存儲器文章進(jìn)入存儲器技術(shù)社區(qū)

誰在積極擴(kuò)充半導(dǎo)體產(chǎn)能？

　　SEMI于6月1日公布全球半導(dǎo)體投資的報(bào)告，之前曾預(yù)測2010年增長60%，而如今已修正為增長117%，從2009年的163億美元，到2010年的355億美元(把分立器件的投資計(jì)在內(nèi))，如扣除分立器件為335億美元，增長115.7%。　　誰在積極擴(kuò)充產(chǎn)能　　去年全球半導(dǎo)體業(yè)處于減投資時(shí)期，今年產(chǎn)業(yè)受需求增長及價(jià)格上升的雙重夾攻的影響，許多公司宣布積極的擴(kuò)張策略，所以在2010年投資中有部分仍是為技術(shù)升級，但也有許多為了擴(kuò)充產(chǎn)能。　　如果依類別看，全球代工與2009年相比，其2010年安裝產(chǎn)
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Maxim推出具有無痕跡存儲器和篡改檢測功能的安全管理器

　　Maxim推出帶有1024字節(jié)無痕跡存儲器的安全管理器DS3644，可安全存儲敏感數(shù)據(jù)。器件內(nèi)部的篡改監(jiān)測器能夠有效抵御時(shí)鐘、電信號和溫度篡改事件，還可將篡改檢測輸入連接至外部傳感器，實(shí)現(xiàn)靈活的定制特性。片內(nèi)無痕跡存儲器允許終端用戶在發(fā)生特定篡改事件時(shí)有選擇地清除存儲器數(shù)據(jù)。這種具有專利保護(hù)的存儲器架構(gòu)*能夠確保在發(fā)生篡改事件時(shí)立即擦除數(shù)據(jù)，從而提高了基于SRAM存儲器的系統(tǒng)安全等級。DS3644能夠滿足政府設(shè)施、軍事系統(tǒng)等高安全等級應(yīng)用的要求，適用于需要監(jiān)測多種篡改操作的系統(tǒng)。　　DS3644能
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今年Q1呈現(xiàn)出04年以來最強(qiáng)的季度銷售額

　　按iSuppli報(bào)道，今年Q1半導(dǎo)體銷售額與09年Q4相比增長2%，是連續(xù)第四個(gè)季度環(huán)比的增長，也是2004年以來最強(qiáng)的季度銷售額。　　按iSuppli市場部副總裁Dale Ford認(rèn)為，得出這樣的結(jié)果是iSuppli公司通過統(tǒng)計(jì)150家以上公司中，僅只有6家公司在Q1中的銷售額比同期的09年Q1低。　　由此表示產(chǎn)業(yè)經(jīng)過09年初的危機(jī)之后，己經(jīng)進(jìn)人全方位的復(fù)蘇。　　由瑞薩與NEC組成的新瑞薩列于該公司的全球Q1前10位供應(yīng)商排名中的第5位。而由IC Insight列出的全球前20位供應(yīng)商排
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存儲器市場高漲引發(fā)全球前20大IC供應(yīng)商排名大變

　　按IC Insight報(bào)告，在DRAM 及NAND市場高漲下，導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。　　IC Insight的McLean的5月最新報(bào)告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠，它們的排名至少前進(jìn)了一位，其中 Elpida前進(jìn)了6位，列于第10。　　同時(shí)列于第2的三星電子，估計(jì)2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長達(dá)50%以上。　　三星在本月初時(shí)，它將擴(kuò)大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元，也即表示
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DRAM模塊大者越大　金士頓全球市占突破40%

　　存儲器模塊產(chǎn)業(yè)2009年享受低價(jià)庫存變黃金的榮景，但2010年?duì)I運(yùn)則面對嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，惟產(chǎn)業(yè)大者越大的趨勢不變，根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu) iSuppli最新統(tǒng)計(jì)，金士頓2009年全球市占率已達(dá)40.3%，幾乎是第2到8名的總和，威剛則以7.4%位居全球第2，而2009年DRAM模塊產(chǎn)業(yè)規(guī)模約175億美元，整體出貨量約6.32億支，預(yù)計(jì)2010年會提升至242億美元之多。　　2009年DRAM價(jià)格觸底反彈，存儲器模塊廠營運(yùn)率先受惠，幾乎是上半年各廠手上還抱著庫存欲哭無淚，但隨著奇夢達(dá)(Qimonda)退出市場、個(gè)人
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擴(kuò)大市占　海力士2012年前擬投資近80億美元

