武漢新芯存儲(chǔ)器芯片工廠動(dòng)土 追趕三星不被看好

　　武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)在28日動(dòng)土，目標(biāo)是當(dāng)前最先進(jìn)的3D NAND Flash，是中國(guó)公司真正走上自主生產(chǎn)半導(dǎo)體之路的里程碑。

　　以2014年數(shù)據(jù)來(lái)說(shuō)，大陸芯片市場(chǎng)規(guī)模破兆元(人民幣，下同)，占全球芯片市場(chǎng)的50.7%，其中儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)2465.5億元，但該產(chǎn)業(yè)鏈在大陸是空白一片，全都仰賴進(jìn)口。

　　核心芯片需自制

　　去年大陸國(guó)務(wù)院總理李克強(qiáng)就說(shuō)，進(jìn)口芯片的錢居然已跟石油差不多，就是在指責(zé)中國(guó)無(wú)法自產(chǎn);不少業(yè)者也說(shuō)，現(xiàn)在網(wǎng)路相關(guān)產(chǎn)品越來(lái)越多，為了確保資訊與國(guó)家安全，以及軍事使用，儲(chǔ)存的核心芯片必須自制。

　　所以在2014年啟動(dòng)關(guān)于半導(dǎo)體的發(fā)展計(jì)畫后，也成立了國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金公司(國(guó)家大基金)，今年更將其列為“十三五”規(guī)畫，并大力宣傳包括紫光集團(tuán)、 中國(guó)電子、長(zhǎng)電科技等，已是“芯片國(guó)家隊(duì)”，而武漢新芯則是補(bǔ)充儲(chǔ)存芯片這一塊空缺，選擇與美國(guó)Spansion合作，交叉授權(quán)發(fā)展3D NAND Flash技術(shù)。

　　武漢新芯營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)洪沨表示，3D NAND Flash將成為中國(guó)記憶體芯片產(chǎn)業(yè)彎道超車的切入點(diǎn)。

　　國(guó)際NAND Flash大廠比一比

　　恐淪懲罰性業(yè)務(wù)

　　武漢新芯拿到的是國(guó)家大基金和湖北與武漢的當(dāng)?shù)卣Y金，公司高層很多來(lái)自中芯，外媒戲稱是“政府自己人”，目標(biāo)對(duì)手是南韓三星，但分析師并不看好，認(rèn)為起步已比三星晚很多，這一行投資成本極高，若做不到市占率第一，就很容易成為“懲罰性業(yè)務(wù)”。

　　外媒甚至以臺(tái)灣經(jīng)驗(yàn)為例，過(guò)去投入數(shù)百億美元仍以失敗作收，多家公司被對(duì)手收購(gòu)，三星電子已能量產(chǎn)，若說(shuō)技術(shù)可達(dá)64層，武漢新芯恐怕只有8層。

　　但臺(tái)灣業(yè)者要先擔(dān)心的是，大陸官方插手量產(chǎn)后造成的產(chǎn)能過(guò)剩價(jià)格戰(zhàn)，因武漢新芯最快明年量產(chǎn)，但各大記憶體廠也在加大相關(guān)產(chǎn)能投資，SK海力士擴(kuò)充產(chǎn)能將于2019年投產(chǎn)，最近東芝也宣布3年擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫。