首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅！

CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級碳化硅功率模塊高溫柵極驅(qū)動器創(chuàng)新成果

  • 中國北京，2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動器”的論文，并介紹公司在該領(lǐng)域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte將于19日在該會議上發(fā)表該文章。當(dāng)今，碳化硅（SiC）在汽車制造商的大力追捧下方興未艾，碳化硅技術(shù)可以提供更高的能效和增加功率密度；在工業(yè)應(yīng)用方面，越來越多的人則
  • 關(guān)鍵字： CISSOID  碳化硅  功率模塊  高溫柵極驅(qū)動器  

Cree將投資10億美元，擴(kuò)大SiC（碳化硅）產(chǎn)能

  • 此次產(chǎn)能擴(kuò)大，將帶來SiC（碳化硅）晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和SiC（碳化硅）材料生產(chǎn)的30倍增長，以滿足2024年之前的預(yù)期市場增長 5年的投資，充分利用現(xiàn)有的建筑設(shè)施North Fab，并整新200mm設(shè)備，建造采用最先進(jìn)技術(shù)的滿足汽車認(rèn)證的生產(chǎn)工廠 投資：4.5億美元用于North Fab；4.5億美元用于材料超級工廠（mega factory）；1億美元用于伴隨著業(yè)務(wù)增長所需要的其它投入
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  碳化硅基氮化鎵  工廠  

碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)

  • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  熱模型  

國內(nèi)碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，5G芯片國產(chǎn)化再進(jìn)一步

  • 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，作為蕪湖大院大所合作的重點(diǎn)項(xiàng)目，國產(chǎn)化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，打破國外壟斷。這標(biāo)志著今后國內(nèi)各大芯片企業(yè)生產(chǎn)5G通信芯片，有望用上國產(chǎn)材料。
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  氮化鎵  5G  

碳化硅VS氮化鎵，寬禁帶半導(dǎo)體材料雙雄能否帶中國實(shí)現(xiàn)彎道超車？

  • 在現(xiàn)實(shí)世界中，沒有人可以和“半導(dǎo)體”撇清關(guān)系。雖然這個概念聽上去可能顯得有些冰冷，但是你每天用的電腦，手機(jī)以及電視等等，都會用到半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體的重要性自不必說，今天我們來說一下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中一個很關(guān)鍵的組成部分，那就是半導(dǎo)體材料。
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  氮化鎵  

重磅推出碳化硅MOSFET ，基本半導(dǎo)體參加第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會議

  • 　　11月4-7日，由中國電源學(xué)會與IEEE電力電子學(xué)會聯(lián)合主辦的第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會議暨博覽會(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行。基本半導(dǎo)體作為本次大會的金牌贊助商，重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品，反響熱烈?！　∽鳛槿蛐缘碾娏﹄娮有袠I(yè)盛會，IEEE PEAC 2018可謂大咖云集，來自31個國家和地區(qū)的電力電子學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會議。大會主席、中國電源學(xué)會理事長徐德鴻教授主持開幕式并致開幕詞，美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授，中國工程院院
  • 關(guān)鍵字： 基本半導(dǎo)體  碳化硅  第三代半導(dǎo)體  

基本半導(dǎo)體攜碳化硅 MOSFET新品亮相第92屆中國電子展

  • 　　10月31日-11月2日，第92屆中國電子展在上海新國際博覽中心隆重舉行?；景雽?dǎo)體亮相深圳坪山第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園展區(qū)，展示公司自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產(chǎn)品?！　≈袊娮诱故请娮有袠I(yè)的年度盛會，集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設(shè)備、測試測量、軍民融合、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等產(chǎn)業(yè)，傾力打造從上游基礎(chǔ)電子元器件到下游產(chǎn)品應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈陣容。本次展會以“信息化帶動工業(yè)化，電子技術(shù)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級”為主題，共有40000余名買家和專業(yè)觀眾觀展，共同打造了一場電子行業(yè)年度盛會。　
  • 關(guān)鍵字： 基本半導(dǎo)體  碳化硅  第三代半導(dǎo)體  

基本半導(dǎo)體承辦中日韓第三代半導(dǎo)體技術(shù)研討會

  • 　　11月5日，在第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會議暨博覽會期間，來自中國、日本和韓國的第三代半導(dǎo)體專家齊聚基本半導(dǎo)體，參加第三代半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研討會?！　〕鱿瘯h的嘉賓包括清華大學(xué)孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學(xué)馬柯博士、華中科技大學(xué)蔣棟教授、長岡技術(shù)科學(xué)大學(xué)伊東淳一教授、東京都立大學(xué)和田圭二副教授、韓國亞洲大學(xué)Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學(xué)王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學(xué)者和基本半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊。與會嘉賓分享了各自在第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的最新研究主題和方向，
  • 關(guān)鍵字： 基本半導(dǎo)體  碳化硅  第三代半導(dǎo)體  

