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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 封裝

意法半導體(ST)在多片封裝內(nèi)組裝8顆裸片

  •     2005年4月4日存儲器和微控制器多片封裝技術應用的領導者意法半導體日前宣布該公司已開發(fā)出能夠疊裝多達8顆存儲器芯片的高度僅為1.6mm的球柵陣列封裝(BGA)技術,這項封裝技術還可以將兩個存儲器芯片組裝在一個厚度僅為0.8mm的超薄細節(jié)距BGA封裝(UFBGA)內(nèi),采用這項制造技術生產(chǎn)的器件可以滿足手機、數(shù)碼相機和PDA等體積較小的設備的存儲需求。     ST的多片封裝(MCP)器件內(nèi)置通常是二到四顆不同類型的存儲芯片,如SRAM、閃
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Siliconix與ST達成雙面冷卻型MOSFET封裝技術許可協(xié)議

  •     2005年3月10日意法半導體與Siliconix宣布達成一項許可協(xié)議,Siliconix將向ST提供最新的功率MOSFET封裝技術的許可使用權,這項技術使用強制性空氣冷卻方法,系統(tǒng)頂端與底部設有散熱通道,從而使封裝具有更加優(yōu)異的散熱性能。Siliconix是Vishay Intertechnology科技有限公司(紐約證券交易所:VSH)持有80.4%股權的子公司。     Siliconix提供給ST的新封裝命名為Polar
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安森美半導體在便攜式應用的分立元件封裝小型化方面領先業(yè)界

  •     2005年4月13日為滿足便攜式產(chǎn)品行業(yè)對分立元件封裝進一步小型化的需求,安森美半導體推出50多種SOT-723 平引腳封裝的小信號晶體管和小信號二極管。這新型封裝僅利用1.44 mm2的印刷電路板(PCB)面積,可提高硅與封裝之比率,并提供卓越的功耗性能。     安森美半導體小信號產(chǎn)品總經(jīng)理馬文樂(Mamoon Rashid)說,“安森美半導體擁有最廣泛的先進技術,將提供采用SOT-723封裝的小信號器件
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中芯國際擬與新加坡公司在成都建封裝測試廠

  •     中芯國際(0981.HK)日前宣布將與合作伙伴在四川成都成立集成電路封裝測試廠,業(yè)界猜測該合作伙伴可能是新加坡聯(lián)合測試與裝配中心公司(UTAC),但雙方均不就此事置評。UTAC發(fā)言人表示,現(xiàn)階段不作評論,也不會猜測任何市場傳言。    中芯國際總裁兼首席執(zhí)行長張汝京上周在分析員電話會議沒透露合營伙伴的名稱,只表示, 待4月正式簽訂合作協(xié)議后,最快5月向外公布。他指出,集團將持有該座集成電路封裝測試廠的控股權,新廠房已于去年底動工,預計今年9月遷入生
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LinearDFN和SOT-23 封裝的微功率LDO可承受高達 100V 輸入電壓

  • 凌特公司(Linear Technology)推出可提供 20mA 輸出電流的高壓、微功率、低壓差穩(wěn)壓器 LT3014。該器件采用范圍為 3V 至 80V 的持續(xù)輸入電壓工作,可以 350mV 的低壓差產(chǎn)生 1.22V 至 60V 的輸出電壓,非常適用于汽車、48V 電信備份電源和工業(yè)控制應用。7uA(工作時)和 1uA(關機狀態(tài))的超低靜態(tài)電流使該器件成為要求最長工作時間并由電池供電的存儲器“保持有效”系統(tǒng)的極好選擇。LT3014HV 版本可耐受持續(xù) 2ms 的 100V 輸入瞬態(tài)電壓,是電信和汽車應用
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DFN和SOT-23封裝的微功率LDO可承受高達100V輸入電壓

