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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

飛兆半導(dǎo)體的N溝道MOSFET系列產(chǎn)品提供更高的ESD性能

  • 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N溝道MOSFET系列,提供高達8kV 的ESD (HBM) 電壓保護,較市場現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應(yīng)用 (如筆記本電腦和手機) 的最新架構(gòu)。利用飛兆半導(dǎo)體的Power Trench®工藝,這些低導(dǎo)通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON)&
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電源技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展

  • 1 引言   人類的經(jīng)濟活動已經(jīng)到了工業(yè)經(jīng)濟時代,并正在轉(zhuǎn)入高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的時期。電源是位于市電(單相或三相)與負載之間,向負載提供優(yōu)質(zhì)電能的供電設(shè)備,是工業(yè)的基礎(chǔ)。   電源技術(shù)是一種應(yīng)用功率半導(dǎo)體器件,綜合電力變換技術(shù)、現(xiàn)代電子技術(shù)、自動控制技術(shù)的多學(xué)科的邊緣交叉技術(shù)。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,電源技術(shù)又與現(xiàn)代控制理論、材料科學(xué)、電機工程、微電子技術(shù)等許多領(lǐng)域密切相關(guān)。目前電源技術(shù)已逐步發(fā)展成為一門多學(xué)科互相滲透的綜合性技術(shù)學(xué)科。他對現(xiàn)代通訊、電子儀器、計算機、工業(yè)自動化、電力工程、國防及某些
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帶電流感應(yīng)的±4A數(shù)字控制兼容型單低端MOSFET驅(qū)動

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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高速MOSFET柵極驅(qū)動電路的設(shè)計與應(yīng)用指南

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NEC電子推出8款汽車用功率MOSFET產(chǎn)品

  •   NEC電子近日完成了8款用于汽車的P溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)小型封裝產(chǎn)品的開發(fā),并將于即日起開始發(fā)售樣品。   此次推出的新產(chǎn)品主要用于繼電器、電機等通過電流為數(shù)十安培的控制單元,其中NP50P04等4款產(chǎn)品為40V耐壓、導(dǎo)通阻抗為業(yè)界最低的產(chǎn)品;另外4款產(chǎn)品與現(xiàn)有的60V耐壓品相比,導(dǎo)通阻抗最大可減至一半。   對于汽車廠商及器件廠商等用戶而言,使用低導(dǎo)通阻抗產(chǎn)品可以減少電流流經(jīng)時產(chǎn)生的熱量,從而減輕電路設(shè)計時的負擔(dān)。   新產(chǎn)品的樣品價格因耐壓及導(dǎo)通阻抗的不同而有
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京大等三家開發(fā)成功SiC外延膜量產(chǎn)技術(shù)

  •    京都大學(xué)、東京電子、羅姆等宣布,使用“量產(chǎn)型SiC(碳化硅)外延膜生長試制裝置”,確立對SiC晶圓進行大批量統(tǒng)一處理的技術(shù)已經(jīng)有了眉目。由此具備耐高溫、耐高壓、低損耗、大電流及高導(dǎo)熱系數(shù)等特征的功率半導(dǎo)體朝著實用化邁出了一大步。目前,三家已經(jīng)開始使用該裝置進行功率半導(dǎo)體的試制,面向混合動力車的馬達控制用半導(dǎo)體等環(huán)境惡劣但需要高可靠度的用途,“各廠商供應(yīng)工程樣品,并獲得了好評”。      此次開發(fā)的是SiC外延生長薄膜的量產(chǎn)技術(shù)。
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高功率便攜式DC-DC中MOSFET功耗的計算

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如何計算高功率電源中MOSFET的功耗

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功率MOSFET原理及其應(yīng)用介紹

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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飛兆推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H

  •   飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H,采用雙DPAK封裝,提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力,有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設(shè)計而優(yōu)化,是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機驅(qū)動和電燈驅(qū)動的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比,雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外,F(xiàn)DD8424H在
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Fairchild推出互補型40V MOSFET改進LCD設(shè)計

  • 飛兆半導(dǎo)體推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H,采用雙DPAK封裝,提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力,有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設(shè)計而優(yōu)化,是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機驅(qū)動和電燈驅(qū)動的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比,雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外,F(xiàn)DD8424H在單一封裝中集
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Vishayn通道MOSFET驅(qū)動IC可提供2A峰值匯

  • Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅(qū)動電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅(qū)動IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車應(yīng)用。該75VMOSFET驅(qū)動器可用于汽車中的高強度放電管,以及各種終端產(chǎn)品中的高壓降壓轉(zhuǎn)換器、推拉式轉(zhuǎn)換器、全橋與半橋式轉(zhuǎn)換器、有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器、電源、電機控制及D類音頻系統(tǒng)。 該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓,可適應(yīng)9V~13.2V的寬泛電源電壓范圍,能夠以10ns的典型升降時間驅(qū)動1,000pF的負載。
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ROHM株式會社小型大功率封裝MOSFET MPT6

  • 4月20日訊,半導(dǎo)體制造商ROHM株式會社(總社設(shè)在京都市)最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機、筆記本電腦、游戲機等小型、薄型機器的電源開關(guān)和電動機驅(qū)動器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品,這種產(chǎn)品采用獨創(chuàng)的小型大功率封裝,是低導(dǎo)通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應(yīng)樣品;預(yù)定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬個的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社(茨城縣)進行;包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. (
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ROHM開發(fā)小型大功率封裝MOSFET產(chǎn)品系列

  • ROHM株式會社最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機、筆記本電腦、游戲機等小型、薄型機器的電源開關(guān)和電動機驅(qū)動器使用的「MPT6 Dual(2元件)」型系列產(chǎn)品,這種產(chǎn)品采用獨創(chuàng)的小型大功率封裝,低導(dǎo)通電阻的元器件。 這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應(yīng)樣品;預(yù)定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬個的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社(茨城縣)進行;包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) 
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帶有集成MOSFET的6A雙同步降壓穩(wěn)壓器

  •   Intersil公司的ISL65426是一款高效率雙輸出單向同步降壓穩(wěn)壓器,輸入電壓范圍為2.375V至5.5V。該單芯片電源解決方案提供2個輸出電壓,可以在1V至電壓電源的80%的范圍內(nèi)進行選擇或者進行外部調(diào)節(jié),并且總輸出電流高達6A。2個PWM是180o異相同步的,降低了EMI和有效值輸入電流與紋波電壓。   ISL65426的獨特電源模塊架構(gòu)允許對6個電流高達1A的模塊進行分配,以便支持4個輸出配置選項之一。一個主電源模塊與各個同步轉(zhuǎn)換器通道相關(guān)聯(lián)。4個浮動從電源模塊允許用戶將其分配給任一條通
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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