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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 模擬技術(shù)

多層陶瓷電容的應(yīng)用

  • 消除干擾 　　EMC MLCC(電磁兼容片式多層陶瓷電容)為設(shè)備和I/O端口的供電線和數(shù)據(jù)線提供電磁干擾抑制方案。視乎于應(yīng)用的不同，電磁兼容電容器能帶來數(shù)種好處。因為只有干擾電流而非有用的電流流經(jīng)這類電容，所以在工作電流較大的電路中可以使用容值相對較小的電容。特別是片式多層陶瓷電容，如用于電磁干擾的抑制，尺寸可以做到1206，0805甚至更小。此外，根據(jù)不同應(yīng)用，多達(dá)四個電容器可以集成到一個稱為陣列的元件中。片式多層陶瓷電容在電磁兼容應(yīng)用中所表現(xiàn)出的高性價比和可靠性，主要歸功于其低串聯(lián)等效電阻，低串聯(lián)等
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凌力爾特推出雙通道、1MHz 同步轉(zhuǎn)換器 LTC3522

  • 　　凌力爾特公司（Linear Technology Corporation）推出雙通道、1MHz 同步轉(zhuǎn)換器 LTC3522。該器件的一個通道采用同步降壓-升壓型拓?fù)?，在輸入高于、等于或低于輸出時，可以提供高達(dá) 400mA 的連續(xù)輸出電流。在需要 3.3V 輸出的單節(jié)鋰離子電池應(yīng)用中，降壓-升壓型拓?fù)淇梢詫㈦姵毓ぷ鲿r間延長 25%。第二個通道由同步降壓型穩(wěn)壓器組成，在電壓低至 0.6V 時可以提供高達(dá) 200mA 的連續(xù)輸出電流。這種通道組合非常適用于供電應(yīng)用，如同時需要 3.3V I/O 軌和 0.6
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帶有輸入串聯(lián)電阻的電流檢測放大器的性能

  • 概述 從功能上來說，電流檢測放大器可看成一個輸入級浮置的儀表/差分放大器。這就是說，即使僅采用VCC = 3.3V或5V單電源供電，器件仍然能夠?qū)材ｋ妷哼h(yuǎn)大于電源電壓的輸入差分信號進(jìn)行放大。例如，電流檢測放大器的共模電壓可高達(dá)28V (MAX4372和MAX4173)和76V (MAX4080和MAX4081)。 電流檢測放大器的這一特性對高邊電流檢測應(yīng)用非常有用，在這些應(yīng)用中需要放大高壓線路上檢測電阻兩端的小信號電壓，并將放大的電壓反饋至低壓ADC或低壓模擬控制環(huán)路。在這類應(yīng)用中，通常需要在源端對
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Skyworks推出無線應(yīng)用高動態(tài)范圍直接轉(zhuǎn)換解調(diào)器套件

  • Skyworks宣布數(shù)款即將推出的直接轉(zhuǎn)換解調(diào)器中的首款產(chǎn)品，該產(chǎn)品將用于各種無線通信應(yīng)用（包括 WiMAX 和蜂窩架構(gòu)）。SKY73012（即從 400 到 3900 MHz 的 RF 波形的理想正交解調(diào)）提供了突破性的簡約設(shè)計，允許客戶跨整個無線電頻譜范圍集成一個解決方案，而不需要針對不同的頻率范圍采用多路解調(diào)器。 Skyworks 線性產(chǎn)品部的高級主管 Sean Martin&nb
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凌力爾特針對手持式應(yīng)用推USB電源芯片

  • 凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出用于手持式應(yīng)用的高效率、多功能電源管理解決方案LTC3559。該器件集成了獨立鋰離子/聚合物電池充電器和兩個高效率同步降壓型穩(wěn)壓器，采用扁平3mm
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世界最小單卡16路DSP實時壓縮卡研制成功

  • 　　目前世界上最小的單卡16路DSP實時壓縮產(chǎn)品日前由我國企業(yè)自主研制成功,這標(biāo)志著中國安防產(chǎn)業(yè)在技術(shù)研發(fā)上的又一次突破。 　　DSP實時壓縮卡是監(jiān)控系統(tǒng)后端的圖像采集卡,如果說監(jiān)控系統(tǒng)是人的視覺系統(tǒng),那么DSP實時壓縮卡就是人的大腦,它是監(jiān)控系統(tǒng)的核心部件,所有從監(jiān)控系統(tǒng)前端接收到的視頻信息都被記錄在DSP實 　　時壓縮卡上。該技術(shù)的研發(fā)單位北京漢邦高科數(shù)字技術(shù)有限公司今年推出的新產(chǎn)品HB18系列DVR專用視頻壓縮卡中,就使用了這種目前世界上最小的單卡16路DSP實時壓縮產(chǎn)品,僅165
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ST新推32位微控制器 欲借高性價比搶占市場