  •    2005 年 4 月 5 日凌特公司(Linear Technology)推出可提供 20mA 輸出電流的高壓、微功率、低壓差穩(wěn)壓器 LT3014。該器件采用范圍為 3V 至 80V 的持續(xù)輸入電壓工作,可以 350mV 的低壓差產(chǎn)生 1.22V 至 60V 的輸出電壓,非常適用于汽車、48V 電信備份電源和工業(yè)控制應用。7uA(工作時)和 1uA(關機狀態(tài))的超低靜態(tài)電流使該器件成為要求最長工作時間并由電池供電的存儲器“保持有效”系統(tǒng)的極好選擇。LT3014HV 版本可耐受持續(xù) 2ms
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采用ThinSOT封裝的超低功率10kHz至1MHz硅振蕩器

  • 凌特公司(Linear Technology)推出在 100kHz 時具有 18uA 超低工作電流的 LTC6906 可編程硅振蕩器。LTC6906 是便攜式設備的理想時鐘芯片,其占板面積僅為 LTC6906 ThinSOTTM 封裝和一個電阻所占面積。這些振蕩器無需旁路電容,可以編程至介于 10kHz 至 1MHz 之間的任何頻率。與晶體和陶瓷諧振器不同,LTC6906 不受加速、沖擊和震動問題的困擾。其時鐘啟動時間僅為 200us,非常適用于時鐘速度可能降低或甚至關斷時鐘以節(jié)省功率的便攜式設備。LTC
  • 關鍵字: 凌特公司  封裝  

采用ThinSOT封裝的超低功率10kHz 至1MHz硅振蕩器

  •   凌特公司(Linear Technology)推出在 100kHz 時具有 18uA 超低工作電流的 LTC6906 可編程硅振蕩器。LTC6906 是便攜式設備的理想時鐘芯片,其占板面積僅為 LTC6906 ThinSOTTM 封裝和一個電阻所占面積。這些振蕩器無需旁路電容,可以編程至介于 10kHz 至 1MHz 之間的任何頻率。   與晶體和陶瓷諧振器不同,LTC6906 不受加速、沖擊和震動問題的困擾。其時鐘啟動時間僅為 200us,非常適用于時鐘速度可能降低或甚至關斷時鐘以節(jié)省功率的便攜式
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鋁碳化硅為電子封裝提供熱管理解決方案

  • 2004年10月B版簡介利用最先進的材料設計低成本的高度可靠的微波電子、微電子、光電子和功率半導體系統(tǒng)是不現(xiàn)實的。為了保證此類設備的可靠性,需要電子封裝和襯底熱管理解決方案,因此工程師需要既能夠提供熱管理特性,同時又能夠在更小型的設計中達到最優(yōu)功率密度的材料。要低成本生產(chǎn)此類材料需要滿足封裝設計功能要求的健壯成型工藝。鋁碳化硅(AlSiC)金屬基體復合材料為電子封裝提供了高度可靠且成本經(jīng)濟的熱管理解決方案。它可提供高熱傳導率(~200 W/mK)以及可調(diào)的低熱膨脹系數(shù)(CTE)。對于需要減輕重量以及需要耐
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安森美半導體推出微型封裝電壓抑制器件

  • 安森美半導體(ON Semiconductor)推出全新高性能、微型封裝的靜電放電(ESD)保護二極管系列,專為便攜式產(chǎn)品和電池供電應用中電壓敏感元件提供單線保護而設計。新系列中的五個ESD5Z器件包括ESD5Z2.5T1(2.5 V), ESD5Z3.3T1(3.3 V), ESD5Z5.0T1 (5.0 V), ESD5Z6.0T1(6.0 V)和ESD5Z7.0T1(7.0 V)。這些器件為鉗制快速上升的ESD脈沖而設計,防止對板上的電壓敏感元件造成損壞。30 kV的輸入波形(符合 IEC61000
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Crolles2 聯(lián)盟合作研發(fā)先進的CMOS圓晶封裝檢測技術

  •   Crolles2 聯(lián)盟成員飛思卡爾、飛利浦與意法半導體擴大了該聯(lián)盟的半導體合作研發(fā)活動范圍,合作項目除最初的100-nm以下的CMOS制造工藝外還包括了相關的晶片檢測與封裝的研發(fā)活動。   飛利浦半導體公司高級副總裁兼技術總監(jiān)Ren
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Casio和瑞薩半導體器件封裝技術進行合作

