存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用中NV SRAM存儲(chǔ)器的應(yīng)用

嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用中NV SRAM存儲(chǔ)器的應(yīng)用,傳統(tǒng)方案中常常采用EPROM、EEPROM和Flash存儲(chǔ)程序，NVSRAM具有高速存取時(shí)間和與SRAM相同的接口，因而可用于存儲(chǔ)程序。本文介紹NVSRAM如何與基于程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的微處理器進(jìn)行接口，并說明選用NVSRAM與現(xiàn)有的其它非易
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Invensas推出多芯片倒裝焊接(xFD)技術(shù)

Invensas Corporation 是半導(dǎo)體技術(shù)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，也是 Tessera Technologies, Inc.(納斯達(dá)克：TSRA)的全資子公司，現(xiàn)推出面向輕薄筆記本(又稱 UltrabooksTM)及平板電腦的 DIMM-IN-A-PACKAGETM multi-die face-down(多芯片倒裝焊接)(xFD)TM 技術(shù)。
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基于PSoC5 UDB的DMA傳輸

Cypress PSoC5是一款集成了可配置模擬/數(shù)字外設(shè)功能、存儲(chǔ)器和微控制器于一身的可編程嵌入式片上系統(tǒng)，使用32位3級(jí)流水的ARM Cortex-M3處理器內(nèi)核，運(yùn)行速度最高為67MHz。PSoC5的數(shù)字系統(tǒng)具有豐富的可配置能力，通過數(shù)字系統(tǒng)互連(DSI)可將來自外設(shè)的數(shù)字信號(hào)連接到任意引腳，它通過小的、快速的、低功耗的UDB陣列提供了靈活的功能。
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鐵電存儲(chǔ)器FM24C16原理及其在多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器FM24C16原理及其在多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用,1、鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)原理、特性及應(yīng)用美國Ramtron公司鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性。鐵電晶體的工作原理是：當(dāng)在鐵電晶體材
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基于DSP的外部Flash存儲(chǔ)器在線編程的軟硬件設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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基于fifo存儲(chǔ)器的聲發(fā)射信號(hào)的數(shù)據(jù)傳輸及存儲(chǔ)方案介紹

聲發(fā)射技術(shù)是光纖傳感技術(shù)和聲發(fā)射技術(shù)相結(jié)合的產(chǎn)物，是目前聲發(fā)射技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。它將高靈敏度聲發(fā)射傳感器安裝于受力構(gòu)件表面以形成一定數(shù)目的傳感器陣列，實(shí)時(shí)接收和采集來自于材料缺陷的聲發(fā)射信號(hào)，進(jìn)而通過對(duì)
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Ramtron通過低功耗非易失性存儲(chǔ)器來控制時(shí)間

世界領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron) 在剛舉行的硅谷Design West/嵌入式系統(tǒng)會(huì)議 (Silicon Valley Design West/Embedded Systems Conference) 發(fā)布新型低功耗F-RAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品，進(jìn)一步加強(qiáng)公司幫助客戶改善產(chǎn)品能效、訪問速度和安全性的能力。此外，Ramtron同時(shí)展出具有類似系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)的WM72016無線存儲(chǔ)器和F
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基于Flash存儲(chǔ)器的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

摘要:針對(duì)Flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)，設(shè)計(jì)了一種適合開源實(shí)時(shí)操作的嵌入式文件系統(tǒng)。該系統(tǒng)設(shè)計(jì)依據(jù)日志文件系...
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鐵電存儲(chǔ)器工作原理和器件結(jié)構(gòu)

鐵電存儲(chǔ)器工作原理和器件結(jié)構(gòu)1 鐵電存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器的需求越來越大 ...
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FPGA中SPI Flash存儲(chǔ)器的復(fù)用編程方法的實(shí)現(xiàn)

SPI(Serial Peripheral Interface，串行外圍設(shè)備接口)是一種高速、全雙工、同步的通信總線，在芯片的引腳上只占 ...
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串行FLASH存儲(chǔ)器在小型LED顯示系統(tǒng)中的應(yīng)用系統(tǒng)分析

LED顯示屏由于其具有耗電少、使用壽命長、成本低、亮度高、故障少、視角大、可視距離遠(yuǎn)等特點(diǎn)，已經(jīng)成為新一代的信息傳播媒體工具。LED與LCD相比較最突出的特點(diǎn)是亮度高、成本低且屏幕尺寸可根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)情況用標(biāo)準(zhǔn)LED單
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可靠性和性能俱佳的存儲(chǔ)器

除了NOR閃存之外，醫(yī)療電子中也會(huì)用到存儲(chǔ)量更大的NAND閃存，以及Managed NAND。醫(yī)療電子中可以用到的產(chǎn)品有工業(yè)級(jí)CF存儲(chǔ)卡和工業(yè)/汽車eMMC存儲(chǔ)器，工業(yè)級(jí)產(chǎn)品可以更好的滿足醫(yī)療電子對(duì)工作溫度、平均無故障時(shí)間的要
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增強(qiáng)型51系列單片機(jī)W77E58的存儲(chǔ)器訪問

增強(qiáng)型51系列單片機(jī)W77E58可與標(biāo)準(zhǔn)的8052兼容，它內(nèi)含4個(gè)8位I/O口、3個(gè)16位計(jì)數(shù)器和全雙工串行通信接口。由于W77E58對(duì)處理器內(nèi)核進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)，因而其性能較之于標(biāo)準(zhǔn)的8052有了很大提高。W77E58改進(jìn)了傳統(tǒng)處理器的
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快速創(chuàng)建存儲(chǔ)器接口的設(shè)計(jì)

Xilinx FPGA 提供可簡(jiǎn)化接口設(shè)計(jì)的 I/O 模塊和邏輯資源。盡管如此，這些 I/O 模塊以及額外的邏輯仍需設(shè)計(jì)人員在源 RTL 代碼中配置、驗(yàn)證、執(zhí)行，并正確連接到系統(tǒng)的其余部分，然后仔細(xì)仿真并在硬件中進(jìn)行驗(yàn)證。

　
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Ramtron推出最低功耗非易失性存儲(chǔ)器FM25P16

　　世界領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron) 宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲(chǔ)器。該16 kb器件的型號(hào)為FM25P16，是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器，為對(duì)功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)開創(chuàng)了全新的機(jī)遇。FM25P16是Ramtron低功耗存儲(chǔ)器系列中的首個(gè)產(chǎn)品，其能耗僅為EEPROM 器件的千分之一，并具有快速讀/寫特性和幾無乎無限次的耐用性。　　Ramtron市場(chǎng)推廣副總
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]