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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極型晶體管(igbt)

絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 進入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術社區(qū)

東芝面向電壓諧振電路推出新款分立IGBT，有助于降低功耗并簡化設備設計

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“GT20N135SRA”，這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產(chǎn)品于今日起開始出貨。?GT20N135SRA產(chǎn)品圖GT20N135SRA的集電極-發(fā)射極的飽和電壓[1]為1.75V，二極管正向電壓[2]為1.8V，分別比東芝當前產(chǎn)品[3]低10%和21%。IGBT和二極管都針對高溫（TC=100℃）條件下的導通損耗特性進行了改進，而且新款IGBT還有助于降低設備功耗。該產(chǎn)品的結(jié)殼熱阻為0
  • 關鍵字： IGBT  分立  

CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

  • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領域?qū)崿F(xiàn)廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應用中
  • 關鍵字： IGBT  SiC  GaN  

同類最佳的超級結(jié)MOSFET和 具成本優(yōu)勢的IGBT用于電動汽車充電樁

  • 插電式混合動力/電動汽車(xEV)包含一個高壓電池子系統(tǒng)，可采用內(nèi)置的車載充電器(OBC)或外部的充電樁進行充電。充電(應用)要求在高溫環(huán)境下具有高電壓、高電流和高性能，開發(fā)高能效、高性能、具豐富保護功能的充電樁對于實現(xiàn)以盡可能短的充電時間續(xù)航更遠的里程至關重要。常用的半導體器件有IGBT、超結(jié)MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半導體為電動汽車OBC和直流充電樁提供完整的系統(tǒng)方案，包括通過AEC車規(guī)認證的超級結(jié)MOSFET、IGBT、門極驅(qū)動器、碳化硅(SiC)器件、電壓檢測、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等，
  • 關鍵字： 超級結(jié)MOSFET  IGBT  充電樁  

隔離式柵極驅(qū)動器的重要特性

  • 　　Thomas?Brand（ADI慕尼黑公司?現(xiàn)場應用工程師）　　摘?要：探討了IGBT隔離式柵極驅(qū)動器的重要特性?！　￡P鍵詞：IGBT；隔離式；柵極驅(qū)動器　　在功率電子（例如驅(qū)動技術）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關期間。為了最大程度減小開關損耗，要求具備較短的開關時間。然而，快速開關同時隱含著高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅(qū)動器，還執(zhí)行提供短路保護并影響開關速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動器
  • 關鍵字： 201909  IGBT  隔離式  柵極驅(qū)動器  

向小功率和大功率延伸 三菱電機五大新品看點

  • 在產(chǎn)業(yè)電子化升級過程中，作為電子產(chǎn)品的基礎元器件之一的功率半導體器件越來越得到重視與應用。而中國作為需求大國，已經(jīng)占有約39％的市場份額，在中國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的關鍵時期，對功率半導體器件的需求將會越來越大。自上世紀80年代起，功率半導體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應用類型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)以及硅片加工工藝等7次技術演進，目前可承受電壓能力達到6500V，并且實現(xiàn)了高功率密度化。在此背景下，6月26-28日，PCIM亞洲展2019將在在上海世博展覽館舉行，三
  • 關鍵字： 三菱電機  PCIM亞洲展  IGBT  

IGBT場效應管的工作原理及檢測方法

  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點，具備易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高 (10-40 kHz) 等特點，已逐步取代晶閘管和GTO（門極可關斷晶閘管），是目前發(fā)展最為迅速的新一代電
  • 關鍵字： IGBT  場效應管  

更換老化的柵極驅(qū)動光電耦合器

  • 電機用于電梯、食品加工設備、工廠自動化、機器人、起重機……這樣的例子不勝枚舉。交流感應電機在這種應用中很常見，且總是通過用于電源級的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來實現(xiàn)驅(qū)動。典型的總線電壓為200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用電子換向，以實現(xiàn)交流感應電機所需的正弦電流。在設計電機驅(qū)動器時，保護操作重型機械的人員免受電擊是首要考慮因素，其次應考慮效率、尺寸和成本因素。雖然IGBT可處理驅(qū)動電機所需的高電壓和電流，但它們不提供防止電擊的安全隔離。在系統(tǒng)中提供安全隔離的重要任務由驅(qū)動IGBT的柵極驅(qū)動
  • 關鍵字： 電機  IGBT  