　　韓國媒體Korea Times獨(dú)家獲得海力士(Hynix)內(nèi)部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲器廠商提高投資，預(yù)料競爭將加劇。　　除提高投資外，該份名為「財(cái)務(wù)穩(wěn)健中期策略(Mid-Term Strategies for Financial Soundness)」的文件亦顯示，海力士在2012年的營收目標(biāo)為12兆韓元，較2010年的10兆韓元成長20%，而全球DRAM市占率可望提高至 25%，NAND Flash的市占率則可望達(dá)到20
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可編程和自營業(yè)務(wù)是提升利潤的竅門

　　在芯片市場，很多廠商在追逐著摩爾定律，例如CPU、存儲器、FPGA等產(chǎn)品靠工藝的進(jìn)步來降低單位成本，靠大批量通用產(chǎn)品來獲利。除此之外，另一種可取的方法是做高附加價(jià)值產(chǎn)品。不久前，Cypress公司市場傳訊部高級總監(jiān)Joseph L. McCarthy向本刊介紹了該公司這幾年的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型：該公司正從做通用產(chǎn)品轉(zhuǎn)為可編程器件和自營產(chǎn)品上來(圖1)，2009年可編程和自營產(chǎn)品比例已達(dá)到81%。這兩部分可使產(chǎn)品的單價(jià)上升，產(chǎn)生更高的利潤。　　PSoC/觸控可編程戰(zhàn)略　　為了實(shí)施可編程戰(zhàn)略，2003年
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擴(kuò)大市占　海力士2012年前擬投資近80億美元

　　韓國媒體Korea Times獨(dú)家獲得海力士(Hynix)內(nèi)部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲器廠商提高投資，預(yù)料競爭將加劇。　　除提高投資外，該份名為「財(cái)務(wù)穩(wěn)健中期策略(Mid-Term Strategies for Financial Soundness)」的文件亦顯示，海力士在2012年的營收目標(biāo)為12兆韓元，較2010年的10兆韓元成長20%，而全球DRAM市占率可望提高至 25%，NAND Flash的市占率則可望達(dá)到20
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一年之隔芯片市場形勢冰火兩重天

　　對于全球半導(dǎo)體業(yè)，如果比較2009 Q1與2010 Q1的結(jié)果感覺如兩重天。2009年Q1時(shí)感覺一場災(zāi)難來臨，心中無底，反復(fù)詢問“何時(shí)走出谷底”?而到2010年Q1時(shí)，產(chǎn)業(yè)似乎來了個(gè)大逆轉(zhuǎn)，好得有點(diǎn)出奇，樂壞了全球市場分析公司，它們有用武之地，但是企業(yè)家們卻在冷靜的思考，是“真的來臨了嗎”? 　　兩重天　　據(jù)SIA公布的2010年Q1全球半導(dǎo)體銷售額為692億美元，與2009年Q1的437億美元相比增長達(dá)58%。另外據(jù)IC Insigh
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三星半導(dǎo)體社長：今年存儲器將供不應(yīng)求

　　三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長權(quán)五鉉表示，2010年存儲器將供不應(yīng)求，且將在第2季內(nèi)決定半導(dǎo)體領(lǐng)域的追加投資規(guī)模。　　權(quán)五鉉出席4日在首爾三成洞GRAND InterContinental飯店召開的韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會2010年定期總會時(shí)說明，若期望在2010年內(nèi)看到追加投資成果，第4季前所有裝備必須就定位，以交貨時(shí)間為考量推算，第2季就須先確定投資計(jì)畫。　　權(quán)五鉉未發(fā)表具體追加投資金額，業(yè)界猜測約為4兆韓元(約35.88億美元)。　　權(quán)五鉉對于延后確認(rèn)半
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追趕65納米

