存儲器文章進入存儲器技術(shù)社區(qū)

丁文武談存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展：要舍得持續(xù)投資

　　12月9日下午消息在今天召開的“2016中國存儲峰會”上，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司總裁丁文武在發(fā)言中表示，中國的存儲產(chǎn)業(yè)跟全球相比還有很大的差距，尤其在存儲芯片方面差距更大。　　“2015年我國集成電路進口額達到2307億美元，其中存儲器進口占比達到的1/4。中國有這么大的存儲市場，如何發(fā)展中國存儲產(chǎn)業(yè)，這是擺在產(chǎn)業(yè)界最大的課題。”丁文武說，“我們一直在呼吁要把存儲器作為國家戰(zhàn)略，因為中國有這么大的市場需求;從信息安全、產(chǎn)業(yè)
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國內(nèi)存儲器領(lǐng)域發(fā)展成“三足鼎立”之勢

合肥、北京、福建中國大陸有關(guān)存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)逐漸形成三股力量，并正在發(fā)展之中。
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Flash缺貨，存儲器成為三星的搖錢樹

　　NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 　　根據(jù)DIGITIMES的報導，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應(yīng)量成長率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，F(xiàn)lash則約9兆韓元，遠不如原
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大陸存儲器產(chǎn)業(yè)崛起將改變?nèi)虍a(chǎn)業(yè)版圖

　　南韓兩大半導體廠Samsung與SKHynix共組半導體希望基金，資金規(guī)模約2000億韓元(約55億元新臺幣)，顯示南韓亟欲凸顯且擴大其在全球記憶體市場的競爭力與影響力。　　不過半導體希望基金規(guī)模不大，預期重點不在建置新廠、擴張產(chǎn)能，而是鎖定技術(shù)研發(fā)，特別是DRAM、NANDFlash、行動記憶體、新興記憶體等產(chǎn)品的研發(fā)。　　南韓半導體國家隊的成軍，主要是反映大陸記憶體即將崛起的壓力。記憶體行業(yè)已成為大陸官方投資的重要方向，企圖實現(xiàn)從無到有的局面。大陸記憶體產(chǎn)業(yè)奠定在當?shù)匦枨罂焖僭鲩L的基礎(chǔ)，以
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[ARM筆記]內(nèi)存管理單元地址變換過程

　　1. 地址的分類　　以前的程序很小,可以全部裝入內(nèi)存中運行,隨著技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了如下兩種情況:　　1)有的程序很大,它要求的內(nèi)存空間超過了內(nèi)存總?cè)萘?不能一次性裝入內(nèi)存中;　　2)多任務(wù)系統(tǒng)中有很多程序需要同時運行,它們要求的內(nèi)存空間超過了內(nèi)存總?cè)萘?不能把所有的程序全部裝入內(nèi)存中。　　實際上，一個程序在運行前，沒有必要全部裝入內(nèi)存，而僅需要將那些當前要運行的部分先裝入內(nèi)存，其余部分在用到的時候再從磁盤調(diào)入，而當內(nèi)存耗光時，再將暫時不用的部分調(diào)出到磁盤。這使得一個大程序可以在較小的內(nèi)存空間
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3大理由看透快閃存儲器明年前景

今年的低基期襯托出明年的高成長，對明年快閃記憶體的需求增長有明顯的幫助。
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大陸存儲器需求進展超預期東芝經(jīng)營壓力暫時松口氣

　　日本存儲器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機存儲器因市場需求大，帶動價格上揚，2016上半會計年度(4~9月)的財報也因而受惠，表現(xiàn)亮眼。　　東芝財務(wù)長平田政善在11日東芝財報記者會上說明，由于大陸智能手機對于大容量存儲器需求殷切，東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預期。　　平田表示，在當今智能手機大打硬件規(guī)格戰(zhàn)，競爭激烈的情況下，大陸本土手機業(yè)者推出的手機較當初預期更早進入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查，目前市況單一標準規(guī)格存儲器約3美元，價格
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大陸存儲器需求進展超預期東芝經(jīng)營壓力暫時松口氣

