存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

C8051F的超大容量Flash存儲(chǔ)器擴(kuò)展方法介紹

摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。本文對(duì)該類型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對(duì)實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗(yàn)證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。引
關(guān)鍵字：方法介紹擴(kuò)展存儲(chǔ)器大容量 Flash C8051F

關(guān)鍵區(qū)域分析與存儲(chǔ)器冗余

要點(diǎn)1.一個(gè)隨機(jī)微粒缺陷的概率是布局特征間距的函數(shù)。因?yàn)榇鎯?chǔ)器有相對(duì)致密的結(jié)構(gòu)，它們天生就對(duì)隨機(jī)缺陷更加敏感，于是就可能影響到器件的總良品率。2.一款關(guān)鍵區(qū)域分析工具要能精確地分析出存儲(chǔ)器冗余，就必須了解
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三星電子全球首家量產(chǎn)20納米級(jí)移動(dòng)存儲(chǔ)器

日前，三星電子發(fā)布，其全球首家批量生產(chǎn)20納米級(jí)工藝的4GbLPDDR2DRAM，旨在全面擴(kuò)大其4GbDRAM市場(chǎng)。
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51單片機(jī)教程：?jiǎn)纹瑱C(jī)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)

單片機(jī)內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)分析我們來(lái)思考一個(gè)問(wèn)題，當(dāng)我們?cè)诰幊唐髦邪岩粭l指令寫進(jìn)單片要內(nèi)部，然后取下單片機(jī)，單片機(jī)就可以執(zhí)行這條指令，那么這條指令一定保存在單片機(jī)的某個(gè)地方，并且這個(gè)地方在單片機(jī)掉電后依然可以
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相變存儲(chǔ)器的高可靠性多值存儲(chǔ)設(shè)計(jì)

摘要：基于相變存儲(chǔ)器(PCM) 已有的2T2R 結(jié)構(gòu)，提出一種以比值為導(dǎo)向的狀態(tài)定義方法，以實(shí)現(xiàn)2T2R 結(jié)構(gòu)下PCM 的多值存儲(chǔ)。它在相變電阻具有4 態(tài)可編寫的能力下，可以實(shí)現(xiàn)單元內(nèi)8 態(tài)存儲(chǔ)，同時(shí)對(duì)小尺寸驗(yàn)證，而對(duì)PCM 存
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 存儲(chǔ) 可靠性存儲(chǔ)器相變

采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器接口控制器的設(shè)計(jì)

采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器接口控制器的設(shè)計(jì),本白皮書(shū)討論各種存儲(chǔ)器接口控制器設(shè)計(jì)所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案，同時(shí)也說(shuō)明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過(guò)硬件驗(yàn)證的參考設(shè)計(jì)來(lái)為您自己的應(yīng)用(從低成本的 DDR SDRAM 應(yīng)用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣的更
關(guān)鍵字：接口控制器設(shè)計(jì) 存儲(chǔ)器 SDRAM Xilinx FPGA DDR2 采用

基于JTAG口對(duì)DSP外部Flash存儲(chǔ)器的在線編程設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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探究存儲(chǔ)器特性以分析和預(yù)測(cè)應(yīng)用處理器性能及功耗

在現(xiàn)有塔吊控制室控制的基礎(chǔ)上，結(jié)合微型計(jì)算機(jī)控制技術(shù)，本研究提出一種低功耗、自動(dòng)CRC校驗(yàn)碼、軟件編碼和硬件譯碼、接收器采用無(wú)記憶控制且具有高抗干擾能力和高可靠性的塔吊無(wú)線遙控系統(tǒng)，既保證了安全操作又大幅
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測(cè)量并抑制存儲(chǔ)器件中的軟誤差研究

軟誤差是半導(dǎo)體器件中無(wú)法有意再生的“干擾”(即數(shù)據(jù)丟失)。它是由那些不受設(shè)計(jì)師控制的外部因素所引起的，包...
關(guān)鍵字：測(cè)量存儲(chǔ)器誤差

基于FPGA技術(shù)的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)及其應(yīng)用

基于FPGA技術(shù)的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)及其應(yīng)用,復(fù)雜可編程邏輯器件—FPGA技術(shù)在近幾年的電子設(shè)計(jì)中應(yīng)用越來(lái)越廣泛。FPGA具有的硬件邏輯可編程性、大容量、高速、內(nèi)嵌存儲(chǔ)陣列等特點(diǎn)使其特別適合于高速數(shù)據(jù)采集、復(fù)雜控制邏輯、精確時(shí)序邏輯等場(chǎng)合的應(yīng)用。而應(yīng)
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英研發(fā)新型存儲(chǔ)器速度比閃存快百倍

　　英國(guó)研究人員最近報(bào)告說(shuō)，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。　　電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材料，這種材料的特殊性在于，在外加電壓時(shí)其電阻會(huì)發(fā)生變化，隨后即使取消外加電壓，它也能“記住”這個(gè)電阻值。在此基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)出的存儲(chǔ)設(shè)備與現(xiàn)有閃存相比更快更節(jié)能，是業(yè)界近來(lái)的研發(fā)熱點(diǎn)。但以前開(kāi)發(fā)出的這種存儲(chǔ)設(shè)備只能在高度真空環(huán)境中運(yùn)行。　　英國(guó)倫敦大學(xué)學(xué)院等機(jī)構(gòu)研究人員日前在《應(yīng)用物理學(xué)雜
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存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)-認(rèn)識(shí)信號(hào)完整性的價(jià)值

存儲(chǔ)器和其它組件之間的問(wèn)題通常存在于這些器件之間的接口上，這些系統(tǒng)級(jí)的問(wèn)題有時(shí)候是難以覺(jué)察的。本文詳述了一種能夠很容易地識(shí)別和解決這些出現(xiàn)在存儲(chǔ)器接口上問(wèn)題的測(cè)試工具，從而使你的設(shè)計(jì)更為魯棒。過(guò)去，設(shè)
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便攜存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量

便攜存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量　　存儲(chǔ)容量是指該便攜存儲(chǔ)產(chǎn)品最大所能存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量，是便攜存儲(chǔ)產(chǎn)品最為關(guān) ...
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Synopsys將HAPS糾錯(cuò)可見(jiàn)度提升100倍

全球領(lǐng)先的電子器件和系統(tǒng)設(shè)計(jì)、驗(yàn)證和制造軟件及知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商新思科技公司(Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼：SNPS)日前宣布：為其HAPS?基于FPGA原型系統(tǒng)的用戶推出新版的Deep Trace Debug深度追蹤糾錯(cuò)軟件。借助HAPS Deep Trace Debug，原型工程師可利用比傳統(tǒng)FPGA片上邏輯糾錯(cuò)器所用的存儲(chǔ)器高出將近100倍的信號(hào)存儲(chǔ)容量。新的深度追蹤糾錯(cuò)功能同時(shí)增強(qiáng)了容量和故障隔離性能，同時(shí)釋放片上FPGA存儲(chǔ)器來(lái)滿足驗(yàn)證復(fù)雜的系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)設(shè)計(jì)之
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嵌入式多媒體應(yīng)用中的片上存儲(chǔ)器分配

引言隨著CPU速度的迅速提高，CPU與片外存儲(chǔ)器的速度差異越來(lái)越大，匹配CPU與外部存儲(chǔ)器的方法通常是采用Cache或者片上存儲(chǔ)器。微處理器中片上存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)通常包含指令Cache ，數(shù)據(jù)Cache 或者片上存儲(chǔ)器。對(duì)于嵌入
關(guān)鍵字：分配存儲(chǔ)器應(yīng)用多媒體嵌入式

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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]