存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

存儲(chǔ)器原理

　　導(dǎo)讀：數(shù)字系統(tǒng)中可對(duì)二進(jìn)制數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)的是存儲(chǔ)器，F(xiàn)IFO、RAM等位于集成電路中可完成存儲(chǔ)功能的是存儲(chǔ)器，TF條、內(nèi)存條等存儲(chǔ)設(shè)備也是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器已廣泛存在于我們的生活中且為我們的生活提供諸多便利，接下來(lái)我們就一起來(lái)了解一下其工作原理到底是什么樣子的吧～一、存儲(chǔ)器原理- -簡(jiǎn)介　　存儲(chǔ)器，英文名稱為Memory，顧名思義，是一種用于存儲(chǔ)信息的儀器，常用于計(jì)算機(jī)中的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存，計(jì)算機(jī)工作所需的所有數(shù)據(jù)都被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，包含原始數(shù)據(jù)、計(jì)算過(guò)程中所產(chǎn)生數(shù)據(jù)、計(jì)算所需程序、計(jì)算最終結(jié)果數(shù)據(jù)等等。存
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接口/存儲(chǔ)器規(guī)格大換血　SSD跟風(fēng)平價(jià)高規(guī)設(shè)計(jì)

　　固態(tài)硬碟(SSD)走向高速規(guī)格、低成本設(shè)計(jì)趨勢(shì)成形。快閃記憶體、SSD控制晶片、模組和系統(tǒng)廠商正有志一同發(fā)展低成本、高容量的三層式儲(chǔ)存(TLC)和3D NAND技術(shù)，同時(shí)也積極推動(dòng)SSD由現(xiàn)有SATA、PCIe AHCI轉(zhuǎn)向更高速PCIe NVMe介面的新設(shè)計(jì)，期透過(guò)降低成本和提高儲(chǔ)存效能的雙重手段，刺激SSD市場(chǎng)滲透率。　　SanDisk資深副總裁兼技術(shù)長(zhǎng)Kevin Conley提到，4G LTE連線功能結(jié)合SSD后，將能為各種消費(fèi)性電子提供順暢的網(wǎng)路互連，更加貼近物聯(lián)網(wǎng)理想。　　SanDi
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國(guó)家大基金扶植半導(dǎo)體上路邏輯、存儲(chǔ)器芯片攻勢(shì)猛

　　大陸扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始執(zhí)行上路，近7成資金將挹注在IC制造/設(shè)備領(lǐng)域。法新社大陸設(shè)立大基金扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始執(zhí)行上路，半導(dǎo)體業(yè)者透露，分5年總計(jì)人民幣6，000億元資金有近7成將挹注在IC制造/設(shè)備領(lǐng)域，重點(diǎn)扶植項(xiàng)目包括邏輯芯片、DRAM及NAND Flash芯片等，其中，邏輯芯片將以中芯國(guó)際為首，至于存儲(chǔ)器領(lǐng)域?qū)⑾葟腄RAM芯片切入，長(zhǎng)期目標(biāo)是大陸內(nèi)需50%半導(dǎo)體芯片全數(shù)自制。　　半導(dǎo)體業(yè)者指出，大陸國(guó)家IC產(chǎn)業(yè)投資基金，每年提撥人民幣1，200億元投入自建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，初期規(guī)劃5年、共人民幣6
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存儲(chǔ)器/DRAM臺(tái)灣雙雄衰退

　　DRAM雙雄南亞科(2408)與華亞科5月營(yíng)收均較4月呈現(xiàn)個(gè)位數(shù)衰退。目前DRAM產(chǎn)業(yè)正處于淡季效應(yīng)遞延狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑，也影響業(yè)者業(yè)績(jī)。　　南亞科5月合并營(yíng)收為37.98億元，月減2.9%，年減8.6%;前五月合并營(yíng)收為197.39億元，年增1%。華亞科5月合并營(yíng)收暫估數(shù)為55.12億元，月減5.5%，年減26.3%;前五月合并營(yíng)收暫估數(shù)為297.97億元，年減14.1%。　　因PC市況不振，連帶使PC DRAM價(jià)格也因需求疲軟而下跌，今年上半預(yù)計(jì)會(huì)維持跌勢(shì)，也影響到業(yè)者營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)。但業(yè)
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可穿戴電子應(yīng)用的FRAM

