相變存儲器文章進(jìn)入相變存儲器技術(shù)社區(qū)

新存儲設(shè)備，替代DRAM和NAND

韓國研究人員團(tuán)隊開發(fā)了一種新型存儲設(shè)備，該設(shè)備可用于取代現(xiàn)有內(nèi)存或用于實現(xiàn)下一代人工智能硬件的神經(jīng)擬態(tài)計算。
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相變存儲器的工作原理和最新的研究進(jìn)展

　　近年來，非易失性存儲技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進(jìn)展，為計算機(jī)系統(tǒng)的存儲能效提升帶來了新的契機(jī)，采用新型非易失性存儲技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲技術(shù)可以適應(yīng)計算機(jī)技術(shù)發(fā)展對高存儲能效的需求。以相變存儲器為代表的多種新型存儲器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點而受到國內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注，本文介紹相變存儲器的工作原理、技術(shù)特點及其國內(nèi)外最新研究進(jìn)展?！　∫弧⑾嘧兇鎯ζ鞯墓ぷ髟怼　∠嘧兇鎯ζ?Phase Change Random Access Memory, 簡稱PCRAM)的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，相變存儲器的
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帶你了解一下什么叫相變存儲器

　　近年來，非易失性存儲技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進(jìn)展，為計算機(jī)系統(tǒng)的存儲能效提升帶來了新的契機(jī)，采用新型非易失性存儲技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲技術(shù)可以適應(yīng)計算機(jī)技術(shù)發(fā)展對高存儲能效的需求。以相變存儲器為代表的多種新型存儲器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點而受到國內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注，本文介紹相變存儲器的工作原理、技術(shù)特點及其國內(nèi)外最新研究進(jìn)展?！　∫弧⑾嘧兇鎯ζ鞯墓ぷ髟怼　∠嘧兇鎯ζ?Phase Change Random Access Memory, 簡稱PCRAM)的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，相變存儲器的
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國產(chǎn)相變存儲器開啟產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用

潛心相變存儲器研究15年，中科院上海微系統(tǒng)所研究院宋志棠團(tuán)隊在130納米技術(shù)節(jié)點相變存儲器技術(shù)研發(fā)取得重大突破。近4年來，通過和珠海艾派克微電子有
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國產(chǎn)相變存儲器如何開啟產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用？

潛心相變存儲器研究15年，中科院上海微系統(tǒng)所研究院宋志棠團(tuán)隊在130納米技術(shù)節(jié)點相變存儲器技術(shù)研發(fā)取得重大突破。近4年來，通過和珠海艾派克微電子有
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0.7納秒！相變存儲器速度新極限

　　隨著數(shù)字全球化，爆炸式增長的信息對數(shù)據(jù)的存儲與傳輸提出了極大的挑戰(zhàn)，而且目前商用計算體系架構(gòu)內(nèi)各存儲部件，即緩存(SRAM)、內(nèi)存(DRAM)和閃存(NAND Flash)之間性能差距日益加大，其間的數(shù)據(jù)交換效率也已成為了電子設(shè)備發(fā)展的瓶頸。因此研發(fā)具備存儲密度大、讀寫速度快、能耗低、非易失(即斷電后數(shù)據(jù)不丟失)等特點的新式通用式存儲介質(zhì)勢在必行。　　　　近日，美國Science雜志發(fā)表了西安交通大學(xué)與上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所的合作論文——《Red
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相變存儲器（PCM）技術(shù)基礎(chǔ)

相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在，這些狀態(tài)都稱為相。相變存儲器便是利用特殊材料在不同相間的電阻差異進(jìn)行工作的。本文將介紹相變存儲器的基本技術(shù)與功能。
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相變存儲器驅(qū)動電路的設(shè)計與實現(xiàn)

介紹了一種新型的相變存儲器驅(qū)動電路的基本原理，設(shè)計了一種依靠電流驅(qū)動的驅(qū)動電路，整體電路由帶隙基準(zhǔn)電壓源電路、偏置電流產(chǎn)生電路、電流鏡電路及控制電路組成。該結(jié)構(gòu)用于16 Kb以及1 Mb容量的相變存儲器芯片的設(shè)計，并采用中芯國際集成電路制造(上海) 有限公司的0118μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS 工藝實現(xiàn)。
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PCM是什么

　　導(dǎo)讀：PCM是什么?其實就是變相存儲，初次聽到"相變"這個詞,很多讀者朋友會感到比較陌生吧，想了解更多姿勢的朋友們快來看看吧。 1.PCM是什么--簡介　　PCM是Phase Change Memory的簡稱，中文名稱為相變存儲器，它利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導(dǎo)電性差異來存儲數(shù)據(jù)的。PCM是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在，這些狀態(tài)都稱為相。相變存儲器便是利用特殊材料在不同相間的電
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寧波鄞州欲打造成“中國芯片之城”

　　近日，浙江省寧波市鄞州區(qū)投資約20億美元成功引進(jìn)簽約美國全芯科技有限公司相變存儲器項目，致力于研發(fā)、生產(chǎn)、銷售具有完整知識產(chǎn)權(quán)的存儲芯片，建成后預(yù)計年營收可達(dá)數(shù)十億元人民幣，并有望助推該區(qū)打造成“中國芯片之城”。　　該項目是通過鄞州區(qū)一事一議招引渠道引進(jìn)的。據(jù)悉，鄞州區(qū)為提高招才引智和招商引資效率，特設(shè)一事一議招引渠道，先后引進(jìn)了一批高端人才項目。除一系列的配套優(yōu)惠政策之外，在項目資金扶持方面合計投入近4500萬元。
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相變存儲器：基本原理與測量技術(shù)

相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計算機(jī)存儲器技術(shù)。它可能在將來代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復(fù)原性更好，能夠?qū)崿F(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。本文
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相變存儲器PCM應(yīng)用智能電表設(shè)計方案

5月初，美光斥資12億美元收購恒憶，完成收購后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。對于這么大的收購舉動，有傳言，是英特爾在后面起到的推動作用，因為三星的快速崛起，不想一家獨(dú)大的局面在存
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IBM研發(fā)出最新多位相變存儲器提高了數(shù)據(jù)存儲的可靠性

IBM的科學(xué)家演示了最新的多位相變存儲器，其每個存儲格都能長時間可靠地存儲多個字節(jié)的數(shù)據(jù)。最新技術(shù)讓...
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智能電表設(shè)計中如何應(yīng)用相變存儲器PCM

5月初，美光斥資12億美元收購恒憶，完成收購后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。對于這么大的收購舉動，有傳言，是英特爾在后面起到的推動作用，因為三星的快速崛起，不想一家獨(dú)大的局面在存
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我國研制成功相變存儲器芯片

　　我國第一款具有自主知識產(chǎn)權(quán)的相變存儲器(PCRAM)芯片在中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研制成功，打破了存儲器芯片生產(chǎn)技術(shù)長期被國外壟斷的局面，產(chǎn)業(yè)化前景可觀。　　
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相變存儲器介紹

相變存儲器（phase change memory）,簡稱PCM，利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導(dǎo)電性差異來存儲數(shù)據(jù)的。相變存儲器-物理變化初次聽到"相變"這個詞,很多讀者朋友會感到比較陌生.其實,相(phase)是物理化學(xué)上的一個概念,它指的是物體的化學(xué)性質(zhì)完全相同,但是物理性質(zhì)發(fā)生變化的不同狀態(tài).例如水有三種不同的狀態(tài),水蒸氣(汽相)，液態(tài)水（液相）以及固態(tài)水 [ 查看詳細(xì) ]

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