相變存儲(chǔ)器文章進(jìn)入相變存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

恒憶Omneo系列相變存儲(chǔ)器耐寫次數(shù)高達(dá)100萬次

　　近日，恒憶(Numonyx)作為相變存儲(chǔ)技術(shù)(PCM)的創(chuàng)新者，宣布正式推出全新系列相變存儲(chǔ)器。該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(chǔ)(PCM)的新一代存儲(chǔ)技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)易性，適用于固線和無線通信設(shè)備、消費(fèi)電子、PC和其他嵌入式應(yīng)用設(shè)備。目前該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，并向市場(chǎng)供貨。　　這種新的嵌入式存儲(chǔ)器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)于一身，一顆存儲(chǔ)器芯片即可實(shí)現(xiàn)很多新功能。新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx Omneo PCM，其寫入速度有望達(dá)到現(xiàn)有閃存的300倍，耐寫次
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中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望在合作中實(shí)現(xiàn)“跨越趕超”

　　“中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有著良好的基礎(chǔ)，如果要趕超世界先進(jìn)水平，必須要找準(zhǔn)方向、加強(qiáng)合作。”現(xiàn)任美國(guó)國(guó)家工程院院士馬佐平26日在廣州接受新華社記者采訪時(shí)說。　　出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國(guó)耶魯大學(xué)教授、電機(jī)系主任，當(dāng)天在廣州出席兩年一度的世界華人論壇。作為一名在金屬、氧化物、半導(dǎo)體科學(xué)領(lǐng)域做出重大貢獻(xiàn)的世界知名專家，他對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展表示高度關(guān)注并充滿期盼。　　馬佐平說：“事實(shí)上，參加這次論壇的目的之一就是探討在廣東設(shè)廠生產(chǎn)相變存儲(chǔ)器的可能性，而這在世界范圍
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恒憶推出新系列相變存儲(chǔ)器

　　恒憶(Numonyx)作為相變存儲(chǔ)技術(shù)(PCM)的創(chuàng)新者，今天宣布正式推出全新系列相變存儲(chǔ)器。該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(chǔ)(PCM)的新一代存儲(chǔ)技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)易性，適用于固線和無線通信設(shè)備、消費(fèi)電子、PC和其他嵌入式應(yīng)用設(shè)備。目前該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，并向市場(chǎng)供貨。　　這種新的嵌入式存儲(chǔ)器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)于一身，一顆存儲(chǔ)器芯片即可實(shí)現(xiàn)很多新功能。今天，新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx® Omneo™ PCM，其寫入速度有
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相變存儲(chǔ)器介紹

相變存儲(chǔ)器（phase change memory）,簡(jiǎn)稱PCM，利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導(dǎo)電性差異來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。相變存儲(chǔ)器-物理變化初次聽到"相變"這個(gè)詞,很多讀者朋友會(huì)感到比較陌生.其實(shí),相(phase)是物理化學(xué)上的一個(gè)概念,它指的是物體的化學(xué)性質(zhì)完全相同,但是物理性質(zhì)發(fā)生變化的不同狀態(tài).例如水有三種不同的狀態(tài),水蒸氣(汽相)，液態(tài)水（液相）以及固態(tài)水 [ 查看詳細(xì) ]