　　日本存儲器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機存儲器因市場需求大，帶動價格上揚，2016上半會計年度(4~9月)的財報也因而受惠，表現(xiàn)亮眼。　　東芝財務(wù)長平田政善在11日東芝財報記者會上說明，由于大陸智能手機對于大容量存儲器需求殷切，東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預期。　　平田表示，在當今智能手機大打硬件規(guī)格戰(zhàn)，競爭激烈的情況下，大陸本土手機業(yè)者推出的手機較當初預期更早進入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查，目前市況單一標準規(guī)格存儲器約3美元，價格
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高速SDRAM存儲器接口電路設(shè)計（Altera FPGA開發(fā)板）

高速SDRAM存儲器接口電路設(shè)計（AlteraFPGA開發(fā)板）如下圖所示：
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異步SRAM存儲器接口電路設(shè)計（Altera FPGA開發(fā)板）

異步SRAM存儲器接口電路設(shè)計（AlteraFPGA開發(fā)板）如圖所示：
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東芝擬投資800億新建3D Flash專用廠房

　　東芝(Toshiba)8日發(fā)布新聞稿宣布，為了增產(chǎn)3D Flash Memory，將在四日市工廠內(nèi)興建新廠房“第6廠房(Fab 6)”。東芝指出，該座新廠房將作為3D Flash專用廠房，將分2期工程興建，其中第1期工程將在2017年2月動工、并預計于2018年夏天完工。　　東芝指出，關(guān)于上述新廠房具體的設(shè)備導入、開始生產(chǎn)時間，以及產(chǎn)能、生產(chǎn)計劃等細節(jié)，將待今后評估市場動向之后再決定，且和西數(shù)(Western Digital，“WD”)進行協(xié)商后，雙
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中國發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè) 觸動了韓國的神經(jīng)？

中國作為一個制造大國和電子設(shè)備消費大國，對于存儲的渴求是前所未有的，過去幾年內(nèi)中國正在大舉發(fā)展半導體，密集的推出相關(guān)的存儲產(chǎn)業(yè)園布局和建設(shè)，雖然大力發(fā)展存儲業(yè)面臨的挑戰(zhàn)巨大，但對于中國半導體產(chǎn)業(yè)來說，存儲的重要性是毋庸置疑的，因此多艱難也要砥礪前行。
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存儲器EM原理圖

存儲器EM原理圖存儲器EM的地址可以選擇由PC或MAR提供。當讀取EM中的指令時，其地址由PC提供；當讀取EM中的操作數(shù)時，其地址由MAR提供。5、實驗內(nèi)容與步驟（1）、按照表2-12連線。表2-12存儲器EM...
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微程序存儲器uM的原理圖

微程序存儲器uM在微程序控制器中存放實現(xiàn)全部指令系統(tǒng)的微程序。在COP2000實驗儀中，微程序存儲器uM由三片6116RAM構(gòu)成，共24位微指令。這三片6116RAM經(jīng)過“位擴展”連接在一起，構(gòu)成的微程序存儲器uM存儲器的容量為25...
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IC設(shè)計、存儲器搶搭自駕車風潮

　　隨著一線車廠全力搶進開發(fā)自駕車，車用晶片商機快速成長，雖然核心的高速運算或人工智慧處理器主要是由國際大廠開發(fā)，但以整車的概念來看，也是需要其它元件支援及搭配。因此，包括聯(lián)發(fā)科、瑞昱、原相、凌陽、偉詮電等IC設(shè)計廠已著手布局，國內(nèi)記憶體廠如華邦電、宜鼎、創(chuàng)見等也推出車規(guī)模組爭取訂單。　　目前全球車廠都十分關(guān)注自駕車的發(fā)展，但是自駕車的系統(tǒng)仍不成熟，所以，車廠現(xiàn)階段為了提升新車款的安全性及功能性，主要仍以搭載先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)為主，并希望能透過ADAS系統(tǒng)來進行深度學習，最后再交由新一代具人
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]