存儲器文章進入存儲器技術(shù)社區(qū)

存儲器及代工推動2010年投資增長

　　按華爾街的一位分析師預計，2010年半導體固定資產(chǎn)投資在存儲器和代工的再次推動下可達335億美元，比09年增加50%。　　由于09年存儲器的產(chǎn)能緊縮，在2010年為了滿足市場需求的增加，制造商又開始增加投資。按Barclays Capital的分析師C.J Muse預測，半導體業(yè)的投資在2010年增加42%。通過比較，其中存儲器相比于09年增加38%，而相比于07年又下降63%。　　代工的投資在2010年將由09年的50億美元，上升到90億美元。并預計投資集中在臺積電及新廠Globalfoun
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基于閃存的星載大容量存儲器的研究和實現(xiàn)

摘要：就閃存應(yīng)用于星載大容量存儲器時的寫入速度慢、存在無效塊等關(guān)鍵問題探討了可行性解決方案，并在方案討論的基礎(chǔ)上論述了一個基于閃存的大容量存儲器的演示樣機的實現(xiàn)。無效塊空間飛行器的數(shù)據(jù)記錄設(shè)備是
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為存儲器測試開發(fā)低成本的解決方案

便攜式技術(shù)的發(fā)展使人們越來越依賴蜂窩電話、PDA和導航系統(tǒng)這類便攜式裝置。隨著處理器技術(shù)的不斷進步，過去幾年中大容量存儲器件的設(shè)計和開發(fā)呈指數(shù)級增長。例如，從蘋果公司的iPod Mini到尺寸更小的iPod Nano產(chǎn)品
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威剛陳立白：今年DRAM市場多處于缺貨狀態(tài)

　　存儲器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進1個股本的豐碩成績單，董事長陳立白表示，2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數(shù)時間將處于缺貨的狀態(tài)，只要價格維持平穩(wěn)，預計對于模塊產(chǎn)業(yè)絕對是好事，往年會是傳統(tǒng)淡季的第2季，2010年將會見到淡季不淡，也不見五窮六絕;而NAND Flash產(chǎn)業(yè)價格則預計會起起伏伏，整體而言，DRAM表現(xiàn)會優(yōu)于NAND Flash產(chǎn)業(yè)。　　威剛2009年進行高層人士調(diào)整，延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲器部門資深營銷副總金一雄擔任威剛總經(jīng)理一職，與原有的總經(jīng)理
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對FPGA中SPI復用配置的編程方法的研究

SPI(SerialPeripheralInteRFace，串行外圍設(shè)備接口)是一種高速、全雙工、同步的通信總線，在芯片的引腳上...
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相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器

相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器,從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：容量
C 因為消費電子、計算機、通信三合一的應(yīng)用趨勢，所有電子系統(tǒng)的代碼量都以冪指數(shù)的速率增長，數(shù)據(jù)增長速率甚至更
關(guān)鍵字：存儲器模型新型使用全新實現(xiàn) 相變

基于當代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計

1、引言
當代計算機系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的帶寬，本文就如何設(shè)計一種符合當代DRAM結(jié)構(gòu)的高效存儲器控制器進行研究。
本文第二部分介紹當代D
關(guān)鍵字：控制器設(shè)計存儲器結(jié)構(gòu) 當代 DRAM 基于

半導體二手設(shè)備市場看好

　　全球半導體翻新，二手設(shè)備市場歷來很難精切的界定及統(tǒng)計，有人認為是處于半祕密狀態(tài)(semi-secrecy)。不管是出售二手設(shè)備的供應(yīng)商或者購買設(shè)備的公司都比較含蓄，而不大愿意公布其細節(jié)。因為購買二手設(shè)備從好的方面被認為是節(jié)省投資，從不好方面可能會讓人另眼相看。但是在目前階段那些負面的影響可能會減少。因為一方面工業(yè)處于下降周期，二手設(shè)備拋向市場增多，而在另一方面業(yè)界對于二手設(shè)備的認識也逐漸有所改善。　　ClassOne是美國Atlanta基一家翻新及納米技術(shù)設(shè)備的供應(yīng)商，進行二手設(shè)備的買賣，包括薄膜
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海力士：2010年DRAM供不應(yīng)求

　　據(jù)華爾街日報(WSJ)報導，韓國半導體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現(xiàn)，將提升資本支出并擴張產(chǎn)能。　　海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑，此外，預期2010年全球個人計算機(PC)市場需求將增加10%、全球DRAM存儲器芯片將缺貨，半導體市場已走出過去3年的谷底，前景相當穩(wěn)定。　　隨著景氣逐漸回升，海力士計劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平，及擴張目前的NAND
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TIMC驚傳B計畫　力晶爭取買回瑞晶股權(quán)

