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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 封裝

高效照相閃光燈電容充電器采用 ThinSOT 封裝

  • 凌特公司(Linear Technology)宣布推出高效快速照相閃光燈電容充電器 LT3468。LT3468 是一個獨立的解決方案,用于照相閃光燈電容充電,所需線路板面積最小,無需軟件開發(fā)。LT3468 能迅速有效地給高壓(一般為 320 V)照相閃光燈電容充電。這個器件既可用于數(shù)字相機,也可用于膠片相機,采用限流回掃拓撲結(jié)構(gòu)。它可用 3.6V 電池在 4.6 秒內(nèi)將一個 100uF 電容充到 320V。LT3468 具有受控的 1.4A 峰值電流,與標準回掃變壓器配合使用,能以高于 80% 的效率對任
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采用纖巧 ThinSOT 封裝的四路電源監(jiān)視器在 VCC 低至 500mV 時仍保證復(fù)位

  • 凌特公司(Linear Technology)宣布推出采用纖巧 6 引線 ThinSOT™(SOT-23)封裝的四路電源監(jiān)視器 LTC2903-1,它在 VCC 低至 500mV 時仍保證提供有效的 RESET# 信號。與傳統(tǒng)電源監(jiān)視器的 1V 電平相比,用低至 500mV 的電源電壓保持 RESET# 輸出為低可降低觸發(fā)外部邏輯電路或低電壓處理器的風(fēng)險。LTC2903-1 以嚴格的 ±1.5% 電壓門限準確度提供 10% 欠壓監(jiān)視,這樣的準確度能保證可靠的復(fù)位操作而不會出現(xiàn)假觸發(fā)。LTC29
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東芝為功率半導(dǎo)體設(shè)備提供無鉛封裝

  • Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) 今日在公布其借助無鉛封裝提供對環(huán)境友好的產(chǎn)品的計劃時宣布,該公司眾多功率半導(dǎo)體的很多類型都將采用無鉛封裝或無鉛涂層進行生產(chǎn)。由東芝公司 (Toshiba Corp.) 生產(chǎn)的各種系列的功率設(shè)備中包含高功率的 IGBT 模塊和采用壓力包裝 (pressure packs) 的產(chǎn)品以及各種中等功率的設(shè)備(包括 MOSFET、雙極晶體管、肖特基勢壘二極管、智能型功率模塊、硅控整流器與三端雙向可控硅開關(guān)以及其他多
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采用 ThinSOT 封裝的降壓型 DC/DC 控制器電流消耗僅為 16uA

  • 凌特公司(Linear Technology)推出一個采用 ThinSOTTM(SOT-23)封裝的降壓型 DC/DC 控制器 LTC3801。該產(chǎn)品專為延長電池使用壽命而設(shè)計,可將待機電流消耗降至僅為 16uA。LTC3801 在正常工作、輕負載時的突發(fā)模式(Burst Mode
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采用 2mm x 2mm DFN 封裝的 900mA 全集成鋰離子電池線性充電器不會過熱

  • 凌特公司(Linear Technology)推出 LTC4059 微型單節(jié)鋰離子電池線性充電器,它無需使用 3 個分立功率組件,在不使系統(tǒng)溫度過高的情況下提高充電速度,并檢測和報告充電電流值。此外,該產(chǎn)品采用最小的封裝,但卻沒有影響熱性能。整個解決方案僅需要兩個分立組件(輸入電容器與充電電流設(shè)置電阻器),而且只占用 2.5mm x 2.7mm 面積。LTC4059 的 2mm x 2mm DFN 封裝占位面積比 SOT-23 封裝的一半還小,提供 600C/W 的更低熱阻以改善散熱功能。通過正確的 PC
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具軟啟動功能、采用 ThinSOT 封裝的高壓 1.3MHz 升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