　　引言：　　FRAM存儲(chǔ)器可為可穿戴電子產(chǎn)品帶來(lái)低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。　　正文：　　鐵電RAM(FRAM)存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動(dòng)化、關(guān)鍵任務(wù)空間應(yīng)用、高可靠軍事以及各種汽車應(yīng)用。使FRAM適用于這些應(yīng)用的特征也使之成了可穿戴應(yīng)用的可行技術(shù)，因?yàn)镕RAM技術(shù)與生俱來(lái)的附加屬性包括低功耗與高耐用性。　　電子可穿戴設(shè)計(jì)的一個(gè)主要注意事項(xiàng)是在提升可靠性的同時(shí)降低總體功耗。設(shè)計(jì)人員必須在增加功能的同時(shí)降低系統(tǒng)功耗，以便延長(zhǎng)電池使用壽命。與此同時(shí)，嵌入式軟件的大小和復(fù)雜性
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移動(dòng)存儲(chǔ)器體營(yíng)收占DRAM總產(chǎn)值近三成

　　Trendforce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，全球行動(dòng)式記憶體總營(yíng)收在2015年首季達(dá)到35.76億美元，季衰退不到1%，占 DRAM 總產(chǎn)值的29.8%，并且有持續(xù)擴(kuò)大趨勢(shì)。DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第一季主要受惠于三星(Samsung)來(lái)自23nm產(chǎn)出增加，行動(dòng)式記憶體整體出貨與上季增加8.2%，加上行動(dòng)式記憶體平均銷售單價(jià)與其他產(chǎn)品別相對(duì)抗跌，全球行動(dòng)式記憶體整體營(yíng)收規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。　　吳雅婷表示，2015上半年行動(dòng)式記憶體價(jià)格呈現(xiàn)穩(wěn)定小跌的
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Q1全球移動(dòng)存儲(chǔ)器營(yíng)收季減0.9%

　　Trendforce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，今(2015)年第一季全球行動(dòng)式記憶體總營(yíng)收為35.76億美元(詳如下圖)，季減0.9%。DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，上半年行動(dòng)式記憶體價(jià)格呈現(xiàn)穩(wěn)定小跌，但隨著LPDDR4導(dǎo)入市場(chǎng)后，預(yù)計(jì)能衍生出更多商機(jī)，而搭載3GB LPDDR4的三星Galaxy S6出貨也比預(yù)期中更佳，加上iPhone新機(jī)將搭載2GB的預(yù)期心態(tài)下，即便價(jià)格趨勢(shì)向下但跌幅也非常有限。　　目前行動(dòng)式記憶體占整體DRAM供應(yīng)已接近4成，隨
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三星存儲(chǔ)器拚出頭，2015年投資規(guī)模上看百億美元

　　三星半導(dǎo)體部門資深副總裁Jeeho Baek周四表示，今年在記憶體類半導(dǎo)體投資規(guī)模將比照去年，估計(jì)最高將達(dá)100億美元之譜。Baek指出，DRAM與NAND記憶體產(chǎn)出比重規(guī)劃為7比3，但會(huì)視市場(chǎng)需求作彈性調(diào)整。　　由于看好未來(lái)需求，三星對(duì)記憶體項(xiàng)目的投資一點(diǎn)都不手軟，其位在南韓華城，也是三星目前記憶體晶片的主要生產(chǎn)基地，年底還有一座新廠將準(zhǔn)備投產(chǎn)。　　另外，三星日前也宣布加碼在南韓平澤(Pyeongtaek)蓋新廠區(qū)，總投資規(guī)模來(lái)到25.6兆韓圜。新工廠預(yù)計(jì)下個(gè)月動(dòng)工，主要也是生產(chǎn)DRAM記憶
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現(xiàn)代機(jī)器視覺(jué)技術(shù)在安全領(lǐng)域的應(yīng)用

