存儲器文章進(jìn)入存儲器技術(shù)社區(qū)

鐵電存儲器在驗(yàn)光儀數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)中的應(yīng)用

引言
在綜合驗(yàn)光儀的驗(yàn)光過程中，用戶會根據(jù)不同的測試需求和習(xí)慣設(shè)置一些系統(tǒng)配置參數(shù)，這些參數(shù)需要保存起來；更為重要的是，患者測得的雙眼屈光數(shù)據(jù)也需要長時間地保存起來，以備下次更換眼鏡時作為配鏡參考
關(guān)鍵字：存儲器單片機(jī)

基于FPGA的空間存儲器糾錯系統(tǒng)的設(shè)計研究

基于FPGA的空間存儲器糾錯系統(tǒng)的設(shè)計研究,　1、引言　　阿爾法磁譜儀(Alpha Magnetic Spectrometer，AMS)實(shí)驗(yàn)室是丁肇中博士領(lǐng)導(dǎo)的由美、俄、德、法、中等16個國家和地區(qū)共300多名科學(xué)家參加的大型國際合作項(xiàng)目。它是國際空間站上唯一大型物理實(shí)驗(yàn)，是人類第
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 設(shè)計研究糾錯存儲器 FPGA 空間基于

基于DVI接口的LED視頻控制系統(tǒng)研究

摘要：本文從分析DVI接口的工作原理入手,探討了基于DVI 接口的LED視頻控制系統(tǒng)。該系統(tǒng)取代了傳統(tǒng)的VGA接入方式,不需要進(jìn)行 A/D轉(zhuǎn)換和處理,減少了信號損失,有利于提高整個顯示系統(tǒng)的性能。

關(guān)鍵詞：DVI接口;T.M.D
關(guān)鍵字： LED 視頻存儲器 A/D

DDR3存儲器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應(yīng)用

DDR3存儲器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應(yīng)用,DDR3存儲器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而，和過去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲器的優(yōu)點(diǎn)，使用一個高效且易于使用的DDR3存儲器接口控制器
關(guān)鍵字：視頻數(shù)據(jù)處理應(yīng)用 IP 控制器存儲器接口 DDR3

LDO線性調(diào)節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲器中的應(yīng)用

LDO線性調(diào)節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲器中的應(yīng)用,德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存
關(guān)鍵字：嵌入式存儲器應(yīng)用 StrataFlash 電路線性調(diào)節(jié)器 LDO

串行Flash存儲器的編程解決方案

串行Flash存儲器的編程解決方案,串行Flash存儲器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數(shù)據(jù)等諸多優(yōu)點(diǎn)，在IC卡和便攜式智能檢測儀表中廣泛的應(yīng)用。本文將介紹一種通過51系列單片機(jī)的串行口與AT45d041芯片通訊的方法，此方法不僅編程簡單，且運(yùn)行
關(guān)鍵字：解決方案編程存儲器 Flash 串行

基于XPM存儲器RFID高頻接口設(shè)計

　　1.引言　　RFID(射頻識別)技術(shù)是從上世紀(jì)80 年代走向成熟的一項(xiàng)自動識別技術(shù)，近年來發(fā)展十分迅速。其技術(shù)的覆蓋范圍廣泛，許多正在應(yīng)用中的自動識別技術(shù)都可以歸于RFID 技術(shù)之內(nèi)，但它們的工作原理、工作頻率、
關(guān)鍵字：接口設(shè)計高頻 RFID XPM 存儲器基于

半導(dǎo)體存儲器廠商恢復(fù)大型設(shè)備投資

　　2010年在半導(dǎo)體存儲器業(yè)界，各廠商紛紛恢復(fù)了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結(jié)狀態(tài)的大型設(shè)備投資。由此，市場上的份額競爭再次變得激烈起來。 2008～2009年導(dǎo)致各廠商收益惡化的價格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而，進(jìn)入2010年下半年后，以DRAM為中心、價格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進(jìn)入殘酷的實(shí)力消耗戰(zhàn)。技術(shù)方面，微細(xì)化競爭愈演愈烈，以突破現(xiàn)有存儲器極限為目標(biāo)的新存儲器的開發(fā)也越來越活躍。　　
關(guān)鍵字：存儲器 NAND

