存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

基于TMS320C6713B的實(shí)時(shí)數(shù)字視頻消旋系統(tǒng)設(shè)計(jì)

摘要：針對(duì)探測(cè)器姿態(tài)變化造成的視頻圖像旋轉(zhuǎn)，提出一種基于TMS320C6713B的實(shí)時(shí)數(shù)字視頻消旋系統(tǒng)。該系統(tǒng)利用TMS320C6713B計(jì)算圖像旋轉(zhuǎn)后各點(diǎn)的位置，再利用FPGA進(jìn)行地址映射，得到圖像旋轉(zhuǎn)后各點(diǎn)對(duì)應(yīng)的灰度值。實(shí)驗(yàn)
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基于閃爍存儲(chǔ)器的DSP并行引導(dǎo)裝載方法

基于閃爍存儲(chǔ)器的DSP并行引導(dǎo)裝載方法,TMS3.0VC5409 是TI公司推出的第一代的高性能、低價(jià)位、低功耗數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）。與現(xiàn)在流行的TMS320C5409相比，性能提高了60%，功耗效率提高了 50%。它的應(yīng)用對(duì)象大多是要求能脫機(jī)運(yùn)行的內(nèi)嵌式系統(tǒng)，如機(jī)頂盒（
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如何實(shí)現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器的連接

采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器架構(gòu)支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬，工作電壓低至1.5V，因此功耗小，存儲(chǔ)密度更可高達(dá)2Gbits。該架構(gòu)無(wú)疑速度更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但問(wèn)
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鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)特點(diǎn)分析

鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)特點(diǎn)分析,如圖1所示，電子電能表的基本架構(gòu)包括下列各主要功能模塊：電壓電流取樣電路；16位以上分辨率的ADC；計(jì)量與控制單元；通信接口；操作界面；顯示器；存儲(chǔ)器。本文將以存儲(chǔ)器為重點(diǎn)說(shuō)明為何電子式電能表需要使用鐵電存
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相變存儲(chǔ)器--非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)

相變存儲(chǔ)器--非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù),　　相變存儲(chǔ)器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)。它可能在將來(lái)代替閃存，因?yàn)樗粌H比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復(fù)原性更好，能夠?qū)崿F(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。
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為何電子式電能表需要使用鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)

為何電子式電能表需要使用鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM),　　自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個(gè)電能表 (瓦特瓦時(shí)表)原型之后，電能表經(jīng)過(guò)一個(gè)世紀(jì)多的演進(jìn)：由機(jī)械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新的預(yù)付費(fèi)電能表 (pre-paid) 復(fù)費(fèi)率電能
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三星斥資2.75億美元　取得美光10年交叉授權(quán)

　　根據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)指出，美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)日前除了報(bào)出亮眼的財(cái)報(bào)結(jié)果以外，還獲得三星電子(Samsung Electronics)長(zhǎng)達(dá)10年交叉授權(quán)的協(xié)議，美光將取得權(quán)利金2.75億美元。　　彭博(Bloomberg)則報(bào)導(dǎo)指出，三星已經(jīng)同意支付美光2.75億美元的權(quán)利金，其中的2億美元，將在10月12日前支付，另外還有4,000萬(wàn)美元，將在2011年1月31日前支付，最后還有3,500萬(wàn)美元?jiǎng)t將在2011年3月31日以前，全部支付完畢。　　不過(guò)，除此之外，美光婉拒提
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海力士：股份收購(gòu)者將出現(xiàn)

　　據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，目前韓國(guó)有幾間業(yè)者對(duì)海力士(Hynix) 股份拋售顯露興趣。海力士理事議長(zhǎng)金鍾甲表示，韓國(guó)企業(yè)中有業(yè)者表示對(duì)海力士股份有興趣，早晚會(huì)對(duì)外宣布收購(gòu)立場(chǎng)。　　金鍾甲在接受電子新聞訪談時(shí)表示，由于存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)構(gòu)圖產(chǎn)生變化，且海力士的競(jìng)爭(zhēng)力更強(qiáng)化，韓國(guó)業(yè)者對(duì)海力士的表現(xiàn)皆抱持正面的態(tài)度。　　雖然主要是由債權(quán)團(tuán)執(zhí)行海力士股份拋售，金鍾甲以理事會(huì)議長(zhǎng)身分也積極接觸海力士潛在收購(gòu)者。海力士近期以來(lái)對(duì)拋售股份的官方說(shuō)法維持沒(méi)有表明收購(gòu)意愿的企業(yè)，但金鍾甲此次的發(fā)言則暗示禁止拋售作業(yè)已進(jìn)行
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挑戰(zhàn)快閃存儲(chǔ)器　首款CBRAM預(yù)計(jì)明年亮相

