4000億能砸出中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)嗎？

　　日前，武漢投資1600億元人民幣建設(shè)世界級(jí)存儲(chǔ)器基地，聯(lián)想到去年紫光竭力收購(gòu)國(guó)際存儲(chǔ)芯片公司和之前合肥投資460億元人民幣建設(shè)存儲(chǔ)芯片工廠，以及最近紫光意圖在深圳投資300億美元建廠，國(guó)家為發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)可謂人不惜血本。

　　一個(gè)月內(nèi)敲定三大存儲(chǔ)工廠

　　早在2006年，武漢就投資100億元啟動(dòng)武漢新芯項(xiàng)目，經(jīng)過(guò)10年的磨礪和成長(zhǎng)，武漢新芯已經(jīng)和西安華芯等公司成為中國(guó)存儲(chǔ)器領(lǐng)域的龍頭企業(yè)。本次投資1600億元人民幣將主攻方向是NAND Flash(NAND Flash閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)，比如手機(jī)上16G/32G/64G的閃存和電腦上的固態(tài)硬盤(pán)用的就是NAND Flash)，首批產(chǎn)品將于2017年上市銷(xiāo)售，預(yù)計(jì)到2020年形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬(wàn)片的產(chǎn)能。

　　在武漢、合肥等5座城市爭(zhēng)奪存儲(chǔ)器基地并以武漢的勝出而謝幕之后，合肥依舊沒(méi)有放棄發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的雄心，在技術(shù)上與日本前爾必達(dá)社長(zhǎng)坂本幸雄合作，主攻方向是DRAM(DRAM是易失性存儲(chǔ)技術(shù)，斷電失去數(shù)據(jù)，電腦上4G/8G內(nèi)存采用的就是DRAM)，在資金上投入460億人民幣，該DRAM工廠預(yù)計(jì)量產(chǎn)時(shí)間為2018年下半年，屆時(shí)12英寸晶圓月產(chǎn)能高達(dá)10萬(wàn)片。

　　3月24日，紫光制定了規(guī)模達(dá)300億美元的投資計(jì)劃，該存儲(chǔ)廠預(yù)計(jì)于2018年完工，2019年量產(chǎn)，首批產(chǎn)能為4萬(wàn)片(規(guī)劃3萬(wàn)片生產(chǎn)NAND Flash，1萬(wàn)片生產(chǎn)DRAM)，預(yù)計(jì)到2020年形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬(wàn)片的產(chǎn)能。紫光該項(xiàng)決策的執(zhí)行者就是素有臺(tái)灣存儲(chǔ)教父之稱(chēng)的前華亞科董事長(zhǎng)高啟全。

　　3D NAND

　　一直以來(lái)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)一直被外資占據(jù)，武漢新芯、西安華芯、中芯國(guó)際的存儲(chǔ)芯片不僅市場(chǎng)份額小，而且大多只能在中低端謀生存，而本次國(guó)家在存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)力，很顯然是為了解決在存儲(chǔ)芯片方面受制于人的問(wèn)題。

　　技術(shù)上或多或少依賴(lài)海外

　　武漢新芯在技術(shù)上和三星、鎂光等國(guó)際大廠有不小的距離。因此，采取了與美國(guó)飛索半導(dǎo)體合作共同研發(fā)的方式——在技術(shù)上，雖然在過(guò)去10年時(shí)間里培養(yǎng)了一批人才，積累了一定技術(shù)，但如果要想在技術(shù)上迅速縮小和三星、鎂光的差距，或多或少要仰仗飛索半導(dǎo)體。

　　合肥的存儲(chǔ)工廠在技術(shù)上比武漢新芯有著更強(qiáng)的對(duì)外依賴(lài)——合肥存儲(chǔ)工廠的合作方是兆基科技，雖然注冊(cè)地在香港，但實(shí)際掌舵人是前爾必達(dá)社長(zhǎng)坂本幸雄，而且研發(fā)和設(shè)計(jì)由日本工程師負(fù)責(zé)，生產(chǎn)工藝由臺(tái)灣工程師負(fù)責(zé)，合肥政府做的僅僅是成立公司和負(fù)責(zé)工廠的運(yùn)營(yíng)……因此，合肥投資460億建設(shè)存儲(chǔ)工廠，也被人戲言為“在爾必達(dá)被收購(gòu)后，末代社長(zhǎng)坂本幸雄匯集中國(guó)大陸資本和日本、中國(guó)臺(tái)灣的工程師向韓國(guó)三星、海力士宣戰(zhàn)”。

