存儲器 文章 進入存儲器技術社區(qū)
Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術
- (新加坡 – 2013年5月16日) 全球領先的全套互連產(chǎn)品供應商Molex公司宣布推出空氣動力型DDR3 DIMM插座和超低側(cè)高DDR3 DIMM 存儲器模塊插座產(chǎn)品組合,兩個產(chǎn)品系列均適用于電信、網(wǎng)絡和存儲系統(tǒng)、先進計算平臺、工業(yè)控制和醫(yī)療設備中要求嚴苛的存儲器應用。 DDR3是為支持800 -1600 Mbps的數(shù)據(jù)速率(頻率400 - 800 MHz)而制定的DDR DRAM接口技術,該數(shù)據(jù)速率是DDR2接口的兩倍。采用標準1.5V工作電壓,DDR3對比DDR2減
- 關鍵字: Molex 模塊插座 存儲器
誰為全球半導體市場帶來新一輪增長動力?
- 美國半導體行業(yè)協(xié)會(SIA) 宣布,2013年3月,全球半導體銷售額達到234.8億美元,較上個月的232.3億美元增長了1.1%,較2012年3月的232.8億美元也增長了0.9%。2013年第一季度的全球銷售總額較上年同期則增長了0.9%。所有月銷售數(shù)位均取3個月的移動平均數(shù)。 美國半導體行業(yè)協(xié)會總裁兼行政總裁布萊恩-圖希 (Brian Toohey) 表示:“與上年同期相比,在整個2013年第一季度,全球半導體行業(yè)經(jīng)歷了溫和但是連續(xù)的增長。絕大多數(shù)的終端產(chǎn)品種類的銷售額都有所增
- 關鍵字: 半導體 存儲器
三星電子:強化大容量存儲器的產(chǎn)品競爭力
- 4月11日,三星電子表示,從上個月開始,已全面量產(chǎn)高性能10nm級(1nm為10億分之1m)128Gb閃存。128Gb 3bit MLC閃存是目前儲存半導體中容量最大的產(chǎn)品,三星電子通過量產(chǎn)128Gb 3bit MLC閃存,將全面擴大大容量內(nèi)存及SSD市場,并快速推進64Gb MLC市場的升級。 自去年11月初,三星電子便開始大批量生產(chǎn)10nm級超高速64Gb MLC閃存;不到5個月,在容量上擴大至兩倍的10nm級128Gb閃存產(chǎn)品又得以量產(chǎn),三星電子此舉進一步鞏固了自身在eMMC,SSD等業(yè)內(nèi)
- 關鍵字: 三星電子 存儲器
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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