C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術(shù)

C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術(shù), DSP是針對實(shí)時數(shù)字信號處理而設(shè)計的數(shù)字信號處理器，由于它具有計算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點(diǎn)，非常適合應(yīng)用于嵌入式實(shí)時系統(tǒng)。FLASH存儲器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲器，屬于EEPROM器件，與其它的
關(guān)鍵字： MBM29LV800BA 接口技術(shù) 存儲器 FLASH C6701 DSP 處理器

基于DSP的單兵背負(fù)式短波數(shù)字通信系統(tǒng)

基于DSP的單兵背負(fù)式短波數(shù)字通信系統(tǒng),二十一世紀(jì)的戰(zhàn)爭將以數(shù)字化戰(zhàn)場為背景,而數(shù)字化戰(zhàn)場的一個重要特點(diǎn)是信息可以直達(dá)單個士兵。采用基于軟件無線電的思想,應(yīng)用第三代數(shù)字信號處理器 TMS320C31和數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片TLC32044等器件構(gòu)成短波自適應(yīng)調(diào)制解調(diào)器的
關(guān)鍵字： DSP 通信 A/D 存儲器電池

NAND Flash存儲器管理算法的設(shè)計及實(shí)現(xiàn)

關(guān)鍵字： Flash NAND 存儲器管理算法映射物理地址

抗SEU存儲器的設(shè)計的FPGA實(shí)現(xiàn)

抗SEU存儲器的設(shè)計的FPGA實(shí)現(xiàn),　　O 引言　　隨著我國航空航天事業(yè)的迅猛發(fā)展，衛(wèi)星的應(yīng)用越來越廣泛。然而，太空環(huán)境復(fù)雜多變，其中存在著各種宇宙射線與高能帶電粒子，它們對運(yùn)行于其中的電子器件會產(chǎn)生各種輻射效應(yīng)。輻射效應(yīng)對電子器件的影響
關(guān)鍵字：實(shí)現(xiàn) FPGA 設(shè)計存儲器 SEU

基于半導(dǎo)體存儲芯片K9WBG08U1M的大容量存儲器

基于半導(dǎo)體存儲芯片K9WBG08U1M的大容量存儲器,　　O 引言　　隨著航空航天航海等技術(shù)的發(fā)展，無論是星載還是艦載方面的技術(shù)要求，都迫切希望有一種能夠在惡劣環(huán)境(高溫、低溫、振動)下正常工作，并且易于保存的大容量視頻記錄設(shè)備，以滿足數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)方面的要求
關(guān)鍵字：大容量存儲器 K9WBG08U1M 芯片半導(dǎo)體存儲基于

相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較

相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較,　　相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和MLC NAND快閃存儲器以及硬碟驅(qū)動器(HDD) 和固態(tài)硬碟(SSD)等系統(tǒng)解決方案，*估PCM的相對成本、效能和可靠度，可以了解PCM適用于哪里些應(yīng)用領(lǐng)
關(guān)鍵字：存儲器比較技術(shù) PCM 相變

基于嵌入式視頻存儲的專用文件系統(tǒng)設(shè)計

基于嵌入式視頻存儲的專用文件系統(tǒng)設(shè)計,摘要: 基于嵌入式視頻存儲的特點(diǎn)，分析目前已有的文件系統(tǒng)在視頻應(yīng)用上的不足，提出了適合硬盤錄像機(jī)的專用文件系統(tǒng)設(shè)計方案，并從數(shù)據(jù)存儲、檢索、讀取和恢復(fù)等方面闡述了設(shè)計思想及具體實(shí)現(xiàn)。經(jīng)過在相關(guān)產(chǎn)品上的應(yīng)
關(guān)鍵字：視頻存儲器數(shù)據(jù) 電路通信 ARM

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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]