基本半導(dǎo)體榮獲“2018年度深圳市人才伯樂獎”

  • 　　近日，從深圳市人力資源和社會保障局傳來喜訊，基本半導(dǎo)體憑借在人才引進(jìn)方面的突出成果，獲評“2018年度深圳市人才伯樂獎”?！　∩钲谑腥瞬挪畼藩勈怯缮钲谑姓O(shè)立，旨在鼓勵企事業(yè)單位、人才中介組織等引進(jìn)和舉薦人才，以增強(qiáng)企業(yè)科技創(chuàng)新能力，提升城市核心競爭力。每年市政府通過評選伯樂獎對在本市人才培養(yǎng)、引進(jìn)過程中作出貢獻(xiàn)的單位及個人給予表彰和獎勵?！　』景雽?dǎo)體是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，從創(chuàng)立之初就非常重視人才的引進(jìn)和培養(yǎng)。作為一家由海歸博士創(chuàng)立的公司，基本半導(dǎo)體依托廣泛的海外資源，成功引進(jìn)了來自英
  • 關(guān)鍵字： 基本半導(dǎo)體  碳化硅  第三代半導(dǎo)體  

半導(dǎo)體發(fā)展經(jīng)歷三代變革 推動社會發(fā)展

  • 第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)正在成為搶占下一代信息技術(shù)、節(jié)能減排及國防安全制高點(diǎn)的最佳途徑之一，是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要組成內(nèi)容。
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  氮化鎵  碳化硅  

CISSOID和泰科天潤（GPT）達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議， 攜手推動碳化硅功率器件的廣泛應(yīng)用

  • 　　高溫與長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導(dǎo)者泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將共同開展研發(fā)項(xiàng)目，推動碳化硅功率器件在工業(yè)各領(lǐng)域尤其是新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用?！　ISSOID和泰科天潤簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議　　泰科天潤是中國首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè)，也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來自比利時，是高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，專為極端溫
  • 關(guān)鍵字： CISSOID  碳化硅  

碳化硅/氮化鎵組件進(jìn)入商品化 電力電子產(chǎn)業(yè)迎來大革命

  • LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。 這些新組件雖然
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  氮化鎵  

國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行調(diào)研基本半導(dǎo)體

  • 　　4月9日上午，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導(dǎo)體考察調(diào)研?！　』景雽?dǎo)體董事長汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產(chǎn)品，包括性能達(dá)到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片?！　‰S后丁文武一行聽取了基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士對公司發(fā)展情況的匯報。丁文武對基本半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新和戰(zhàn)略定位予以充分肯定，并鼓勵公司團(tuán)隊再接再厲，立足創(chuàng)新驅(qū)動，不斷發(fā)展壯大，成為中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)?！　壹呻娐樊a(chǎn)業(yè)投資基金是為促進(jìn)集
  • 關(guān)鍵字： 基本半導(dǎo)體  碳化硅  功率芯片  集成電路  

SiC將與IGBT或MOSFET共存

  • 雖然碳化硅有成本方面的問題，但是其眾所周知的在各個高端應(yīng)用中所表現(xiàn)出的高性能也能夠彌補(bǔ)其在價格方面的短板，尤其是在電動車與再生能源越來越受到重視，將為中功率、高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來大量需求。氮化鎵技術(shù)能夠降低成本，又能夠保持半導(dǎo)體器件的優(yōu)越性能，在中、低功率應(yīng)用領(lǐng)域具備擁有巨大潛力。但也并不是說將來所有的功率器件都會被碳化硅替代，我們認(rèn)為碳化硅和現(xiàn)存的IGBT或MOSFET都能在其有優(yōu)勢的領(lǐng)域中共同發(fā)揮所長，共生共棲。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩，碳化硅  

重磅消息！深圳第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動

  • 　　3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有里程碑意義，將對中國乃至全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。　　科技部原副部長、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會主任、深圳第三代半導(dǎo)體研究院理事長曹健林，廣東省委常委、深圳市委書記王偉中，深圳市委副書記、市長陳如桂，科技部高新司原司長、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會副主任、深圳第三代半
  • 關(guān)鍵字： 青銅劍科技  半導(dǎo)體  碳化硅  功率器件  
共234條 14/16 |‹ « 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 »

碳化硅！介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅！!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅！的理解，并與今后在此搜索碳化硅！的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473