存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

電路板設(shè)計(jì)的并行設(shè)計(jì)法

利用最新開發(fā)的軟件技術(shù)可以完成高效的并行電路板設(shè)計(jì)。這種新的技術(shù)能使多個(gè)設(shè)計(jì)師、多個(gè)進(jìn)程和不同種類的工具同時(shí)工作于同一個(gè)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫，并能顯著地提高設(shè)計(jì)生產(chǎn)力?！　∨c將設(shè)計(jì)分成若干部分并獨(dú)立地完成各個(gè)部分的傳統(tǒng)方法不同，此新技術(shù)能在一個(gè)公共數(shù)據(jù)庫上創(chuàng)建并行進(jìn)程，并能自動(dòng)同步進(jìn)程的變化、解決相互間可能發(fā)生的沖突。這在EDA行業(yè)
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基于FPGA的存儲(chǔ)解決方案——閃存

閃存存儲(chǔ)器是嵌入系統(tǒng)中經(jīng)常使用的非易失性存儲(chǔ)器。在基于FPGA的嵌入系統(tǒng)中，由于FPGA沒有包括閃存，所以閃存始終是外置設(shè)備。由于閃存存儲(chǔ)器能夠在斷電后保持?jǐn)?shù)據(jù)內(nèi)容，它經(jīng)常用于存儲(chǔ)微處理器啟動(dòng)代碼及其它需要在無電情況下繼續(xù)保持的數(shù)據(jù)。閃存存儲(chǔ)器既適用于并行接口又適用于串行接口。并行閃存設(shè)備與串行閃存設(shè)備的基本存儲(chǔ)技術(shù)是相同的。
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安全存儲(chǔ)器如何在可信任執(zhí)行環(huán)境中發(fā)揮作用

如今的手機(jī)具有許許多多的新應(yīng)用，包括存儲(chǔ)敏感數(shù)據(jù)，以及提供像移動(dòng)付費(fèi)這類的安全業(yè)務(wù)。隨著利用手機(jī)存儲(chǔ)關(guān)鍵信息的現(xiàn)象前所未見地增長(zhǎng)，如何保護(hù)手機(jī)不受那些能夠盜取或?yàn)E用信用卡號(hào)碼或安全數(shù)據(jù)內(nèi)容密鑰的流氓軟件的侵害，并保護(hù)數(shù)據(jù)的安全正變得日益重要。手機(jī)需要一個(gè)可信任的執(zhí)行環(huán)境(EE)，來確保敏感數(shù)據(jù)的安全存儲(chǔ)和處理而不被盜用。
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基于FPGA的存儲(chǔ)解決方案——外部SRAM

所謂外部SRAM是指連接在FPGA外部的靜態(tài)RAM（SRAM）。外部SRAM存儲(chǔ)器也有不少種類。對(duì)于外部SRAM的選擇是由應(yīng)用需求的性質(zhì)決定的。使用外部SRAM存儲(chǔ)器既有優(yōu)點(diǎn)又有缺點(diǎn)。
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8位微控制器提供多種低功耗模式

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）目前宣布其首批整合其高性能8位架構(gòu)的超低功耗8位微控制器STM8L系列開始量產(chǎn)。STM8L系列以節(jié)省運(yùn)行和待機(jī)功耗為特色，該平臺(tái)采用意法半導(dǎo)體獨(dú)有的超低泄漏電流優(yōu)化的130nm制程，下設(shè)三個(gè)產(chǎn)品線均基于意法半導(dǎo)體的超低功耗技術(shù)平臺(tái)，共計(jì)26款產(chǎn)品，涵蓋多種高性能和多功能應(yīng)用。
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采用兩級(jí)電路實(shí)現(xiàn)的地址變化探測(cè)器

本文提出了一種采用兩級(jí)電路實(shí)現(xiàn)的地址變化探測(cè)器。與傳統(tǒng)地址變化探測(cè)電路相比較，該設(shè)計(jì)顯著提高了SRAM的抗噪聲、抗干擾能力。
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2017全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將達(dá)3778億美元

　　據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(WSTS)預(yù)測(cè)，2017全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將來到3,778億美元，較2016年跳增11.5%，有望連續(xù)兩年寫下歷史新高。　　對(duì)照2016年11月的預(yù)估值(3,461億美元)，WSTS最新發(fā)布的預(yù)估值上修幅度達(dá)9.2%，主要反映2016年下半年以來，全球景氣改善，市場(chǎng)需求加速。　　若以產(chǎn)品類別區(qū)分，存儲(chǔ)器是最被看好的產(chǎn)品，預(yù)估銷售額將攀升30.4%、成為1,001億美元。NAND快閃存儲(chǔ)器的應(yīng)用日益普及，從手機(jī)、PC到數(shù)據(jù)中心的需求不斷提高。　　半導(dǎo)體感測(cè)器銷售額預(yù)估成
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華為記取手機(jī)存儲(chǔ)器短缺教訓(xùn)　研擬供應(yīng)鏈改善計(jì)劃

　　2017年稍早，大陸智慧型手機(jī)龍頭制造商華為曾因?yàn)榭扉W記憶體發(fā)生供貨短缺情況，導(dǎo)致新產(chǎn)品的供貨受阻，后來又因?yàn)楦鼡Q成速度較慢的快閃記憶體而招致不少客戶抱怨，為此華為已經(jīng)決定，要好好檢討改善供應(yīng)鏈，以避免未來再發(fā)生類似情況。　　根據(jù)南華早報(bào)報(bào)導(dǎo)，華為消費(fèi)者事業(yè)負(fù)責(zé)人余承東受訪表示，該公司現(xiàn)正對(duì)智慧型手機(jī)當(dāng)中的關(guān)鍵零件供應(yīng)鏈進(jìn)行全面性檢視，并在研擬改善方案。　　他表示，華為身為全球最大電信設(shè)備供應(yīng)商，雖然并未直接生產(chǎn)這些重要零件，但仍然具備一些相關(guān)技術(shù)能力。言下之意，或許華為日后會(huì)考慮讓部分零件自
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使用QDR-IV設(shè)計(jì)高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)之二