  • 凌特公司(Linear Technology)推出一個 1.3MHz 升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LT3467,它兼有 42V、1.1A 內(nèi)部開關(guān)和軟啟動功能。LT3467 采用恒定頻率電流模式架構(gòu),在 2.4V 到 16V 輸入電壓范圍內(nèi)工作,從而使它成為單節(jié)鋰離子電池、5V 或 12V 應(yīng)用的理想選擇。它內(nèi)部的 42V 開關(guān)非常適合輸出高達 40V 的升壓型轉(zhuǎn)換器以及 SEPIC 和返激式設(shè)計。通過一個集成的可編程軟啟動功能消除了大浪涌電流,而 1.3MHz 的恒定開關(guān)頻率實現(xiàn)了低噪聲工作。Thin
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飛兆半導(dǎo)體推出采用SC75 FLMP封裝的低壓MOSFET

  • 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P溝道MOSFET器件FDJ129P,為便攜設(shè)備電源管理帶來綜合的性能和節(jié)省空間優(yōu)勢,這些設(shè)備包括移動電話、PDA、便攜音樂播放機、GPS接收裝置、低壓/低功率DC-DC轉(zhuǎn)換器及數(shù)碼相機等。FDJ129P在緊湊的SC75 FLMP(倒裝引腳鑄模封裝)中結(jié)合了飛兆半導(dǎo)體的高性能 PowerTrench
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安森美半導(dǎo)體為高速、硅鍺數(shù)據(jù)和時鐘管理系列推出更小型耐用的QFN封裝

  • 安森美半導(dǎo)體(美國納斯達克上市代號:ONNN)宣布,其硅鍺(SiGe)Gigacomm™系列的所有集成電路現(xiàn)在均可提供16引腳無引線四方扁平(QFN)封裝,進一步拓展了該公司在高速數(shù)據(jù)與時鐘管理元件市場的地位。這種封裝與其他工業(yè)等級溫度范圍內(nèi)的封裝相比,節(jié)省電路板空間,同時大幅提高了熱性能。采用QFN封裝的Gigacomm™器件目前額定溫度范圍為-40° C to +85° C,尺寸為3 mm x 3 mm,比倒裝球柵陣列(FCBGA)封裝減少44%。QFN封裝 采用QFN封裝的G
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安森美半導(dǎo)體新推SOT553和SOT563微型封裝集成瞬態(tài)電壓保護器件系列

  • 安森美半導(dǎo)體(美國納斯達克上市代號:ONNN)致力于不斷推出高性能、節(jié)省空間的器件,新推出的五款保護器件在1.6 x 1.6 x 0.6 mm SOT553或SOT563單封裝內(nèi)集成了多個瞬變電壓抑制(TVS)元件。這些SOT5xx封裝TVS器件不僅符合靜電放電(ESD)保護的嚴格要求,更較傳統(tǒng)的SC88封裝減少電路板空間達36%,降低厚度40%。它們可理想應(yīng)用于重視電路板空間的便攜設(shè)備,例如手機、數(shù)字照相機、MP3播放器、掌上游戲機以及PDA。安森美半導(dǎo)體副總裁兼集成電源產(chǎn)品總經(jīng)理Ramesh Ramc
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安森美半導(dǎo)體為TVS元件和肖特基二極管系列推出低厚度SOD-123FL封裝

  • 安森美半導(dǎo)體(美國納斯達克上市代號:ONNN)不斷提升產(chǎn)品性能,在其品種全面的分立元件系列中增添SOD-123FL封裝。這五十款器件[包括瞬變電壓抑制(TVS)元件與肖特基二極管]現(xiàn)已提供低厚度的扁平引腳封裝。今年稍后,將有更多新型封裝的器件面世。安森美半導(dǎo)體副總裁兼標準元件部總經(jīng)理Charlotte Diener說:“由于SOD-123FL優(yōu)化電路板空間占用每單位內(nèi)的功率耗散,該封裝是便攜與無線電路板設(shè)計所需之TVS元件與肖特基二極管的理想選擇,此類設(shè)計必須符合電源管理和保護的嚴格要求?!? SO
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飛兆半導(dǎo)體全新8引腳邏輯器件封裝MicroPak™ 8體積比US8減小60%

