碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

Linear推出100V高端/低端N溝道高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4446，用來驅(qū)動(dòng)雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器與功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個(gè)完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器，或者可以配置為快速動(dòng)作的高壓 DC 開關(guān)。　　這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動(dòng)高端 MOSFET 時(shí)可以提供高達(dá) 2.5A 的電流
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凌力爾特推出60V高壓側(cè)電流檢測(cè) DC/DC 轉(zhuǎn)換器

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 60V、高壓側(cè)電流檢測(cè) DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LT3755，該器件為驅(qū)動(dòng)大電流 LED而設(shè)計(jì)。4.5V 至 40V 的輸入電壓范圍使其適用于多種應(yīng)用，如汽車、工業(yè)和建筑照明。LT3755 使用外部 N 溝道 MOSFET，可以用標(biāo)稱 12V 的輸入驅(qū)動(dòng)多達(dá) 14 個(gè) 1A 的白光 LED，提供超過 50W 的功率。該器件具高壓側(cè)電流檢測(cè)，能夠用在升壓、降壓、降壓-升壓或 SEPIC 和反激式拓?fù)渲?。LT3755 在升壓模
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Maxim推出內(nèi)置MOSFET開關(guān)的8串白光LED (WLED)驅(qū)動(dòng)器

　　Maxim推出內(nèi)置MOSFET開關(guān)的8串白光LED (WLED)驅(qū)動(dòng)器MAX17061。器件采用內(nèi)部開關(guān)型電流模式升壓控制器驅(qū)動(dòng)LED陣列，最多可驅(qū)動(dòng)8串并聯(lián)的LED (每串可連接10個(gè)LED)。為保證均勻的LED亮度，每串LED采用一個(gè)電流源驅(qū)動(dòng)，各串之間的電流均衡精度可達(dá)±1.5%。另外，MAX17061還提供一路DPWM信號(hào)，用于精確控制WLED亮度。該DPWM信號(hào)可通過PWM接口、SMBus™兼容接口、或這兩者同時(shí)進(jìn)行控制。DPWM信號(hào)的頻率由外部電阻設(shè)置，進(jìn)一步增加
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汽車電子功率MOSFET

　　過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷囯娮酉到y(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象。且封裝很簡(jiǎn)單，主要采用TO220 和 TO247封裝。電動(dòng)車窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應(yīng)用已逐漸成為大多數(shù)汽車的標(biāo)配，在設(shè)計(jì)中需要類似的功率器件。在這期間，隨著電機(jī)、螺線管和燃油噴射器日益普及，車用功率MOSFET也不斷發(fā)展壯大。　　今天的汽車電子系統(tǒng)已開創(chuàng)了功率器件的新時(shí)代。本文將介紹和討論幾種推動(dòng)汽車
關(guān)鍵字：汽車電子 MOSFET 溝道型功率解決方案

使用功率MOSFET封裝技術(shù)解決計(jì)算應(yīng)用的高功耗問題

　　對(duì)于主板設(shè)計(jì)師來說，要設(shè)計(jì)處理器電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)來滿足計(jì)算機(jī)處理器永無止境的功率需求實(shí)在是個(gè)大挑戰(zhàn)。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標(biāo)從8.4版本升級(jí)到9.0版本，涵蓋了新的功率要求，以繼續(xù)追隨摩爾(Moore)定律。　　在過去的10年間，VRM電流要求一直在增加，正如英特爾所公布的，IccMAX從VRM9.0中的60A發(fā)展成驅(qū)動(dòng)高端4核處理器的VRM11.0所要求的150A。與此同時(shí)，電流切換速率要求也有相當(dāng)大的提高；芯片插座處的dI／dT從45
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瑞薩科技發(fā)布RQA0010和RQA0014高頻功率MOSFET器件

　　2008年5月26日,瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，推出和高頻功MOSFET，以實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高功效級(jí)別*1 和IEC61000-4-2的4級(jí)ESD標(biāo)準(zhǔn)*2 的高可靠性。這些器件適用于手持式無線設(shè)備發(fā)射器的功率放大器。　　這兩種產(chǎn)品可以放大轉(zhuǎn)換為高頻的音頻信號(hào)，以發(fā)射規(guī)定的輸出功率，并將該功率傳送給天線。1 W輸出的RQA0010的將從2008年8月開始在日本提供樣品，0.25 W輸出的RQA0014樣品將于9月開始提供。　　這兩種產(chǎn)品具有以下特點(diǎn)。
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高效能電源需求催生MOSFET變革創(chuàng)新英飛凌專家詳解提升能效秘笈

　　環(huán)境污染、溫室效應(yīng)、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類生存的難題已經(jīng)使全球有識(shí)之士認(rèn)識(shí)到節(jié)能減排提高能效是未來科學(xué)技術(shù)活動(dòng)一項(xiàng)長(zhǎng)期的任務(wù)。正如英飛凌科技奧地利有限公司全球開關(guān)電源高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理Thomas Schmidt所言：“能效不僅是個(gè)時(shí)髦詞匯，更是一個(gè)全球挑戰(zhàn)！”如何應(yīng)對(duì)這項(xiàng)挑戰(zhàn)？各個(gè)半導(dǎo)體紛紛從半導(dǎo)體器件入手，幫助系統(tǒng)公司提升電源效率，這方面，英飛凌近年來動(dòng)作頻頻，近日，英飛凌公司高調(diào)發(fā)布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET，并
關(guān)鍵字：英飛凌半導(dǎo)體 OptiMOS MOSFET 導(dǎo)通電阻 CanPAK封裝 DirectFET封裝電源管理

