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集成PMOS管變?nèi)萏匦苑治雠c仿真建模

  • 摘要：為適應PMOS變?nèi)莨茉诩呻娐吩O計中的晶體管級仿真，在分析MOS變?nèi)莨芴匦缘幕A(chǔ)上，通過確定關(guān)鍵點、以曲線擬合的方法建立與工藝參數(shù)相關(guān)的PMOS集成變?nèi)莨芨哳l特性模型。選用Charted 0．35mu;m這個特定的工藝庫
  • 關(guān)鍵字： 仿真  建模  分析  特性  PMOS  管變?nèi)?/a>  集成  
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管變?nèi)萁榻B

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