　　在渡過困難的09年后,全球半導(dǎo)體業(yè)迎來新一輪的高潮。市場相繼出現(xiàn)存儲器, 模擬電路等缺貨現(xiàn)象及OEM庫存不足。具風(fēng)向標(biāo)意義的1Gb DDR2價(jià)格由1,5美元升至3,0美元, 所以虧損了近3年的美光, 爾必達(dá)及海力士都報(bào)導(dǎo)扭虧為盈, 預(yù)計(jì)2010年全球DRAM增長40%,可達(dá)319億美元。　　以臺積電為首的代工業(yè)也是看好, 預(yù)計(jì)今年有20%的增長。2010年Q1，它的65納米先進(jìn)制程取消淡季的固定優(yōu)惠，實(shí)際上是變相的價(jià)格上漲。臺積電去年第四季營收920.9億臺幣，季增2.4%，65納米占營收30%，
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基于單片機(jī)P0口的片外數(shù)據(jù)存儲器擴(kuò)展

單片機(jī)作為一種微型計(jì)算機(jī)，其內(nèi)部具有一定的存儲單元(8031除外)，但由于其內(nèi)部存儲單元及端口有限，很多情況下難以滿足實(shí)際需求。為此介紹一種新的擴(kuò)展方法，將數(shù)據(jù)線與地址線合并使用，通過軟件控制的方法實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)線與地址線功能的分時(shí)轉(zhuǎn)換，數(shù)據(jù)線不僅用于傳送數(shù)據(jù)信號，還可作為地址線、控制線，用于傳送地址信號和控制信號，從而實(shí)現(xiàn)單片機(jī)與存儲器件的有效連接。以單片機(jī)片外256 KB數(shù)據(jù)存儲空間的擴(kuò)展為例，通過該擴(kuò)展方法，僅用10個(gè)I／O端口便可實(shí)現(xiàn)，與傳統(tǒng)的擴(kuò)展方法相比，可節(jié)約8個(gè)I／O端口。
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基于單片機(jī)的FIash存儲器壞塊自動檢測

在深入了解Flash存儲器的基礎(chǔ)上，采用單片機(jī)自動檢測存儲器無效塊。主要通過讀取每一塊的第1、第2頁內(nèi)容，判斷該塊的好壞，并給出具體的實(shí)現(xiàn)過程，以及部分關(guān)鍵的電路原理圖和C語言程序代碼。該設(shè)計(jì)最終實(shí)現(xiàn)單片機(jī)自動檢測Flash壞塊的功能，并通過讀取ID號檢測Flash的性能，同時(shí)該設(shè)計(jì)能夠存儲和讀取1 GB數(shù)據(jù)。
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海力士1Q獲利季增25%

　　韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)公布2010會計(jì)年度第1季 (2010年1~3月)財(cái)報(bào)，與2009年同期凈損1.18兆韓元(約10.62億美元)相比，海力士本季達(dá)成獲利8,220億韓元，比前季成長25%。營收則達(dá)2.82兆韓元，比2009年同期成長115%，亦比前季略增220億韓元。　　海力士營收穩(wěn)定成長，主要受到存儲器市場景氣興盛、DRAM出貨量增加及存儲器平均價(jià)格拉臺刺激。　　海力士表示，DRAM本季平均價(jià)格成長3%、出貨量成長6%。NAND Flash平均價(jià)格雖下滑8%，然出貨量持平。
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三星、海力士停電　PC恐受沖擊

　　存儲器大廠三星電子(Samsung Electronics)器興廠3月底甫發(fā)生停電事件，海力士(Hynix)位于韓國M10廠房21日亦出現(xiàn)停電意外，海力士宣稱僅發(fā)生0.1秒瞬間電壓下降，由于有不斷電系統(tǒng)支應(yīng)，并未造成任何損失，存儲器業(yè)者則傳出這次海力士實(shí)際停電時(shí)間是下午1~3點(diǎn)，長達(dá)2小時(shí)之久，盡管停電事件對于實(shí)際產(chǎn)出影響有限，然因目前DRAM市場供給嚴(yán)重吃緊，若韓系大廠再減少一些產(chǎn)能，恐怕將對PC廠出貨造成沖擊。　　海力士位于韓國京畿道M10廠房在 21日下午傳出突然停電事件，公司在第1時(shí)間出面
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]