　　盡管臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)瀕臨解散邊緣，但對于力晶而言，仍是揮之不去的心腹大患，尤其近期業(yè)界不斷傳出TIMC有一套「B計畫」版本，可能藉由與爾必達(Elpida)合作滲入瑞晶，再度于DRAM產(chǎn)業(yè)復活。因此，力晶對于手上瑞晶持股偏低問題，始終耿耿于懷，不斷宣示要買回合作伙伴爾必達手上瑞晶股權(quán)，不過，爾必達會不會同意釋股仍是大問題。　　存儲器業(yè)者透露，力晶不只一次對外宣布要買回瑞晶持股，盡管業(yè)界多認為并沒有這個必要，因為力晶對瑞晶持股不論是30%或40%，其實都不能改變主導權(quán)旁落爾必達的事實，
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PC DRAM容量提升至2.92GB　DRAM現(xiàn)貨價大漲3%　

　　沈寂已久的DRAM價格再度動起來，存儲器廠對于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看法相當樂觀，DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài)，目前個人計算機(PC)搭載存儲器平均容量成長16%至2.92GB，未來消費性PC機種搭載DRAM容量可望升級至4GB，市場對于后市看法相當樂觀，原本外界預期12月合約價格會開始下跌，反應(yīng)淡季效應(yīng)，但目前開出是持平，反映市場供給不多，而22日現(xiàn)貨價格又開始蠢蠢欲動，一口氣大漲3%;此外，下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場表現(xiàn)將優(yōu)于NAND Flash市場。　　存儲器模塊廠一致看好2010
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存儲器價格回溫　美光虧損11季后首度獲利

　　美國存儲器大廠美光(Micron)公布2010會計年度第1季(2009年9~11月)財報，由于存儲器價格回溫，因此在連續(xù)虧損11季之后，終于由虧轉(zhuǎn)盈。第1季營收為17.4億美元，較2009年度同期成長約24%。凈利為2.04億美元，每股盈余(EPS)為0.23美元。　　據(jù)彭博(Bloomberg)的預估，美光第1季的每股盈余為0.06美元，實際表現(xiàn)情況超出華爾街多數(shù)分析師的預期。美光執(zhí)行長Steve Appleton表示，盡管全球經(jīng)濟仍挑戰(zhàn)重重，美光靠著技術(shù)領(lǐng)先、成本優(yōu)勢及財務(wù)穩(wěn)健的優(yōu)勢，可望在市
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東京大學研發(fā)出可彎曲有機快閃記憶體

　　東京大學宣布已經(jīng)開發(fā)出一種可彎曲的快閃記憶體，這種記憶體完全由有機材料打造，額定讀取和擦除電壓分別為1V和6V，可惜的是壽命不長，數(shù)據(jù)只能被寫入和擦除超過1000次左右。　　這種存儲器的用途廣泛，可以用于大面積的傳感器，電子紙和其他大型電子設(shè)備，由于存儲壽命問題沒有解決，因此還沒有到商用階段。　　目前早期的樣機已經(jīng)出現(xiàn)，這種記憶體采用聚乙烯酯(PEN)，作為樹脂薄膜基板，可以靈活彎曲直至它的半徑為6mm也不會出現(xiàn)數(shù)據(jù)損害，并且可以短期保持記憶。
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爾必達預期明年DRAM需求大增

　　日本電腦芯片大廠Elpida Memory Inc. 預期芯片將出現(xiàn)短缺潮，因而計劃在明年4月起的財年中，增加其資本支出。　　爾必達社長兼執(zhí)行長坂本幸雄周二在記者會上表示，爾必達下一個財年的資本支出可能將自本財年的5億美元上升至6億美元。　　他表示：“明年(DRAM芯片產(chǎn)業(yè)狀況將大幅好轉(zhuǎn)。” 　　爾必達預期，一些驅(qū)動新需求的動力，例如微軟的Window 7個人電腦操作系統(tǒng)，有可能刺激個人電腦汰換潮發(fā)生，進而提升存儲芯片的銷售力道。　　坂本幸雄預期，明年全球用于電腦
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非易失性半導體存儲器的相變機制

　　非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲器，而代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲器的隨機訪存速度更快。　　經(jīng)過研究人員對浮柵存儲技術(shù)的堅持不懈的研究，現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應(yīng)該有所提升，盡管如此，現(xiàn)在人們越來越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級到更小技術(shù)節(jié)點的新式存儲器機制和材料。　　目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲機制，相變存儲器(PC
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]