　　雖然紫光并沒(méi)有宣布其技術(shù)來(lái)源，但聯(lián)系去年紫光對(duì)鎂光不成功的收購(gòu)和與海力士的對(duì)話(huà)，以及試圖借助西數(shù)收購(gòu)閃迪，紫光的技術(shù)很有可能也是要仰仗鎂光、閃迪、海力士等海外公司。

　　看到這里，也許有人會(huì)質(zhì)疑，找海外公司合作，真能學(xué)到先進(jìn)技術(shù)么?誠(chéng)然，從公司的層面，境外公司是不會(huì)將先進(jìn)技術(shù)授予中國(guó)的，改革開(kāi)發(fā)以來(lái)的歷史已經(jīng)證明了花錢(qián)是買(mǎi)不來(lái)技術(shù)的。但從另一個(gè)層面看，技術(shù)是和人走的，海外公司對(duì)技術(shù)研發(fā)死守，但技術(shù)專(zhuān)家卻是大活人，而且未必是鐵板一塊，只要合作，就會(huì)產(chǎn)生交流，就可以通過(guò)一些手段學(xué)到一些技術(shù)，甚至將海外公司的技術(shù)專(zhuān)家挖走，化為己用。

　　在這方面，韓國(guó)的招數(shù)和手法可謂爐火純青——在早些年，日本工程師每逢周末就被韓國(guó)人約去打高爾夫、高消費(fèi)，期間咨詢(xún)問(wèn)題，并伺機(jī)高薪挖人，通過(guò)日積月累的信息獲取和人才挖掘，最終拼湊出完整的技術(shù);就在最近，韓國(guó)三星之所以能領(lǐng)先臺(tái)積電研發(fā)出14nm芯片生產(chǎn)工藝，很大程度上就是利用臺(tái)積電的內(nèi)部矛盾，挖走了臺(tái)積電的技術(shù)骨干。

　　因此，如果一味的“老老實(shí)實(shí)”合作，就有可能重蹈汽車(chē)產(chǎn)業(yè)技術(shù)受制于國(guó)外公司的覆轍，但如果效法韓國(guó)人的成功經(jīng)驗(yàn)，則一切皆有可能。

　　另外，存儲(chǔ)芯片通用性強(qiáng)，即便采用國(guó)外技術(shù)，所生產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片既可用于X86桌面平臺(tái)，也可用于ARM手機(jī)平臺(tái)，還可以用于龍芯、申威等自主平臺(tái)，不會(huì)像IC設(shè)計(jì)領(lǐng)域那樣在與海外公司合作/合資，或購(gòu)買(mǎi)技術(shù)授權(quán)后被鎖死的情況。

　　潛在的風(fēng)險(xiǎn)

　　雖然存儲(chǔ)芯片具有通用性強(qiáng)的特點(diǎn)，降低了產(chǎn)品市場(chǎng)化風(fēng)險(xiǎn)，但從實(shí)踐上看，合肥的fabless模式還是有一定潛在的風(fēng)險(xiǎn)的。

　　在半導(dǎo)體行業(yè)中，有三種運(yùn)作模式：

　　一是從事能獨(dú)立完成設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試的公司，被稱(chēng)為IDM(Integrated Design and Manufacture)，比如Intel、鎂光、三星;

　　二是只從事IC設(shè)計(jì)，但沒(méi)有代工廠，這類(lèi)公司被稱(chēng)為Fabless，像AMD、ARM等都屬于Fabless;

