存儲器文章進入存儲器技術社區(qū)

存儲器及代工推動2010年投資增長

　　按華爾街的一位分析師預計，2010年半導體固定資產(chǎn)投資在存儲器和代工的再次推動下可達335億美元，比09年增加50%。　　由于09年存儲器的產(chǎn)能緊縮，在2010年為了滿足市場需求的增加，制造商又開始增加投資。按Barclays Capital的分析師C.J Muse預測，半導體業(yè)的投資在2010年增加42%。通過比較，其中存儲器相比于09年增加38%，而相比于07年又下降63%。　　代工的投資在2010年將由09年的50億美元，上升到90億美元。并預計投資集中在臺積電及新廠Globalfoun
關鍵字： Globalfoundries 存儲器

基于閃存的星載大容量存儲器的研究和實現(xiàn)

摘要：就閃存應用于星載大容量存儲器時的寫入速度慢、存在無效塊等關鍵問題探討了可行性解決方案，并在方案討論的基礎上論述了一個基于閃存的大容量存儲器的演示樣機的實現(xiàn)。無效塊空間飛行器的數(shù)據(jù)記錄設備是
關鍵字：閃存大容量存儲器星載

為存儲器測試開發(fā)低成本的解決方案

便攜式技術的發(fā)展使人們越來越依賴蜂窩電話、PDA和導航系統(tǒng)這類便攜式裝置。隨著處理器技術的不斷進步，過去幾年中大容量存儲器件的設計和開發(fā)呈指數(shù)級增長。例如，從蘋果公司的iPod Mini到尺寸更小的iPod Nano產(chǎn)品
關鍵字：存儲器測試方案

威剛陳立白：今年DRAM市場多處于缺貨狀態(tài)

　　存儲器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進1個股本的豐碩成績單，董事長陳立白表示，2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數(shù)時間將處于缺貨的狀態(tài)，只要價格維持平穩(wěn)，預計對于模塊產(chǎn)業(yè)絕對是好事，往年會是傳統(tǒng)淡季的第2季，2010年將會見到淡季不淡，也不見五窮六絕;而NAND Flash產(chǎn)業(yè)價格則預計會起起伏伏，整體而言，DRAM表現(xiàn)會優(yōu)于NAND Flash產(chǎn)業(yè)。　　威剛2009年進行高層人士調(diào)整，延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲器部門資深營銷副總金一雄擔任威剛總經(jīng)理一職，與原有的總經(jīng)理
關鍵字：威剛存儲器 NAND

對FPGA中SPI復用配置的編程方法的研究

SPI(SerialPeripheralInteRFace，串行外圍設備接口)是一種高速、全雙工、同步的通信總線，在芯片的引腳上...
關鍵字： FPGA SPI 復用配置存儲器

相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器

相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器,從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術均符合當前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：容量
C 因為消費電子、計算機、通信三合一的應用趨勢，所有電子系統(tǒng)的代碼量都以冪指數(shù)的速率增長，數(shù)據(jù)增長速率甚至更
關鍵字：存儲器模型新型使用全新實現(xiàn) 相變

基于當代DRAM結(jié)構的存儲器控制器設計

1、引言
當代計算機系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的帶寬，本文就如何設計一種符合當代DRAM結(jié)構的高效存儲器控制器進行研究。
本文第二部分介紹當代D
關鍵字：控制器設計存儲器結(jié)構當代 DRAM 基于

半導體二手設備市場看好

　　全球半導體翻新，二手設備市場歷來很難精切的界定及統(tǒng)計，有人認為是處于半祕密狀態(tài)(semi-secrecy)。不管是出售二手設備的供應商或者購買設備的公司都比較含蓄，而不大愿意公布其細節(jié)。因為購買二手設備從好的方面被認為是節(jié)省投資，從不好方面可能會讓人另眼相看。但是在目前階段那些負面的影響可能會減少。因為一方面工業(yè)處于下降周期，二手設備拋向市場增多，而在另一方面業(yè)界對于二手設備的認識也逐漸有所改善。　　ClassOne是美國Atlanta基一家翻新及納米技術設備的供應商，進行二手設備的買賣，包括薄膜
關鍵字：芯片制造存儲器

海力士：2010年DRAM供不應求

　　據(jù)華爾街日報(WSJ)報導，韓國半導體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現(xiàn)，將提升資本支出并擴張產(chǎn)能。　　海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑，此外，預期2010年全球個人計算機(PC)市場需求將增加10%、全球DRAM存儲器芯片將缺貨，半導體市場已走出過去3年的谷底，前景相當穩(wěn)定。　　隨著景氣逐漸回升，海力士計劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術水平，及擴張目前的NAND
關鍵字： Hynix 存儲器 NAND

