與這次股權(quán)投資。群聯(lián)雖然所占股權(quán)比率不多,但雙方親上加親,代表臺(tái)廠(chǎng)在這項(xiàng)全球矚目的內(nèi)存事業(yè)投資,仍占有一席之地。 群聯(lián)是NAND Flash控制芯片暨模塊廠(chǎng),東芝原本即是其最大單一股東,持股比重近10%,雙方共生共榮,被視為是魚(yú)幫水、水幫魚(yú)的伙伴關(guān)系。 當(dāng)市場(chǎng)缺貨時(shí),東芝給予群聯(lián)最大程度貨源奧援,當(dāng)市況較為低緩時(shí),群聯(lián)也支持東芝,在淡季時(shí)先吃下大量貨源,供后續(xù)旺季使用。 業(yè)界認(rèn)為,在東芝本身
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存儲(chǔ)器大廠(chǎng)美光在臺(tái)投資千億
- 全球DRAM大廠(chǎng)美光預(yù)計(jì)在臺(tái)投資新臺(tái)幣1,300億元,絕大部分DRAM基地都在臺(tái)灣地區(qū),成為生產(chǎn)重鎮(zhèn),未來(lái)也將持續(xù)在臺(tái)擴(kuò)充產(chǎn)能。美光鎖定中科進(jìn)行新的3D封測(cè)制程,預(yù)估2-3年可量產(chǎn),要打造成為亞太區(qū)營(yíng)運(yùn)中心。 臺(tái)灣也就美光擴(kuò)大投資所需土地、廠(chǎng)房、資金等提供協(xié)助,未來(lái)規(guī)劃中科擴(kuò)廠(chǎng)計(jì)劃,將可增加2,000個(gè)以上就業(yè)機(jī)會(huì),將臺(tái)灣塑造為高效完整的DRAM全球生產(chǎn)基地。 據(jù)了解,美光于2012年并購(gòu)爾必達(dá)與瑞晶之后,剛好瑞晶于中科已有2廠(chǎng),后面還有2個(gè)廠(chǎng)還沒(méi)蓋,解決土地、廠(chǎng)房、水電等問(wèn)題后,美光未來(lái)
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英特爾存儲(chǔ)器:熱數(shù)據(jù)推“傲騰”,溫?cái)?shù)據(jù)有“Ruler”
- “中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)CFMS2017”上,英特爾中國(guó)區(qū)非易失存儲(chǔ)器事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生介紹了英特爾最新的存儲(chǔ)技術(shù),包括用于熱數(shù)據(jù)的傲騰和用于溫?cái)?shù)據(jù)的3D NAND “Ruler”?! ?jù)悉,大數(shù)據(jù)、海量集成的數(shù)據(jù)在各個(gè)領(lǐng)域涌現(xiàn),并希望能夠盡快處理,為此需要對(duì)海量的數(shù)據(jù)要進(jìn)行分層,即熱數(shù)據(jù)、溫?cái)?shù)據(jù)、冷數(shù)據(jù)?! 釘?shù)據(jù)——基于3D Xpoint材料的“傲騰” 英特爾展示了不同于flash的一種非易失存儲(chǔ)器材料——3D Xpoint。基于3D Xpoint的
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三維存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)取得進(jìn)展
- 近日,中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所相變存儲(chǔ)器課題組在三維存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得進(jìn)展,研究成果以A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM為題,發(fā)表在IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs上。 相變存儲(chǔ)器利用電脈沖誘導(dǎo)存儲(chǔ)材料在非晶態(tài)與晶態(tài)之間切換,具有非揮發(fā)性、循環(huán)壽命長(zhǎng)、寫(xiě)入速度快、穩(wěn)定性好、功耗低
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全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)可望成長(zhǎng)37%,韓國(guó)第一、中國(guó)大陸第二
- 2017年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售金額可望創(chuàng)下歷史紀(jì)錄。據(jù)SEMI最新預(yù)估數(shù)字,2全球半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售金額可望在2017年逼近550億美元,比2016年大幅成長(zhǎng)37%。這也是自金融海嘯以來(lái)最高的成長(zhǎng)率。 SEMI進(jìn)一步分析,2017年全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將由韓國(guó)奪下,其采購(gòu)的半導(dǎo)體設(shè)備價(jià)值將達(dá)195億美元,比2016年大幅成長(zhǎng)130%。韓國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備采購(gòu)金額暴增,主要與三星(Samsung)大舉投資新的存儲(chǔ)器產(chǎn)能有關(guān)。 另一方面,中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備采購(gòu)金額有望在2018年超越中國(guó)臺(tái)灣,以125億
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東芝存儲(chǔ)器收購(gòu)案:有關(guān)方面詢(xún)問(wèn)蘋(píng)果參與意向
- 據(jù)日媒報(bào)道,有關(guān)正陷入巨額虧損的東芝半導(dǎo)體子公司“東芝存儲(chǔ)器”的出售談判,作為新提案的一部分,美國(guó)西部數(shù)據(jù)公司(WD)正在詢(xún)問(wèn)美國(guó)蘋(píng)果公司是否有意參與收購(gòu)。報(bào)道稱(chēng),西數(shù)在新提案中表示出降低收購(gòu)參與度的意向,有可能暫緩注資。據(jù)分析,西數(shù)意在增加己方陣營(yíng)的注資企業(yè),確保東芝要求的2萬(wàn)億日元(約合人民幣1200億元)規(guī)模的收購(gòu)資金。 據(jù)報(bào)道,東芝6日召開(kāi)社內(nèi)外董事會(huì)議,以西數(shù)陣營(yíng)的提案為主進(jìn)行協(xié)商。然而對(duì)于未放棄將來(lái)取得經(jīng)營(yíng)權(quán)的西數(shù),東芝存儲(chǔ)器方面存在著根深蒂固的警惕,因此并未
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存儲(chǔ)器介紹
什么是存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲(chǔ)器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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