　　1 最初的技術(shù) 　　光敏材料可根據(jù)有光照與否來(lái)更改其阻抗或?qū)щ娦浴Ｔ缙诘暮诎滓曨l系統(tǒng)(如上世紀(jì)50年代RCA的光導(dǎo)攝像管攝像系統(tǒng))采用真空管，以通過(guò)光敏硒板進(jìn)行圖像傳感。　　電子束將掃描硒板，產(chǎn)生與光量直接相關(guān)的電流，并在確切的時(shí)間射向硒板，進(jìn)而由光柵掃描的顯像管產(chǎn)生初步的電子視頻信號(hào)，便于進(jìn)行長(zhǎng)距離傳輸。CRT電視再以反序接收信號(hào)，通過(guò)電子束掃描熒光屏重現(xiàn)圖像的對(duì)應(yīng)光等級(jí)。　　數(shù)十年來(lái)，視頻的用途一直僅限于單色傳感與實(shí)時(shí)顯示圖像。傳感器前的顏色過(guò)濾器會(huì)將模擬級(jí)別設(shè)置為組成色度，來(lái)創(chuàng)建顏色傳
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汽車行駛記錄系統(tǒng)中AT89C51ED2的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

　　摘要：本文介紹了AT89C51ED2 在汽車行駛記錄儀中的實(shí)現(xiàn)。該記錄儀采用大容量閃速存儲(chǔ)器FM1808 作為存儲(chǔ)載體，利用定時(shí)器中斷方式來(lái)實(shí)現(xiàn)秒間隔的數(shù)據(jù)采集與存儲(chǔ)，利用串行口中斷方式實(shí)現(xiàn)與微機(jī)的數(shù)據(jù)通信，通過(guò)USB HOST 和IC 卡實(shí)現(xiàn)對(duì)車輛記錄數(shù)據(jù)的快速下載和出行任務(wù)的靈活設(shè)置。　　關(guān)鍵詞：汽車行駛記錄儀;AT89C51ED2;閃速存儲(chǔ)器　　隨著社會(huì)的發(fā)展，汽車越來(lái)越普及，隨著汽車擁有量的增加，發(fā)生交通事故的概率也隨之增加，發(fā)生事故后用傳統(tǒng)的方法進(jìn)行分析、判斷、維修有一定的困難。這樣
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從存儲(chǔ)器發(fā)展歷史規(guī)律探討中國(guó)面臨的機(jī)會(huì)

　　存儲(chǔ)器和微控制器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基石。從產(chǎn)值角度看,存儲(chǔ)器和微處理器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的兩大件,分別占半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)值的22%和19%,發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),存儲(chǔ)器和微處理器是繞不開的課題。本篇詳細(xì)分析了存儲(chǔ)器發(fā)展的歷史脈絡(luò),從歷史的角度分析存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的特點(diǎn),獲取對(duì)當(dāng)前中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的啟示。　　存儲(chǔ)器發(fā)展至今已經(jīng)高度壟斷。歷史上行業(yè)經(jīng)歷了兩次區(qū)域轉(zhuǎn)移和三個(gè)歷史階段。第一次區(qū)域轉(zhuǎn)移發(fā)生在80 年代,從美國(guó)轉(zhuǎn)移到日本。第二次轉(zhuǎn)移發(fā)生在90 年代, 由日本轉(zhuǎn)移到韓國(guó)。三個(gè)歷史階段:美國(guó)起步期、日韓臺(tái)的成長(zhǎng)期、當(dāng)前
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臺(tái)存儲(chǔ)器重兵集結(jié)MCP戰(zhàn)場(chǎng)　出貨醞釀大爆發(fā)

