美光新內(nèi)存模塊 開始送樣
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美光18日宣布，該公司多重存取雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）開始送樣，針對內(nèi)存需求高達每DIMM 插槽128GB以上的應(yīng)用，其效能更勝目前的硅晶穿孔型（TSV）RDIMM。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/202407/461177.htm光第一代MRDIMM，與IntelR XeonR 6處理器兼容。美光MRDIMM現(xiàn)已上市，將于2024年下半年開始大量出貨。
美光指出，開始送樣的內(nèi)存是美光MRDIMM系列的第一代產(chǎn)品，實現(xiàn)最高帶寬、最大容量、最低延遲，以及更高的每瓦效能，加速內(nèi)存密集型如虛擬化多租戶、HPC和AI數(shù)據(jù)中心等的工作負載。
美光副總裁暨運算產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理Praveen Vaidyanathan表示，美光最新推出的創(chuàng)新主存儲器解決方案MRDIMM，以更低的延遲提供業(yè)界迫切需要的高帶寬與大容量，有助在下一代服務(wù)器平臺上實現(xiàn)大規(guī)模AI推論和高效能運算（HPC）應(yīng)用。
MRDIMM顯著降低每項任務(wù)的功耗，同時延續(xù)了與RDIMM相同的可靠性、可用性和可維護性功能與接口，為客戶提供靈活擴充效能的解決方案。
由于美光與業(yè)界緊密合作，因此，新產(chǎn)品不僅能夠無縫整合到現(xiàn)有服務(wù)器基礎(chǔ)架構(gòu)中，更可順暢銜接未來運算平臺。
MRDIMM技術(shù)采用DDR5的物理與電氣標準，帶來更先進的內(nèi)存，每核心的帶寬與容量雙雙提升，為未來運算系統(tǒng)做好準備，更滿足數(shù)據(jù)中心工作負載日益成長的需求。
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