存儲器文章進入存儲器技術(shù)社區(qū)

基于DSP的外部存儲器引導(dǎo)方法實現(xiàn)

基于DSP的外部存儲器引導(dǎo)方法實現(xiàn),TI公司的高速數(shù)字信號處理器TMS320C6000系列DSP支持并行處理，采用甚長指令字(VLIW)體系結(jié)構(gòu)，內(nèi)部設(shè)置有8個功能單元(兩個乘法器和6個ALU)，8個功能單元可并行操作，最多可以在一個周期內(nèi)同時執(zhí)行八條32位指令。指令
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USB接口的傳感器與存儲器在數(shù)據(jù)記錄中的實現(xiàn)

數(shù)據(jù)采集（DAQ），是指從傳感器和其它待測設(shè)備等模擬和數(shù)字被測單元中自動采非電量或者電量信號，送到上位機中...
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一種應(yīng)用于深亞微米存儲器的電荷泵設(shè)計

因只讀存儲器的基本存儲單元只進行一次編程，編程后的數(shù)據(jù)能長時間保存，且在編程時需要流過mA級以上的電流，所以只讀存儲器編程時通常采用外加編程高壓，內(nèi)部的電荷泵。在設(shè)計此類電荷泵時，擊穿電壓和體效應(yīng)的影響
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E2ROM存儲器讀寫器的制作和使用

E2ROM存儲器讀寫器的制作和使用,隨著總線控制技術(shù)的應(yīng)用，彩電上大多采用串行非易失存儲器作為數(shù)據(jù)的存儲這種存儲器目前常用的有24Ctimes;times;、93Ctimes;times;兩種系列，24Ctimes;times;系列有等型號，93Ctimes;times;系列有93C46/56/6
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1553B總線網(wǎng)絡(luò)存儲器設(shè)計方案

本文設(shè)計了1553B總線上的網(wǎng)絡(luò)存儲器。整個系統(tǒng)基于NIOS II內(nèi)核設(shè)計，利用SoPC技術(shù)將接口部分的邏輯控制全部集成于FPGA片內(nèi)，系統(tǒng)的存儲量、結(jié)點數(shù)量均可擴展?！　?0世紀70年代誕生的1553B總線，是一種主從式多余度總
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KeyStone存儲器架構(gòu)

序言
隨著全球范圍內(nèi)的海量數(shù)據(jù)對無線和有線網(wǎng)絡(luò)的強大沖擊，運營商面臨著嚴峻的挑戰(zhàn)，他們需要不斷推出既能滿足當前需求也能滿足未來需求的網(wǎng)絡(luò)。因此，通信基礎(chǔ)局端設(shè)備制造商在致力于降低每比特成本和功耗的同時
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鐵電存儲器FM18L08在DSP系統(tǒng)中的應(yīng)用

鐵電存儲器FM18L08在DSP系統(tǒng)中的應(yīng)用,1 引言　　鐵電存儲器(FRAM)是Ramtron公司近年推出的一款掉電不揮發(fā)存儲器，它結(jié)合了高性能和低功耗操作，能在沒有電源的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM克服了EEPROM和FLASH寫入時間長、擦寫次數(shù)低的缺點，其價格又比相同容量
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高密度可編程FIFO存儲器在視頻圖像中的應(yīng)用

高密度可編程FIFO存儲器在視頻圖像中的應(yīng)用, 在這篇文章中，我們將首先介紹幾個視頻應(yīng)用，了解其數(shù)據(jù)路徑及需要處理的數(shù)據(jù)性質(zhì)。下一步，我們將盡力估計在視頻處理通道中操作數(shù)據(jù)的復(fù)雜性。然后會介紹可編程高密度FIFO和其能力，以及它如何能更有效率的替代當前
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嵌入式片上存儲器有效使用的方法

嵌入式片上存儲器有效使用的方法,引言　　隨著CPU速度的迅速提高，CPU與片外存儲器的速度差異越來越大，匹配CPU與外部存儲器的方法通常是采用Cache或者片上存儲器。對于嵌入式設(shè)備上數(shù)據(jù)密集的應(yīng)用，數(shù)據(jù)Cache與片上存儲器相比存在以下缺陷：①片上
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讓智能電表更加省電的解決方案推介

為了提高能源效率，各國都在加快智能電網(wǎng)建設(shè)，大力推廣智能電表，以滿足電力需求的不斷攀升。在快速推進智能電...
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基于共享存儲器的多處理機并行快速通信

摘要：本文提出了當多處理機系統(tǒng)工作時，為了實現(xiàn)快速有效的通信，采用使多處理器共享存儲囂方案。IDT7134雙口RAM是本方案選擇的共享存儲器。針對該方案，本文給出了接口電路的硬件設(shè)計和軟件設(shè)計。在接口電路設(shè)計中
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存儲器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時代將再度來臨

　　隨著存儲器容量越來越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
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計算機存儲器的層次分析

計算機存儲器的層次分析,當前計算機幾乎毫無例外地采用了如圖所示的層次式存儲結(jié)構(gòu)，目的是為了兼顧存儲容量和存儲速度。在圖中，以處理器為中心，計算機系統(tǒng)的存儲依次為寄存器、高速緩存、主存儲器、磁盤緩存、磁盤和可移動存儲介質(zhì)等7個層
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相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法

相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法,BM蘇黎世研究中心的科學家們?nèi)涨氨硎荆呀?jīng)發(fā)現(xiàn)能夠可靠地在相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法。該小組采用90nm工藝技術(shù)，在200k單元陣列中實現(xiàn)了每存儲單元為四層(2位元)，并表示已開發(fā)出一種編碼方法，能克
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存儲器3Q景氣 NAND Flash略優(yōu)于DRAM

　　存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會隨著消費性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚，但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧，7月合約價續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認為8月中開始價格可止跌，但另一派業(yè)者則認為DRAM報價到年底都不會反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來看，下半年NANDFlash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會維持太長。
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]