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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 開關(guān)特性

雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響探究

  • IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設(shè)置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來分析SiC和IGBT模塊的開關(guān)特性
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柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響分析

  • IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測試設(shè)置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來分析S
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淺析柵極電阻RG對IGBT開關(guān)特性的性能影響

  • 1 前言　　用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(on
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一種單級式半橋功率因數(shù)校正電路

柵極電阻RG對IGBT開關(guān)特性的性能影響分析

  • 　1 前言　　用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(
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D類MOSFT在發(fā)射機射頻功放中的應(yīng)用

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開關(guān)特性介紹

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