TIMC驚傳B計畫　力晶爭取買回瑞晶股權

　　盡管臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)瀕臨解散邊緣，但對于力晶而言，仍是揮之不去的心腹大患，尤其近期業(yè)界不斷傳出TIMC有一套「B計畫」版本，可能藉由與爾必達(Elpida)合作滲入瑞晶，再度于DRAM產(chǎn)業(yè)復活。因此，力晶對于手上瑞晶持股偏低問題，始終耿耿于懷，不斷宣示要買回合作伙伴爾必達手上瑞晶股權，不過，爾必達會不會同意釋股仍是大問題。　　存儲器業(yè)者透露，力晶不只一次對外宣布要買回瑞晶持股，盡管業(yè)界多認為并沒有這個必要，因為力晶對瑞晶持股不論是30%或40%，其實都不能改變主導權旁落爾必達的事實，
關鍵字： TIMC DRAM 存儲器

PC DRAM容量提升至2.92GB　DRAM現(xiàn)貨價大漲3%　

　　沈寂已久的DRAM價格再度動起來，存儲器廠對于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看法相當樂觀，DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài)，目前個人計算機(PC)搭載存儲器平均容量成長16%至2.92GB，未來消費性PC機種搭載DRAM容量可望升級至4GB，市場對于后市看法相當樂觀，原本外界預期12月合約價格會開始下跌，反應淡季效應，但目前開出是持平，反映市場供給不多，而22日現(xiàn)貨價格又開始蠢蠢欲動，一口氣大漲3%;此外，下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場表現(xiàn)將優(yōu)于NAND Flash市場。　　存儲器模塊廠一致看好2010
關鍵字：南亞科 DRAM 存儲器 NAND

存儲器價格回溫　美光虧損11季后首度獲利

　　美國存儲器大廠美光(Micron)公布2010會計年度第1季(2009年9~11月)財報，由于存儲器價格回溫，因此在連續(xù)虧損11季之后，終于由虧轉(zhuǎn)盈。第1季營收為17.4億美元，較2009年度同期成長約24%。凈利為2.04億美元，每股盈余(EPS)為0.23美元。　　據(jù)彭博(Bloomberg)的預估，美光第1季的每股盈余為0.06美元，實際表現(xiàn)情況超出華爾街多數(shù)分析師的預期。美光執(zhí)行長Steve Appleton表示，盡管全球經(jīng)濟仍挑戰(zhàn)重重，美光靠著技術領先、成本優(yōu)勢及財務穩(wěn)健的優(yōu)勢，可望在市
關鍵字： Micron 存儲器

東京大學研發(fā)出可彎曲有機快閃記憶體

　　東京大學宣布已經(jīng)開發(fā)出一種可彎曲的快閃記憶體，這種記憶體完全由有機材料打造，額定讀取和擦除電壓分別為1V和6V，可惜的是壽命不長，數(shù)據(jù)只能被寫入和擦除超過1000次左右。　　這種存儲器的用途廣泛，可以用于大面積的傳感器，電子紙和其他大型電子設備，由于存儲壽命問題沒有解決，因此還沒有到商用階段。　　目前早期的樣機已經(jīng)出現(xiàn)，這種記憶體采用聚乙烯酯(PEN)，作為樹脂薄膜基板，可以靈活彎曲直至它的半徑為6mm也不會出現(xiàn)數(shù)據(jù)損害，并且可以短期保持記憶。
關鍵字：存儲器電子紙傳感器

爾必達預期明年DRAM需求大增

　　日本電腦芯片大廠Elpida Memory Inc. 預期芯片將出現(xiàn)短缺潮，因而計劃在明年4月起的財年中，增加其資本支出。　　爾必達社長兼執(zhí)行長坂本幸雄周二在記者會上表示，爾必達下一個財年的資本支出可能將自本財年的5億美元上升至6億美元。　　他表示：“明年(DRAM芯片產(chǎn)業(yè)狀況將大幅好轉(zhuǎn)。” 　　爾必達預期，一些驅(qū)動新需求的動力，例如微軟的Window 7個人電腦操作系統(tǒng)，有可能刺激個人電腦汰換潮發(fā)生，進而提升存儲芯片的銷售力道。　　坂本幸雄預期，明年全球用于電腦
關鍵字： Elpida DRAM 存儲器

非易失性半導體存儲器的相變機制

　　非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲應用需要寫入速度極快的高密度存儲器，而代碼執(zhí)行應用則要求存儲器的隨機訪存速度更快。　　經(jīng)過研究人員對浮柵存儲技術的堅持不懈的研究，現(xiàn)有閃存的技術能力在2010年底應該有所提升，盡管如此，現(xiàn)在人們越來越關注有望至少在2020年末以前升級到更小技術節(jié)點的新式存儲器機制和材料。　　目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲機制，相變存儲器(PC
關鍵字：恒憶 NVM 存儲器浮柵存儲

共1627條 58/109 |‹ « 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 » ›|

存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構成構成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]