  • 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroPak 8 新型8引腳芯片級無引腳封裝,具備1、2和3位邏輯和開關(guān)功能。全新的TinyLogic
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安森美半導(dǎo)體推出業(yè)界最廣泛的SOT553和SOT563封裝標準邏輯與分立器件系列

  • 安森美半導(dǎo)體(美國納斯達克上市代號:ONNN)率先推出35個以上采用SOT553 和SOT563超小型、低厚度、無鉛有引線封裝的小信號、標準邏輯及二極管陣列器件。公司將會在第二季度末推出同樣封裝的另外15個新器件。安森美半導(dǎo)體副總裁兼標準元件部門總經(jīng)理Charlotte Diener說:“安森美半導(dǎo)體發(fā)現(xiàn),電路板設(shè)計人員對我們具實效的小體積封裝標準及集成標準元件的需求日益增加,這種封裝能在世界最多的領(lǐng)先電路板制造商采用的取放設(shè)備上裝配,同時可進行目視檢驗——因為這仍是一種通用、經(jīng)濟的行業(yè)慣例。安森美半導(dǎo)體
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飛利浦擴展LFPAK封裝的功率MOSFET系列

  • 優(yōu)化的LFPAK封裝MOSFET具有接近于零的封裝電阻和低熱阻,電性能極好,所需元件數(shù)量更少皇家飛利浦電子集團擴展其功率MOSFET產(chǎn)品系列,推出創(chuàng)新性的SOT669無損封裝(LFPAK)。新LFPAK器件針對DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用而設(shè)計,具有體積更小、效率更高、性能更加優(yōu)化等特點,可用于眾多新應(yīng)用,如筆記本電腦、臺式機、服務(wù)器、高頻應(yīng)用等。 飛利浦的LFPAK封裝MOSFET主要特點有接近于零的封裝電阻和主板連接低熱阻,以增強功率功能。MOSFET還具有低封裝電感,從而提高了開關(guān)速度,使飛利浦LFPAK
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IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機驅(qū)動器性能

  • 功率半導(dǎo)體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT,它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak),絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復(fù)二極管組合封裝,采用IR先進的薄硅片工藝制造。新工藝可增強電及熱性能,有助降低傳導(dǎo)損耗,卻不增加開關(guān)損耗。全新IGBT是IR專為電機控制而設(shè)計的iMOTION集成設(shè)計平臺系列的一部分。新器件的工作結(jié)溫高達175°C,標準工作范圍比同類產(chǎn)品高出20%。另外,它們
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飛利浦推出SOT666/SS-Mini SMD封裝的高性能低VCesa BISS晶體管

  • 日前,皇家飛利浦電子集團在創(chuàng)新性的低VCesa BISS晶體管產(chǎn)品系列中加入了非常重要的、性能大大提高的新成員,從而成為全球首個推出1612尺寸SOT666/SS-Mini封裝BISS晶體管的半導(dǎo)體廠商。PBSS4240V和PBSS5240V的集電極電流高達2A,具有一流的性能,并在功能增強的同時,相對其他較為著名的SOT23 封裝1A器件還節(jié)省了41%的PCB空間。PBSS4240V和PBSS5240V還提供極低的集電極-發(fā)射極電阻(RCEsat = 190 mW),由于產(chǎn)生熱量更少,還可提高整體電路
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封裝介紹

程序  封裝 (encapsulation)   隱藏對象的屬性和實現(xiàn)細節(jié),僅對外公開接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪問級別.   封裝 (encapsulation)   封裝就是將抽象得到的數(shù)據(jù)和行為(或功能)相結(jié)合,形成一個有機的整體,也就是將數(shù)據(jù)與操作數(shù)據(jù)的源代碼進行有機的結(jié)合,形成“類”,其中數(shù)據(jù)和函數(shù)都是類的成員。   封裝的目的是增強安全性和簡化編程,使用者不必了解具體的 [ 查看詳細 ]

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