  • “我們準(zhǔn)備通過這款產(chǎn)品，在16-32位市場上處于領(lǐng)先地位?！?007年6月11日，半導(dǎo)體制造廠商意法半導(dǎo)體（ST)高調(diào)推出一個新的32位微控制器系列產(chǎn)品，新產(chǎn)品所用微處理器是ARM公司為要求高性能(1.25 Dhrystone MIPS/MHz)、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計的ARM Cortex-M3內(nèi)核。  據(jù)悉，ST將為這款新產(chǎn)品舉辦全球巡回發(fā)布會，而中國則成為巡回發(fā)布會的首發(fā)站。  ST方面介紹稱，STM32系列產(chǎn)品得益于Cortex-M3在
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無線電力傳輸有突破 未來有望告別電線電池

  • 計算機(jī)桌旁總是連著一堆盤根錯節(jié)的電線嗎？這似乎是享受高科技時不得不忍受的一件事情。但是美國麻省理工學(xué)院經(jīng)過4年研究，已經(jīng)發(fā)展出一種被稱為“無線電力”的技術(shù)，可以隔空為計算機(jī)或者手機(jī)提供電能。電線和電池將來都有可能成為歷史名詞。  這項研究成果已經(jīng)刊登在7日出版的《科學(xué)》雜志上。根據(jù)這項研究成果，麻省理工學(xué)院的研究人員使用兩個相距2米的銅線圈，成功地通過無線電力傳輸點亮了一個功率為60瓦的電燈泡。麻省理工學(xué)院的物理學(xué)教授馬林
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半導(dǎo)體廠投資85%面向300mm設(shè)備

  • 中國作為全球主要系統(tǒng)級電子制造中心，產(chǎn)品覆蓋面非常廣，從彩電、多媒體播放器到手機(jī)，可謂應(yīng)有盡有。越來越多的公司依賴中國作為其制造基地，以應(yīng)對全球市場的激烈競爭。  正是這個巨大的市場推動著中國半導(dǎo)體的設(shè)備與材料業(yè)，使其在過去的一年中變得異?；钴S。與2005年截然不同，2006年對絕大多數(shù)半導(dǎo)體芯片制造設(shè)備商來說是個出人意料的好年頭。放眼未來，在未來的三年內(nèi)，芯片制造廠在設(shè)備上的耗資較2001年-2006年的增長模式會更為穩(wěn)定。300mm芯片制造設(shè)備將成為新設(shè)備市場的主力軍，與此同時，由于越來越多
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凌力爾特推出 USB 電源通路管理器

  • 　　凌力爾特公司（Linear Technology Corporation）推出用于便攜式 USB 設(shè)備的自主式線性電源通路（PowerPathTM）管理器、理想二極管控制器和獨立高輸入電壓電池充電器 LTC4090。就高效率充電而言，其前端開關(guān)拓?fù)淇紤]了各種輸入情況，包括高達(dá) 38V 的高壓電源（最高 60V 的承受能力），例如 12V 穩(wěn)壓/未穩(wěn)壓 AC-DC 交流適配器、FireWire 端口或汽車電源。另外，該集成電路還可接受低壓電源，例如 5V 交流適配器、USB 端口和單節(jié)鋰離子/聚合物電池
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關(guān)于電感值的工程變通計算和測試法

  • 1 引言 在開發(fā)電子鎮(zhèn)流器和電子節(jié)能燈電感鎮(zhèn)流器及電感式節(jié)能燈中，常常遇到鎮(zhèn)流電感及濾波電感值的計算問題。 但是電感值的計算程式比較繁瑣，并且在缺乏必要的磁材參數(shù)測量儀器的情況下，要嚴(yán)格按程式計算也是困難的，如果有設(shè)計仿真軟件當(dāng)然就容易了。 2 傳統(tǒng)的程式設(shè)計 例如：要設(shè)計40W電子鎮(zhèn)流器，電路需要L=1.6mH的電感，試計算磁芯大小、繞線匝數(shù)、磁路氣隙長度。 首先，計算磁芯截面積，確定磁芯尺寸。 為此，可由式（1）計算出磁芯面積乘積Ap Ap=(392L
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針對便攜設(shè)備的高端負(fù)載開關(guān)及其關(guān)鍵應(yīng)用參數(shù)

