存儲器文章進(jìn)入存儲器技術(shù)社區(qū)

存儲“芯”發(fā)展剖析3D NAND閃存市場現(xiàn)狀

國內(nèi)大力扶持存儲，各種巨額的投資項(xiàng)目爭議不小，但是為了存儲自主的未來，也值。
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中國在存儲器長遠(yuǎn)發(fā)展方向仍然面臨巨大鴻溝

　　中國正急于建立自己的記憶體業(yè)務(wù)，這一點(diǎn)當(dāng)然毋庸置疑。不過到底要如何以及何時(shí)才能實(shí)現(xiàn)這一愿景卻仍舊是個(gè)跡，日本的幾位半導(dǎo)體行業(yè)知情人士在接受采訪時(shí)指出。　　中國國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金擁有雄厚的財(cái)力，而這筆由地方政府主導(dǎo)的經(jīng)濟(jì)資源將被用于幫助中國的“記憶體夢”一步步成為現(xiàn)實(shí)。　　不過拋開主觀愿望，中國要想真正建立屬于自己的記憶體產(chǎn)業(yè)，還需要可靠的知識產(chǎn)權(quán)來源與工程技術(shù)人才。　　中國代工廠商XMC于上周在武漢正式著手興建一座新的晶圓工廠，旨在制造3D NAND閃存記憶體
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4000億能砸出中國存儲器產(chǎn)業(yè)嗎？

在國家意志的推動(dòng)下，中國存儲企業(yè)大多是不差錢的主，完全可以在沒有后顧之憂的情況下，砸出工藝，暴出產(chǎn)能，在如此力度的政策、資金扶持下，武漢新芯、紫光等中國企業(yè)能重演京東方在面板產(chǎn)業(yè)的逆襲么？
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中國NAND快閃存儲器產(chǎn)業(yè)邁入新紀(jì)元

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進(jìn)行建廠工程，目標(biāo)最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規(guī)劃將以目前最先進(jìn)的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下，將開始進(jìn)入新的里程碑。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡弥赋觯F(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強(qiáng)大的企圖心。不同于國際NAND Fla
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武漢新芯存儲器芯片工廠動(dòng)土追趕三星不被看好

中國正在打造世界級半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，砸240億美元巨資，以“國家隊(duì)”力量來“彎道超車”！用錢可以砸出來國家隊(duì)，但是技術(shù)還得靠自己。
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老杳:武漢240億美元造芯,難以置信的滿堂彩

　　今天微信朋友圈被刷屏，原因只有一個(gè)：投資240億美元的武漢新芯NAND Flash項(xiàng)目正式啟動(dòng)。　　自從國家頒布集成電路產(chǎn)業(yè)扶植政策，投資存儲器風(fēng)潮開始風(fēng)起云涌，不僅攪得臺灣業(yè)界混亂不堪，也讓全世界為之矚目。　　雖然國外同行大都對大陸投入巨資發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)持懷疑態(tài)度，眾多本土地方領(lǐng)導(dǎo)、業(yè)界高管、專家甚至媒體卻一致贊成，好像只要有錢，大陸發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)唾手可得。　　合肥請來前爾必達(dá)CEO要做存儲器，廈門請來前爾必達(dá)CTO要做存儲器(目前廈門已經(jīng)放棄)，紫光雖然放棄入股西部數(shù)據(jù)，從入股力成、南
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聚集全球資源總投資240億美元

　　3月28日，總投資240億美元(約1600億人民幣)的存儲器基地項(xiàng)目在武漢東湖高新區(qū)正式啟動(dòng)?！　∵@是國家發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略部署。2014年，國家頒布實(shí)施《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)剛要(2015-2025)》，制訂了今后10年發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略部署，同期成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)小組和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金。2015年發(fā)展存儲器上升為國家戰(zhàn)略?！　?jù)介紹，這一存儲器基地項(xiàng)目以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)于測試、銷售于一體。　　存儲器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片。該項(xiàng)
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IDM模式是存儲器產(chǎn)業(yè)最佳選擇?

　　“他山之石可以攻玉。”借鑒日韓以及我國臺灣地區(qū)的經(jīng)驗(yàn)，可以更好地探索出一條適宜中國大陸當(dāng)前發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的路徑——抓住重大技術(shù)變革機(jī)遇期，在打造龍頭骨干IDM企業(yè)的同時(shí)，也不應(yīng)放松存儲業(yè)生態(tài)集群的培育。　　產(chǎn)業(yè)面臨技術(shù)革新機(jī)遇　　過去30余年中，全球存儲器產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了兩次區(qū)域性的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移：20世紀(jì)80年代存儲產(chǎn)業(yè)重心從歐美國家轉(zhuǎn)移到日本，90年代從日本轉(zhuǎn)移到韓國。　　目前，從事DRAM生產(chǎn)開發(fā)的企業(yè)不下40家，但是這個(gè)行業(yè)一直都處于不斷兼并重組之
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兆易創(chuàng)新：存儲器MCU設(shè)計(jì)專家