　　一家股東包括半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)的新創(chuàng)存儲(chǔ)器公司Adesto Technologies，正準(zhǔn)備推出首款導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(conductive-bridging RAM， CBRAM )。 CBRAM 是一種低耗電、與CMOS兼容的存儲(chǔ)器，可客制化應(yīng)用在廣泛的離散式或嵌入式市場(chǎng)，該公司打算最快在2011年第一季推出首款 CBRAM 樣品。　　在近日于美國(guó)舉行的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器研討會(huì)(Non Volatile Memory Conference)上，Ades
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存儲(chǔ)器大廠重兵部署Mobile RAM　明年激戰(zhàn)難免

　　高階智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)應(yīng)用逐漸侵蝕筆記型計(jì)算機(jī)(NB)市場(chǎng)，全球存儲(chǔ)器大廠包括三星電子(Samsung Electronics)、爾必達(dá)(Elpida)、美光(Micron)紛重兵部署Mobile RAM市場(chǎng)，由于生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM利潤(rùn)減少，國(guó)際存儲(chǔ)器大廠持續(xù)將產(chǎn)能移往Mobile RAM產(chǎn)品。臺(tái)系DRAM廠加入Mobile RAM戰(zhàn)局時(shí)間點(diǎn)較晚，其中，南亞科Mobile RAM已送客戶認(rèn)證，預(yù)計(jì)2011年第1季放量，茂德2011年亦將在爾必達(dá)授權(quán)下加入戰(zhàn)局，而華邦Mobile RAM更是目前營(yíng)運(yùn)
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IC產(chǎn)業(yè)紅色警報(bào) 9月市場(chǎng)已呈現(xiàn)弱勢(shì)

　　目前模擬、存儲(chǔ)器、PC芯片及其它，雖不能言己下降，但是己呈現(xiàn)季節(jié)性的弱勢(shì)。　　VLSI的總裁Dan Hutcheson認(rèn)為在2010年初開(kāi)始熱了一陣之后，目前IC工業(yè)可能回復(fù)到正常的狀態(tài)。有人說(shuō)工業(yè)開(kāi)始減緩，停頓或者是可怕的再次下降，也可能都不對(duì)。　　換言之，IC市場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始變?nèi)?，正回到正常的理性增長(zhǎng)循環(huán)周期。　　之所以如此，因?yàn)?月的銷售額可能預(yù)示IC產(chǎn)業(yè)在今年的最后一個(gè)季度，包括明年的態(tài)勢(shì)有眾多的不確定性。　　Hutcheson說(shuō)，人們常說(shuō)從9月可看全年。而今年的9月已真的轉(zhuǎn)弱，而
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內(nèi)嵌XPM存儲(chǔ)器RFID高頻接口模塊設(shè)計(jì)

摘要：本文介紹了13.56MHz符合ISO15693的RFID高頻接口模塊的設(shè)計(jì),包括在10%或100%的ASK調(diào)制的時(shí)鐘提取,從交流的天線信號(hào)產(chǎn)生直流電壓的模塊,限制天線電壓的保護(hù)模塊,解調(diào)和調(diào)制模塊和電源穩(wěn)壓模塊。還介紹了用cadenc
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基于fifo存儲(chǔ)器的聲發(fā)射信號(hào)的數(shù)據(jù)傳輸及存儲(chǔ)

　　聲發(fā)射技術(shù)是光纖傳感技術(shù)和聲發(fā)射技術(shù)相結(jié)合的產(chǎn)物，是目前聲發(fā)射技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。它將高靈敏度聲發(fā)射傳感器安裝于受力構(gòu)件表面以形成一定數(shù)目的傳感器陣列，實(shí)時(shí)接收和采集來(lái)自于材料缺陷的聲發(fā)射信號(hào)，進(jìn)而通
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細(xì)分半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)

　　市場(chǎng)調(diào)查公司Gartner發(fā)布最新半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)預(yù)測(cè)，2010年增長(zhǎng)一倍以上，達(dá)122%，但是2011年及2012年分別僅增長(zhǎng)10%及7.4%，速度明顯的放慢。　　然而，有的公司看法更為悲觀，如巴克萊的CJ Muse，它對(duì)2011年的設(shè)備看法，由原先增長(zhǎng)20%，下調(diào)至下降10%，反差之大讓人驚慌。并預(yù)計(jì)2011年全球半導(dǎo)體設(shè)備將再次下滑至250億美元。它的理由是由于全球經(jīng)濟(jì)不確定的前景，整個(gè)技術(shù)供應(yīng)鏈的市場(chǎng)需求不足，尤其是存儲(chǔ)器與代工市場(chǎng)的變?nèi)?。Muse認(rèn)為，未來(lái)的態(tài)勢(shì)與之前工業(yè)曾經(jīng)歷過(guò)的
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存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的軟誤差率(SER)問(wèn)題

存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的軟誤差率(SER)問(wèn)題,　　軟誤差率(SER)問(wèn)題是于上個(gè)世紀(jì)70年代后期作為一項(xiàng)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)課題而受到人們的廣泛關(guān)注的，當(dāng)時(shí)DRAM開(kāi)始呈現(xiàn)出隨機(jī)故障的征兆。隨著工藝幾何尺寸的不斷縮小，引起失調(diào)所需的臨界電荷的減少速度要比存儲(chǔ)單元中的電
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]