安森美半導體基于SiC的混合IGBT 和隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器將在歐洲PCIM 2019推出

  • 2019年4月30日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器。AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術，提供低導通損耗和開關損耗，用于多方面的電源應用，包括那些將得益于更低反向恢復損耗的應用，如基于圖騰柱的無橋功率因數(shù)校正(PFC)和逆變器。該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘
  • 關鍵字： 安森美半導體  IGBT  SiC肖特基二極管技術  

現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

  • 　　Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國 慕尼黑）　　摘要：通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能?！　￡P鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅(qū)動器；耐受性；隔離? ? &nb
  • 關鍵字： 201905  IGBT  MOSFET   柵極驅(qū)動器  耐受性  隔離  

意法半導體的先進IGBT專為軟開關優(yōu)化設計 可提高家電感應加熱效率

  • 　　意法半導體的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER?IGBT兩款產(chǎn)品能夠在軟開關電路中實現(xiàn)最佳的導通和開關性能，提高諧振轉(zhuǎn)換器在16kHz-60kHz開關頻率范圍內(nèi)的能效?！　⌒翴H系列器件屬于意法半導體針對軟開關應用專門優(yōu)化的溝柵式場截止(TFS) IGBT產(chǎn)品家族，適用于電磁爐等家電以及軟開關應用的半橋電路，現(xiàn)在產(chǎn)品設計人員可以選用這些IGBT，來達到更高的能效等級。除新的IH系列外，意法半導體的軟開關用溝柵式場截止(TFS) IGBT系列產(chǎn)品
  • 關鍵字： 意法半導體  IGBT  

2019年中國功率半導體市場規(guī)模逾人民幣2,900億元

  • TrendForce在最新《中國半導體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》指出，受益新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價，帶動2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣，其中離散式元件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年增長8%。
  • 關鍵字： 功率半導體  IGBT  

變頻器中IGBT爆炸原因分析，深入透徹！

  • 　　IGBT是電力電子裝置的CPU，在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中，IGBT模塊更為重要。但是，IGBT模塊會經(jīng)常出現(xiàn)爆炸的情況。下面，小編就結(jié)合案例具體分析一下?！　《x　　一、IGBT爆炸：因為某些原因，模塊的損耗十分巨大，熱量散不出去，導致內(nèi)部溫度極高，產(chǎn)生氣體，沖破殼體，這就是所謂的IGBT爆炸?！　《? IGBT爆炸原因分析　　1.爆炸的本質(zhì)是發(fā)熱功率超過散熱功率，內(nèi)部原因應該就是過熱?！　?.人為因素 (1)進線接在出線的端子上(2)變頻器接錯電源(3)沒按要求接負載3.常
  • 關鍵字： IGBT，變頻器  

集邦咨詢：需求持續(xù)擴張，2019年中國功率半導體市場規(guī)模逾2,900億元

  • 　　Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機構(gòu)集邦咨詢在最新《中國半導體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%?！　〖钭稍兎治鰩熤x瑞峰指出，功率半導體作為需求驅(qū)動型的產(chǎn)業(yè)，2019年
  • 關鍵字： IGBT  SiC   

除了代工小米9，造車的比亞迪還做了這些事！

  • 比亞迪不僅在汽車制造上實力深厚，在手機代工和其它業(yè)務方面，仍然保持走在行業(yè)前沿的水平。作為我國重要的制造企業(yè)代表，比亞迪在行業(yè)中具有模范作用，相信經(jīng)過不斷技術突破和進步，比亞迪將會為我國眾多制造企業(yè)樹立一個又一個全新的示范里程碑!
  • 關鍵字： 小米9  比亞迪  IGBT  

本土廠商同歐日三分天下，中國IGBT不再“一芯難求”

  • 國內(nèi)汽車界中，“一芯難求”的現(xiàn)狀被打破了。
  • 關鍵字： IGBT  
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絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹

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