　　臺(tái)系存儲(chǔ)器供應(yīng)商加速布局利基型產(chǎn)品領(lǐng)域，華邦、旺宏從NOR Flash芯片擴(kuò)展至低階NAND Flash芯片，專攻車用及工控應(yīng)用市場(chǎng)，南亞科則布局伺服器、智能型手機(jī)用的低功耗存儲(chǔ)器產(chǎn)品，至于多芯片封裝(Multi-Chip Package;MCP)市場(chǎng)更是兵家必爭(zhēng)之地，在晶豪與聯(lián)發(fā)科成功合作模式激勵(lì)下，旺宏、鈺創(chuàng)亦有意搶進(jìn)MCP戰(zhàn)場(chǎng)，并傳出正尋覓合作伙伴共同卡位MCP商機(jī)。　　晶豪是最早布局MCP市場(chǎng)的臺(tái)系存儲(chǔ)器供應(yīng)商，過(guò)去在SDRAM市場(chǎng)陷入低潮時(shí)，晶豪積極尋找新產(chǎn)品成長(zhǎng)動(dòng)能，并相中MCP市場(chǎng)成
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Vivado HLS推動(dòng)協(xié)議處理系統(tǒng)蓬勃發(fā)展(上)

　　1 提高抽象層次　　Vivado HLS能提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)的抽象層次，為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)切實(shí)的幫助。Vivado HLS通過(guò)下面兩種方法提高抽象層次：　　● 使用C/C++作為編程語(yǔ)言，充分利用該語(yǔ)言中提供的高級(jí)結(jié)構(gòu); 　　● 提供更多數(shù)據(jù)原語(yǔ)，便于設(shè)計(jì)人員使用基礎(chǔ)硬件構(gòu)建塊(位向量、隊(duì)列等)。　　與使用RTL相比，這兩大特性有助于設(shè)計(jì)人員使用Vivado HLS更輕松地解決常見的協(xié)議系統(tǒng)設(shè)計(jì)難題。最終簡(jiǎn)化系統(tǒng)匯編，簡(jiǎn)化FIFO和存儲(chǔ)器訪問(wèn)，實(shí)現(xiàn)控制流程的抽象。HLS的另一大優(yōu)勢(shì)是便于架構(gòu)研究和
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Vivado HLS推動(dòng)協(xié)議處理系統(tǒng)蓬勃發(fā)展(下)

　　接上篇　　4 設(shè)置簡(jiǎn)單系統(tǒng) 　　協(xié)議處理一般情況下屬于狀態(tài)事務(wù)。必須先順序讀取在多個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)入總線的數(shù)據(jù)包字，然后根據(jù)數(shù)據(jù)包的某些字段決定進(jìn)一步操作。通常應(yīng)對(duì)這種處理的方法是使用狀態(tài)機(jī)，對(duì)數(shù)據(jù)包進(jìn)行迭代運(yùn)算，完成必要的處理。例3是一種簡(jiǎn)單的狀態(tài)機(jī)，用于根據(jù)上一級(jí)的輸入丟棄或轉(zhuǎn)發(fā)數(shù)據(jù)包。該函數(shù)接收三個(gè)參數(shù)：一個(gè)是通過(guò)“inData”流接收到的輸入分組數(shù)據(jù);一個(gè)是通過(guò)“validBuffer”流顯示數(shù)據(jù)包是否有效的1位旗標(biāo);第三個(gè)是稱為&ldquo
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最小化ARM Cortex-M CPU功耗的方法與技巧

　　1 理解Thumb-2 　　首先，讓我們從一個(gè)看起來(lái)并不明顯的起點(diǎn)開始討論節(jié)能技術(shù)—指令集。所有Cortex-M CPU都使用Thumb-2指令集，它融合了32位ARM指令集和16位Thumb指令集，并且為原始性能和整體代碼大小提供了靈活的解決方案。在Cortex-M內(nèi)核上一個(gè)典型的Thumb-2應(yīng)用程序與完全采用ARM指令完成的相同功能應(yīng)用程序相比，代碼大小減小到25%之內(nèi)，而執(zhí)行效率達(dá)到90%(當(dāng)針對(duì)運(yùn)行時(shí)間進(jìn)行優(yōu)化后)。　　Thumb-2中包含了許多功能強(qiáng)大的指令，能夠有效減少
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]