  • 對于各具特色的移動電話、移動GPS設(shè)備和消費電子小玩意等電池供電的便攜式設(shè)備應(yīng)用來說，高端負(fù)載開關(guān)一直受到眾多工程師和設(shè)計人員的青睞。本文將以易于理解的非數(shù)學(xué)方式全方位介紹基于MOSFET的高端負(fù)載開關(guān)，并討論在設(shè)計和選擇過程中必須考慮的各種參數(shù)。 高端負(fù)載開關(guān)的定義是：它通過外部使能信號的控制來連接或斷開至特定負(fù)載的電源(電池或適配器)。相比低端負(fù)載開關(guān)，高端負(fù)載開關(guān)“流出”電流至負(fù)載，而低端負(fù)載開關(guān)則將負(fù)載接地或者與地斷開，因此它從負(fù)載“汲入”電流。 高端負(fù)載開關(guān)不同于高端電源開關(guān)。高端電源開關(guān)
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青海電源建設(shè)思路：因地制宜發(fā)展風(fēng)電太陽能發(fā)電

  • 記者從有關(guān)部門了解到，借助青海省風(fēng)能資源較豐富的優(yōu)勢，近日，青海華電大通發(fā)電公司、青海風(fēng)發(fā)新能源技術(shù)公司邀請國內(nèi)有關(guān)專家就青海省風(fēng)能資源特點選擇風(fēng)電機(jī)組并建立風(fēng)力發(fā)電廠進(jìn)行研討。 因地制宜發(fā)展風(fēng)電和太陽能發(fā)電是青海省“十一五”及2020年電源建設(shè)的基本思路，為確保青海省長遠(yuǎn)能源平衡，保持能源發(fā)展的可持續(xù)性，在青海省電網(wǎng)覆蓋范圍內(nèi)適當(dāng)加大風(fēng)能資源的利用是十分必要的。風(fēng)電是可再生和清潔環(huán)保能源，大力發(fā)展風(fēng)力發(fā)電，將進(jìn)一步改善能源結(jié)構(gòu)，還可促進(jìn)青海省旅游業(yè)的發(fā)展。在青海電網(wǎng)建設(shè)一定規(guī)模的風(fēng)電，可適當(dāng)緩解火電不足
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半導(dǎo)體存儲器期待再創(chuàng)輝煌

  • DRAM是半導(dǎo)體業(yè)的起點今天來說半導(dǎo)體存儲器，主要包括DRAM和flash(閃存)兩大類產(chǎn)品。DRAM是Intel公司的起家產(chǎn)品，是日本、韓國及中國臺灣進(jìn)入以集成電路為代表的半導(dǎo)體行業(yè)的切入點和迄今為止的主打產(chǎn)品，日本通過1976~79年的VLSI技術(shù)研究組合國家計劃，首先進(jìn)入了64K DRAM時代，在存儲器技術(shù)方面趕上并超過了美國，從而使日本企業(yè)的半導(dǎo)體生產(chǎn)大發(fā)展，并于1985年超過美國，1988年曾獨占世界市場50%以上，達(dá)于頂峰。此后由于韓、臺在DRAM領(lǐng)域的相繼崛起，美國稱霸微芯片領(lǐng)域，導(dǎo)致日本在
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村田：三大領(lǐng)域描繪美好未來

  • 作為全球陶瓷電容的領(lǐng)先者，村田不僅在自身產(chǎn)品尺寸上進(jìn)行革命性研究，村田還與貼裝生產(chǎn)公司共同合作進(jìn)行生產(chǎn)工藝流程的研究，針對最新的微小尺寸和產(chǎn)品特點提出生產(chǎn)要求，從而保證產(chǎn)品的微小化不會遇到生產(chǎn)流程工藝的制約。無線通信、傳感器和新能源，這是村田制造所企劃部部長大島幸男先生對村田未來重點發(fā)展方向的概括。借由出色的生產(chǎn)工藝，村田提供包括藍(lán)牙模塊與周邊電路和輔助原件的完整解決方案，確保其易用性。鋰離子二次電池是村田從陶瓷技術(shù)研發(fā)中積累的經(jīng)驗指導(dǎo)下開發(fā)的新技術(shù)，高速充電與高電力輸出讓其成為交通工具用電動能源的最新選
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模擬技術(shù)介紹

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