突破存儲器效能　HMCC發(fā)布第二代規(guī)范

　　混合記憶體立方聯(lián)盟(HMCC)宣布HMCC 2.0規(guī)范已定案并公開。透過將資料傳輸率從15Gb/秒提高到30Gb/秒，同時將相關通道模型從短距離(SR)遷移到非常短距離(VSR)，HMC第二代規(guī)范為記憶體性能建立了新的門檻，為該創(chuàng)新記憶體技術(shù)開發(fā)過程的一個重要里程碑，并預示其后續(xù)應用。

　　Open-Silicon矽智財(IP)和工程運營副總裁Hans Boumeester表示，HMCC 2.0為設計師提供了成熟的解決方案，以解決記憶體瓶頸并提供具有突破性記憶體性能的新一代系統(tǒng)。此次新標準得到批準，意味著設計師將能獲得符合標準的IP，可立刻整合到晶片與系統(tǒng)中，進而滿足下一代資料中心和高性能計算應用不斷增長的頻寬需求。

　　據(jù)了解，HMC技術(shù)方案可突破傳統(tǒng)記憶體技術(shù)的限制，在提供超高系統(tǒng)性能的同時也減少每位元傳輸耗電量。與第三代雙倍資料率(DDR3)技術(shù)相比，HMC提供的頻寬可達十五倍，而耗電量卻降低70%以上，體積縮小90%以上。其抽象記憶體使設計師減少為實現(xiàn)基本功能而選擇多個記憶體參數(shù)所需時間，同時還能管理糾錯、恢復、刷新和因記憶體過程變化而惡化的其他參數(shù)。

　　市場研究機構(gòu)Objective Analysis主管Jim Handy強調(diào)，HMCC 2.0規(guī)范的發(fā)布，顯示該聯(lián)盟對發(fā)展一系列高性能計算應用之規(guī)范的承諾。HMCC自成立以來已擁有一百五十位成員，發(fā)展相當迅速。

　　HMCC致力于開發(fā)和建立混合記憶體立方技術(shù)的行業(yè)標準介面規(guī)范，由Altera、美光(Micron)、Open-Silicon、三星電子(Samsung Electronics)和賽靈思(Xilinx)合作開發(fā)，其他聯(lián)盟成員還包括安謀國際(ARM)、IBM、SK海力士(SK Hynix)。