存儲器 文章 進入存儲器技術社區(qū)
突破存儲器效能 HMCC發(fā)布第二代規(guī)范
- 混合記憶體立方聯(lián)盟(HMCC)宣布HMCC 2.0規(guī)范已定案并公開。透過將資料傳輸率從15Gb/秒提高到30Gb/秒,同時將相關通道模型從短距離(SR)遷移到非常短距離(VSR),HMC第二代規(guī)范為記憶體性能建立了新的門檻,為該創(chuàng)新記憶體技術開發(fā)過程的一個重要里程碑,并預示其后續(xù)應用。 Open-Silicon矽智財(IP)和工程運營副總裁Hans Boumeester表示,HMCC 2.0為設計師提供了成熟的解決方案,以解決記憶體瓶頸并提供具有突破性記憶體性能的新一代系統(tǒng)。此次新標準得到批準,
- 關鍵字: 存儲器 HMCC 美光
最經(jīng)典的PLC實用案例匯總,包括原理、設計技巧、選型要素
- 可編程邏輯控制器(PLC),它采用一類可編程的存儲器,用于其內部存儲程序,執(zhí)行邏輯運算、順序控制、定時、計數(shù)與算術操作等面向用戶的指令,并通過數(shù)字或模擬式輸入/輸出控制各種類型的機械或生產過程。PLC使用方便,編程簡單,性價比高,在現(xiàn)代工業(yè)中應用極廣。本文為大家介紹10個PLC的實用案例設計方案。 PLC在恒壓供水系統(tǒng)中的應用設計 本文設計的系統(tǒng)采用PLC作為控制中心,完成PID閉環(huán)運算、多泵上下行切換、顯示、故障診斷等功能,由變頻器調速方式自動調節(jié)水泵電機轉速,達到恒壓供水的目的。
- 關鍵字: 存儲器 PID Windows CE
英特爾新技術:存儲器耗電至少降低25倍
- ? 英特爾副總裁暨實驗室執(zhí)行總監(jiān)王文漢展示與工研院合作開發(fā)的新陣列記憶體原型。 英特爾在臺舉辦亞洲區(qū)創(chuàng)新高峰會,展示和工研院合作開發(fā)的新記憶體技術,較現(xiàn)有DDR DRAM記憶體更省電,耗電降低至少25倍,未來可望為行動運算裝置延長電池使用時間。 英特爾是在2011年宣布將分5年投入500萬美元,由英特爾實驗室和工研院共同開發(fā)新的記憶體技術,以改善現(xiàn)有記憶體速度與耗電??蛇\用于手機、平板電腦、PC,到超級運算或大型資料中心。今天的亞洲區(qū)創(chuàng)新高峰會上英特爾則宣布和臺灣產
- 關鍵字: 英特爾 存儲器
DRAMeXchange:DRAM均價逐季降 產值明年續(xù)升
- 根據(jù)DRAM研調機構DRAMeXchange最新研究報告顯示,第三季三大DRAM廠積極調配旗下產能以應付蘋果iPhone新機龐大行動式存儲器的需求﹔在排擠效應下,標準型存儲器產出減少,帶動第三季合約價格持續(xù)上漲,供貨吃緊下標準型存儲器蟬聯(lián)毛利最高的DRAM產品。DRAMeXchange表示,明年雖然平均銷售單價將逐季往下,但在位元產出仍持續(xù)增加的拉抬下,DRAM整體產值將持續(xù)攀升。 該機構表示,今年第三季DRAM產值達120億美元,較上季成長11%,單季營收再度創(chuàng)下新高。在產業(yè)寡占結構下,市場仍
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嵌入式存儲器的測試及可測性設計研究
- 引言 近年來,消費者對電子產品的更高性能和更小尺寸的要求持續(xù)推動著SoC(系統(tǒng)級芯片)產品集成水平的提高,并促使其具有更多的功能和更好的性能。要繼續(xù)推動這種無止境的需求以及繼續(xù)解決器件集成領域的挑戰(zhàn),最關鍵的是要在深亞微米半導體的設計、工藝、封裝和測試領域獲得持續(xù)的進步。 SoC是采用IP復用技術的一種標準設計結構,在多功能電子產品中得到了廣泛的應用。SoC的典型結構包括CPU、存儲器、外圍邏輯電路、多媒體數(shù)字信號編解碼器和接口模塊等?,F(xiàn)在的SoC中,存儲器通常占據(jù)整個芯片的大部分面積,并
- 關鍵字: 嵌入式 存儲器 測試
物聯(lián)網(wǎng)會帶來大量的存儲器/儲存需求嗎?
- 隨著來自社交網(wǎng)站、電子商務以及各種行動裝置的數(shù)位資訊流暴增,巨量資料(big data)已經(jīng)為IT基礎建設帶來壓力;而當物聯(lián)網(wǎng)(IoT)不斷發(fā)展、可穿戴式裝置開始興盛,對記憶體以及快閃記憶體儲存裝置來的壓力又是什么? 很明顯的是,新一代裝置將對記憶體以及資料儲存元件的功耗、性能以及外形有獨特的需求;在此同時,眾多物聯(lián)網(wǎng)設備與可穿戴式裝置的功能,會只是單純的收集與傳送資訊到云端或資料中心,以進行處理。 IHS分析師Cliff Leimbach表示,在物聯(lián)網(wǎng)世界,記憶體將會被非常廣泛地使用,出
- 關鍵字: 物聯(lián)網(wǎng) 存儲器 DRAM
三星收購Proximal Data 提高存儲軟件技術
- 全球尖端半導體解決方案領軍企業(yè)三星電子今日宣布已收購美國公司Proximal Data。作為服務器端緩存技術解決方案的先驅,Proximal Data擁有應用于虛擬系統(tǒng)的智能讀寫技術。 美國三星半導體存儲器研究所高級副總裁Bob Brennan表示:“十分歡迎Proximal Data成為我們的一員,三星電子服務器固態(tài)硬盤的軟件競爭力將由此得到大幅提升。通過這次收購,三星將進一步拓展面向服務器和數(shù)據(jù)中心的固態(tài)硬盤業(yè)務,并努力為客戶提供最先進的固態(tài)硬盤解決方案。” P
- 關鍵字: 三星 Proximal Data 存儲器
關于數(shù)Gpbs高速存儲器接口設計的分析
- 游戲機、數(shù)字電視(DTV)和個人電腦等流行的消費類電子產品的功能越來越多,性能也越來越高。這些產品數(shù)據(jù)處理能力的增強使它們的DRAM存儲器接口功能與產品本身的功能緊密聯(lián)系在一起,以支持更多功能和更高性能。數(shù)據(jù)速率達數(shù)Gbps的存儲器接口架構可以幫助這些產品實現(xiàn)所需的功能和性能,但是存儲器接口設計必須克服艱巨的挑戰(zhàn)才能達到想要的產品性能和質量。 更新一代的DDR3DRAM和XDR DRAM物理層接口(PHY)具有一些特殊的性能,完全可以克服數(shù)Gbps存儲器接口架構帶來的挑戰(zhàn)。但是,DDR3 SDR
- 關鍵字: 存儲器 DRAM DDR3
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質,目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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