　　三是只做代工，不做設(shè)計(jì)，這類(lèi)公司被稱(chēng)為Foundry，最典型的就是臺(tái)積電。

　　由于在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝的結(jié)合異常緊密，使得IDM廠商會(huì)占有很大優(yōu)勢(shì)——在IDM廠商中，生產(chǎn)工藝的研發(fā)和設(shè)計(jì)是同步走的，哪一方面出現(xiàn)短板，那么兩者就會(huì)協(xié)調(diào)溝通，把短板補(bǔ)全，把產(chǎn)品做好;在研發(fā)出新制程后，即便良率低、成本高，IDM廠商也可以通過(guò)內(nèi)部計(jì)劃經(jīng)濟(jì)的模式做好協(xié)調(diào)，使自己的產(chǎn)品在制程上處于領(lǐng)先地位。但如果是fabless，畢竟代工廠不像IDM那樣是公司內(nèi)部的，出現(xiàn)瓶頸時(shí)候，設(shè)計(jì)公司有可能會(huì)把問(wèn)題推給代工廠，而代工廠出于商業(yè)秘密或技術(shù)保密，往往不會(huì)對(duì)設(shè)計(jì)公司毫無(wú)保留，這必然導(dǎo)致溝通的時(shí)間成本和資金成本會(huì)非常高。另外，由于新制程剛剛量產(chǎn)時(shí)大多良品率低、成本高、產(chǎn)能小，造成設(shè)計(jì)公司不會(huì)采用最新的制程，或者拿不到最新制程的產(chǎn)能，必然導(dǎo)致fabless廠商在產(chǎn)品性能上落后于IDM廠商。

　　正是因此，國(guó)家02專(zhuān)項(xiàng)總師、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所所長(zhǎng)葉甜春指出，“從模式上看，發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)一定要走IDM的模式”。而從實(shí)踐上看，像三星、鎂光等存儲(chǔ)芯片大廠都有自己的晶圓制造廠與封測(cè)廠，皆為IDM廠商，市場(chǎng)上賣(mài)的是最先進(jìn)的，也是IDM廠商的產(chǎn)品，存儲(chǔ)芯片的主要市場(chǎng)份額也在IDM廠商手中。而只有次先進(jìn)的產(chǎn)品，以及追求性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品，或者是工業(yè)領(lǐng)域一些對(duì)性能要求不高，但對(duì)可靠性、溫度等參數(shù)要求很高的領(lǐng)域，才會(huì)有fabless廠商的立足之地。

　　總之，在存儲(chǔ)行業(yè)，合肥的DRAM工廠若想以fabless模式和海外巨頭對(duì)拼，先天上就處于劣勢(shì)。另外，在合肥的DRAM工廠中，雖然不清楚中國(guó)技術(shù)人員能多大程度參與技術(shù)研發(fā)，但如果設(shè)計(jì)部門(mén)位于日本，工藝研發(fā)部門(mén)位于中國(guó)臺(tái)灣，而且全部假手中國(guó)臺(tái)灣和日本工程師完成，若真是這種“兩頭在外”的情況，合肥“引進(jìn)海外技術(shù)，提升本土技術(shù)水平”的設(shè)想能夠變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)的難度將會(huì)非常高。

　　能建成存儲(chǔ)帝國(guó)么

　　無(wú)論是DRAM，還是NAND Flash都具有通用性強(qiáng)、資金需求量大、技術(shù)革新快、技術(shù)門(mén)檻相對(duì)不高(相對(duì)于CPU、GPU、DSP、FPGA而言)的特點(diǎn)，這些特點(diǎn)使DRAM和NAND Flash成為在現(xiàn)階段就可以依靠“燒錢(qián)”形成一定的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，而在存儲(chǔ)行業(yè)立足，恰恰離不開(kāi)龐大的規(guī)模——依靠產(chǎn)能壓低成本，從這個(gè)角度上看，與面板行業(yè)或多或少具有一定相似性。

　　國(guó)家近年來(lái)對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)不計(jì)成本的投入，其本質(zhì)上是在加速技術(shù)擴(kuò)散的過(guò)程，定向的讓技術(shù)向中國(guó)擴(kuò)散，使先進(jìn)技術(shù)、管理方法和技術(shù)人才進(jìn)入中國(guó)大陸，同時(shí)讓中國(guó)的本土技術(shù)人才在相應(yīng)的崗位得到鍛煉，形成強(qiáng)大的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)和高素質(zhì)的人才，最終實(shí)現(xiàn)與國(guó)外巨頭分庭抗禮的格局。