國(guó)家存儲(chǔ)器基地一期提前封頂 年產(chǎn)值可達(dá)100億美元

　　9月28日消息，由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(一期)一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房，實(shí)現(xiàn)提前封頂。

　　趙偉國(guó)表示，存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目是中國(guó)集成電路存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)?；l(fā)展“零”的突破，相當(dāng)于中國(guó)科技領(lǐng)域的遼寧號(hào)航空母艦出海試航。該項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)提前封頂，這是為不辱使命、堅(jiān)定不移推進(jìn)國(guó)家戰(zhàn)略所必須要做到的?？陀^地說，我們?cè)诤诵募夹g(shù)和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上仍然與世界一流水平存在差距，實(shí)現(xiàn)追趕超越的目標(biāo)絕非一朝一夕，需要堅(jiān)定的戰(zhàn)略定力和耐力，以及矢志不渝的長(zhǎng)期投入;而另一方面，從現(xiàn)在開始到未來(lái)的5-10年，也正是中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最佳窗口期。既然選擇了存儲(chǔ)芯片作為切入點(diǎn)和突破口，紫光集團(tuán)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)就一定要抓住機(jī)遇，直面挑戰(zhàn)，知難而上，通過超常規(guī)的投入縮短發(fā)展周期，迅速登上全球存儲(chǔ)行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)舞臺(tái)。

　　據(jù)悉，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來(lái)科技城，項(xiàng)目一期規(guī)劃投資240億美元，占地面積1968畝，于2016年12月30日正式開工建設(shè)，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash生產(chǎn)廠房，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過3萬(wàn)美元。

　　此次提前封頂?shù)捻?xiàng)目(一期)一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房建筑面積達(dá)52.4萬(wàn)㎡，預(yù)計(jì)將于2018年投入使用。項(xiàng)目(一期)達(dá)產(chǎn)后，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。