　　北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司是SPI NOR FLASH領(lǐng)域全球主流的Fabless供應(yīng)商。公司成立于2005年4月，總部設(shè)于中國北京，在中國大陸與臺灣地區(qū)、韓國、美國、英國、日本等多個(gè)國家和地區(qū)設(shè)有分支機(jī)構(gòu)，營銷網(wǎng)絡(luò)遍布全球，提供優(yōu)質(zhì)便捷的本地化支持服務(wù)。公司致力于各類高速和低功耗存儲器(NOR/NAND Flash)、微控制器(MCU)系列產(chǎn)品的設(shè)計(jì)研發(fā)，并以“高技術(shù)、低功耗、優(yōu)成本”的特性領(lǐng)先于全球同類產(chǎn)品，被美國EETimes機(jī)構(gòu)評選為全球最熱門半導(dǎo)體初創(chuàng)公司60強(qiáng)，并
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新開發(fā)超導(dǎo)存儲器讀寫速度提升100倍

　　俄羅斯的科學(xué)家開發(fā)出一種超導(dǎo)記憶體單元的控制系統(tǒng)，只需不到1奈秒(ns)的時(shí)間，就能實(shí)現(xiàn)較當(dāng)今所用的類似記憶體更快幾百倍的讀取與寫入速度。　　來自莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)與莫斯科國立大學(xué)(Moscow State Univeristy)的科學(xué)家在最近一期的《應(yīng)用物理快報(bào)》(Applied Physics Letters)中發(fā)表這項(xiàng)研究成果。　　這項(xiàng)理論性的研究成果預(yù)測在復(fù)雜的Josephson Junction超導(dǎo)元件中存在雙穩(wěn)態(tài)狀態(tài)。建置這種元件可能需要進(jìn)行超冷卻作業(yè)，使其無法真正落實(shí)
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存儲器龍頭還不夠　三星瞄向系統(tǒng)半導(dǎo)體王座

三星半導(dǎo)體事業(yè)也有潛在危機(jī)，比如大客戶蘋果轉(zhuǎn)投臺積電，然而三星的策略就是以對手跟不上的高附加價(jià)值產(chǎn)品克服困境。
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MRAM接班主流存儲器指日可待

　　記憶體產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性記憶體。如今，透過磁阻隨機(jī)存取記憶體(MRAM)，可望解決開發(fā)這種“萬能”記憶體(可取代各種記憶體)的問題　　遺憾的是，實(shí)際讓非揮發(fā)性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟，似乎總是還得再等三年之久。如今，荷蘭愛因霍芬科技大學(xué)(Eindhoven University of Technolo
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SK海力士將砸15.5兆韓元建存儲器新工廠

　　日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo),SK海力士周一宣布，將砸15.5兆韓元(125億美元)，再蓋一座新存儲器工廠。　　新廠選址在南韓忠清南道省北部，與原海力士舊廠比鄰。據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，海力士已取得25萬平方公尺的土地面積，并與清州市政府簽訂合作備忘錄(MOU)，新廠預(yù)計(jì)將在2018年正式動(dòng)工、2019年投產(chǎn)。　　新廠確切的產(chǎn)品目前還不清楚，不過海力士某官員暗示應(yīng)該為NAND存儲器，若新廠全部投入生產(chǎn)NAND存儲器，海力士現(xiàn)有NAND存儲器產(chǎn)能將擴(kuò)增超過兩倍。　　此外，海力士亦宣布已開始在現(xiàn)有的清州廠量產(chǎn)先進(jìn)的3
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三星量產(chǎn)供手機(jī)使用的256GB快閃存儲器

　　256GB的UFS 2.0記憶體可用來存放47部高畫質(zhì)電影，還可流暢地播放Ultra HD影片　　 ? 　　你想要內(nèi)建容量高達(dá)256GB的智慧型手機(jī)嗎?三星電子(Samsung Electronics)周四(2/25)宣布已開始量產(chǎn)全球首款基于Universal Flash Storage(UFS)2.0的256GB嵌入式記憶體，將可應(yīng)用在新一代的高階智慧型手機(jī)。　　目前全球高階智慧型手機(jī)的內(nèi)建儲存容量最高都只到128GB，例如蘋果的iPhone 6s/6s Plus或三星的
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使用高速SRAM設(shè)計(jì)電池支持型存儲器

　　嵌入式系統(tǒng)的性能取決于其軟硬件能力。一個(gè)編寫合理的軟件可以利用硬件的所有能力發(fā)揮后者的最大性能。與此類似，無論軟件設(shè)計(jì)多么合理，低效的硬件都可能影響系統(tǒng)性能?！　?shù)十年來，傳統(tǒng)嵌入式系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)一直沒有改變。圖1顯示了一個(gè)典型嵌入式系統(tǒng)的框圖。一個(gè)微控制器和一個(gè)微處理器位于系統(tǒng)的核心。按照具體應(yīng)用，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可根據(jù)需要?jiǎng)h減接口和外設(shè)。如果控制器的內(nèi)置存儲器不足，就需要使用閃存、SRAM、DRAM等外置存儲器。通常而言，閃存用于存儲控制器執(zhí)行的代碼，而SRAM用于存儲運(yùn)行時(shí)臨時(shí)變量和保存重要的應(yīng)用數(shù)據(jù)塊
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]