  •   Casio Computer Co., Ltd. 和瑞薩科技公司簽署協(xié)議,Casio授權瑞薩科技使用其晶園片級封裝 (WLP) 半導體器件封裝技術。   這個協(xié)議標志著Casio首次授權其它日本半導體器件制造商使用其WLP技術。   協(xié)議的要點如下:   1. Casio將在不斷發(fā)展的基礎上向瑞薩科技提供其WLP技術。瑞薩科技將在其半導體器件制造過程中積極使用WLP。   2.瑞薩科技被授權使用WLP制造和銷售芯片級封裝 (CSP)*1產(chǎn)品,瑞薩科技可以自行制造也可以通過其子公司進行制造。
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Casio和瑞薩科技在半導體器件封裝技術方面進行合作

  • — 努力推動WLP (晶圓片級封裝) 技術的標準化 —   東京,2005年1月18日— Casio Computer Co., Ltd. 和瑞薩科技公司簽署協(xié)議,Casio授權瑞薩科技使用其晶園片級封裝 (WLP) 半導體器件封裝技術。   這個協(xié)議標志著Casio首次授權其它日本半導體器件制造商使用其WLP技術。 協(xié)議的要點如下: 1. Casio將在不斷發(fā)展的基礎上向瑞薩科技提供其WLP技術。瑞薩科技將在其半導體器件制造過程中積極使用WLP。 2.瑞薩科技被授權使用WLP制造和銷售芯片級封
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Microchip提供符合RoHS標準的無鉛封裝產(chǎn)品

  • Microchip推出兼具錫鉛焊鍍材料價格優(yōu)勢及向前、向后兼容功能的新型環(huán)保封裝   全球領先的單片機和模擬半導體供應商——Microchip Technology(美國微芯科技公司)近日宣布,該公司所有的產(chǎn)品自 2005年1月起將采用符合環(huán)保要求的無鉛焊鍍封裝,以符合即將在全球范圍內(nèi)實施的政府法規(guī)和行業(yè)標準。Microchip將采用霧錫(Matte tin)作為新的焊鍍材料,確保所有的無鉛產(chǎn)品都能向后兼容于行業(yè)標準和錫/鉛焊接工藝,并向前兼容用于采用錫/銀/銅等專業(yè)無鉛錫膏的高溫無鉛工藝。   歐盟
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Microchip提供符合RoHS標準的無鉛封裝產(chǎn)品

  • 單片機和模擬半導體供應商——Microchip Technology(美國微芯科技公司)近日宣布,該公司所有的產(chǎn)品自 2005年1月起將采用符合環(huán)保要求的無鉛焊鍍封裝,以符合即將在全球范圍內(nèi)實施的政府法規(guī)和行業(yè)標準。Microchip將采用霧錫(Matte tin)作為新的焊鍍材料,確保所有的無鉛產(chǎn)品都能向后兼容于行業(yè)標準和錫/鉛焊接工藝,并向前兼容用于采用錫/銀/銅等專業(yè)無鉛錫膏的高溫無鉛工藝。歐盟將從2006年7月1月起實施“有害物質限制(RoHS)”法令,對所有在歐盟成員國內(nèi)生產(chǎn)和銷售的電子設備的含
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封裝介紹

程序  封裝 (encapsulation)   隱藏對象的屬性和實現(xiàn)細節(jié),僅對外公開接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪問級別.   封裝 (encapsulation)   封裝就是將抽象得到的數(shù)據(jù)和行為(或功能)相結合,形成一個有機的整體,也就是將數(shù)據(jù)與操作數(shù)據(jù)的源代碼進行有機的結合,形成“類”,其中數(shù)據(jù)和函數(shù)都是類的成員。   封裝的目的是增強安全性和簡化編程,使用者不必了解具體的 [ 查看詳細 ]

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