在本系列第一部分，我們探討了兩種類型的QDR-IV存儲(chǔ)器、時(shí)鐘、讀/寫操作和分組操作。在第二部分，我們將探討總線轉(zhuǎn)換、總線翻轉(zhuǎn)、地址奇偶校驗(yàn)等重要的總線問題。
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傳博通獲東芝存儲(chǔ)器出售案獨(dú)家議約權(quán)

　　據(jù)朝日新聞報(bào)導(dǎo)，眾所矚目的東芝半導(dǎo)體招親案，美國芯片廠商博通(Broadcom)已確認(rèn)中選，獲得東芝存儲(chǔ)器的獨(dú)家議約權(quán)。　　盡管東芝發(fā)言人第一時(shí)間拒絕對(duì)此發(fā)表評(píng)論，但消息還是激勵(lì)東芝股價(jià)周二早盤一度大漲4%。嘉實(shí)XQ全球贏家報(bào)價(jià)顯示，截至10時(shí)10分(GMT+8)止，東芝股價(jià)上漲2.66%、暫報(bào)262.4日?qǐng)A。　　東芝的NAND閃存芯片在電子設(shè)備，包括智能手機(jī)、服務(wù)器和PC中得到廣泛使用。市場(chǎng)研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，2017年第一季度，三星NAND閃存芯片業(yè)務(wù)的收入為42.1億
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幾種DSP與外接存儲(chǔ)器的連接方法

存儲(chǔ)器接口分為ROM接口和RAM接口兩種。ROM包括EPROM和FLASH，而RAM主要是指SRAM。TMS320C5409具有32K字的片內(nèi)RAM和16K字的掩膜ROM。但是在DSP應(yīng)用的很多場(chǎng)合，尤其是帶信號(hào)存儲(chǔ)的DSP應(yīng)用來說，TMS320C5409的片內(nèi)存儲(chǔ)資源是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠用的。因此，設(shè)計(jì)一個(gè)TMS320C5409硬件系統(tǒng)一般應(yīng)該包括其與EPROM/FLASH和SRAM的接口設(shè)計(jì)，以存放程序和數(shù)據(jù)。本文介紹TMS320C5409與存儲(chǔ)器的接口設(shè)計(jì)方案。
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FPGA系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則和技巧之：FPGA系統(tǒng)設(shè)計(jì)的3種常用IP模塊

FPGA的開發(fā)工具軟件，如Quartus II、ISE等，一般都會(huì)提供一些經(jīng)過驗(yàn)證的IP模塊。這些IP模塊是芯片廠家提供的，所以只能用于該廠家的FPGA芯片設(shè)計(jì)中。這些IP主要包括以下幾類。
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DDR3存儲(chǔ)器接口控制器IP加速了數(shù)據(jù)處理應(yīng)用

DDR3存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而，和過去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲(chǔ)器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，使用一個(gè)高效且易于使用的DDR3存儲(chǔ)器接口控制器是非常重要的。視屏處理應(yīng)用就是一個(gè)很好的示例，說明了DDR3存儲(chǔ)器系統(tǒng)的主要需求以及在類似數(shù)據(jù)流處理系統(tǒng)中DDR3接口所需的特性。
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摩爾定律之后存儲(chǔ)器發(fā)展要靠大數(shù)據(jù)、AI？

　　半導(dǎo)體供應(yīng)鏈存儲(chǔ)器缺貨絕對(duì)是橫貫2017年的主調(diào)，但除了量變，大數(shù)據(jù)中心、AI深度學(xué)習(xí)運(yùn)算帶來對(duì)CPU與AI處理器的運(yùn)算速度、存儲(chǔ)容量高門檻要求，也正在改變整個(gè)存儲(chǔ)器乃至于運(yùn)算基礎(chǔ)核心架構(gòu)。　　在近日一場(chǎng)GSA存儲(chǔ)器高峰論壇上，半導(dǎo)體與數(shù)據(jù)平臺(tái)、服務(wù)器領(lǐng)域與會(huì)人士對(duì)上述議題展開熱議。　　西數(shù)(Western Digital)董事長(zhǎng)兼COO Mike Cordano提到，未來存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)仍然機(jī)會(huì)巨大，占整個(gè)IC行業(yè)的三分之一份額，其中DRAM約600億美元、NAND Flash約480億美元、微
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向IDM進(jìn)軍中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)需勇往直前

　　存儲(chǔ)器尤如一座大山，擺在中國半導(dǎo)體業(yè)面前。不過既然已經(jīng)決定發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，就沒有退縮的余地。　　中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展有其特殊性，它依國家實(shí)力作為后盾，盡管西方陣營在“唱衰”中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。然而不可否認(rèn)的是，他們也在擔(dān)心中國存儲(chǔ)器業(yè)的成功。　　現(xiàn)階段中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)積聚了三股力量，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)，晉華及王寧國主導(dǎo)的合肥長(zhǎng)鑫，它們各有特色，采用不同的策略。不過至于哪家能取得成功，要看2018或2019年的結(jié)果，目前尚不好預(yù)言。　　中國存儲(chǔ)器業(yè)的初級(jí)目標(biāo) 　　按中國臺(tái)
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]