IR推出全新30V DirectFET MOSFET系列

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) ，推出專為筆記本電腦、服務(wù)器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應(yīng)用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。　　新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù)，比標(biāo)準(zhǔn)SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計(jì)。新一代30V器件的導(dǎo)通電阻 (
關(guān)鍵字： IR 同步降壓轉(zhuǎn)換器 MOSFET

Zetex推出新型整流器控制器

　　Zetex?Semiconductors（捷特科）推出一款驅(qū)動(dòng)MOSFET的專用整流器控制器，從而使?50?至?150W?的同步反激式轉(zhuǎn)換器成為完美的二極管。ZXGD3101?可使設(shè)計(jì)人員以表面貼裝?MOSFET?取代有損耗的肖特基二極管，以實(shí)現(xiàn)更高的效率、更少的發(fā)熱量，縮小電源尺寸和重量，同時(shí)簡(jiǎn)化整體電路設(shè)計(jì)。　　ZXGD3101?有“零點(diǎn)檢測(cè)器驅(qū)動(dòng)器”之稱，能準(zhǔn)確檢測(cè)達(dá)到零點(diǎn)
關(guān)鍵字： Zetex 捷特科 MOSFET 整流器控制器

IR全新30V DirectFET MOSFET系列為同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

??????? 2008年5月27日，國(guó)際整流器公司 (International Rectifier) 推出專為筆記本電腦、服務(wù)器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應(yīng)用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。　　新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù)，比標(biāo)準(zhǔn)SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計(jì)。新一代30V器
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運(yùn)用MOSFET實(shí)現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

　　車上所使用的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到起動(dòng)馬達(dá)，許多組件的多元應(yīng)用，不僅提供了各式各樣的高負(fù)載性、低成本效益的解決方案，另外也必須兼具注重安全性汽車所要求的通訊及診斷能力。因此，為了增加車上電子系統(tǒng)的可靠性及耐久性，除了降低維修成本之外，設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路，才能避免組件發(fā)生故障，降低電子系統(tǒng)所造成損害。　　另外，在一般汽車行駛的情況下，一旦出現(xiàn)了車上的組件出現(xiàn)故障狀況，將導(dǎo)致汽車上的電路系統(tǒng)發(fā)生短路，或電源無法供電。在遠(yuǎn)程傳感器中采用車用金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管（Metal
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MOSFET開關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

MOSFET的開關(guān)軌跡線是判斷MOSFET開關(guān)過程“軟硬”程度的重要評(píng)估指標(biāo)，MOSFET的軟硬程度對(duì)于開關(guān)電源的性...
關(guān)鍵字： MOSFET 損耗開關(guān) 動(dòng)態(tài) 截至飽和

Intersill推出新型大電流MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器

　　Intersil公司宣布推出高頻 6A 吸入電流同步（sink synchronous） MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISL6615 和 ISL6615A 。這些新器件有助于為系統(tǒng)安全提供更高的效率、靈活性和更多的保護(hù)功能。　　Intersil 公司此次推出的新型驅(qū)動(dòng)器增加了柵極驅(qū)動(dòng)電流（ UGATE 的流出和吸入柵極驅(qū)動(dòng)電流為 4A ，LGATE 的吸入和流出電流則分別為 6A 和 4A ），可以縮短?hào)艠O電壓上升、下降時(shí)間。這將最大限度地降低開關(guān)損耗并改善效率，尤其是在每相并聯(lián)功率MOSFET 的
關(guān)鍵字： Intersil MOSFET 驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)電流

大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計(jì)

　　大功率線性射頻放大器模塊廣泛應(yīng)用于電子對(duì)抗、雷達(dá)、探測(cè)等重要的通訊系統(tǒng)中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項(xiàng)非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著現(xiàn)代無線通訊技術(shù)的發(fā)展，寬頻帶大功率技術(shù)、寬頻帶跳頻、擴(kuò)頻技術(shù)對(duì)固態(tài)線性功率放大器設(shè)計(jì)提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設(shè)備模塊化。　　通常情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放，采用場(chǎng)效應(yīng)管(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡(jiǎn)單，正是基于場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對(duì)頻率的變化不會(huì)有太大的偏差，易
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探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案

　　人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個(gè)不小的挑戰(zhàn)。本文介紹采用IMEC的SiC技術(shù)，它的開發(fā)重點(diǎn)是進(jìn)一步縮小集成后的EEG系統(tǒng)體積以及將低功耗處理技術(shù)、無線通信技術(shù)和能量提取技術(shù)整合起來，在已有系統(tǒng)上增加一個(gè)帶太陽(yáng)能電池和能量存儲(chǔ)電路的額外堆疊層，這樣就能構(gòu)成一套完全獨(dú)立的生物電信號(hào)采集方案。　　
關(guān)鍵字： SiC EEG 生物電信號(hào)采集 IMEC