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絕緣柵雙極型晶體管(igbt)
絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)
IGBT驅(qū)動(dòng)芯片額定輸出功率密度不足的分析
- 電源技術(shù)不斷進(jìn)步,這就使得傳統(tǒng)的一些單一電源方案不再適合于對(duì)現(xiàn)如今的產(chǎn)品。最典型的例子就是隨著應(yīng)急電源與不間斷電源的誕生,IGBT技術(shù)開(kāi)始走俏起
- 關(guān)鍵字: IGBT 驅(qū)動(dòng)芯片 輸出功率
IGBT可靠性分析 輸出電壓沿速率與開(kāi)關(guān)速率的關(guān)系
- 現(xiàn)如今科技飛速發(fā)展,傳統(tǒng)的電力轉(zhuǎn)化已經(jīng)無(wú)法滿足電力設(shè)備的需要。新型變頻設(shè)備崛起的同時(shí),大功率IGBT的應(yīng)用也逐漸增多起來(lái),IGBT的可靠性直接關(guān)系到
- 關(guān)鍵字: IGBT IGBT可靠性 開(kāi)關(guān)速度
IGBT電源中關(guān)于過(guò)流保護(hù)的講解
- IGBT模塊對(duì)不間斷電源技術(shù)提供了技術(shù)保證,正在成為不間斷電源技術(shù)中的主流技術(shù)。在IGBT模塊電源技術(shù)中,對(duì)于電路的保護(hù)是非常必要的。本文就將對(duì)IGBT
- 關(guān)鍵字: IGBT 電源 過(guò)流保護(hù)
6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動(dòng)入門
- 由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格,需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助
- 關(guān)鍵字: MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng)
避免IGBT不良反應(yīng)的隔離驅(qū)動(dòng)7條經(jīng)驗(yàn)
- IGBT技術(shù)大多應(yīng)用在大功率電源場(chǎng)合,要在這些場(chǎng)合應(yīng)用,首先就需要擁有避免欠壓、米勒效應(yīng)、過(guò)載一類的不良反應(yīng)。因此在隔離驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的設(shè)計(jì)上
- 關(guān)鍵字: IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 電源
分享:IGBT的檢測(cè)方法
- IGBT有三個(gè)電極,分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測(cè)電阻法判別結(jié)
- 關(guān)鍵字: IGBT 場(chǎng)效應(yīng)管 檢測(cè)方法
大功率電源中IGBT電壓與驅(qū)動(dòng)能力是什么關(guān)系?
- IGBT作為電壓控制型開(kāi)關(guān)器件,IGBT的開(kāi)關(guān)由柵極的電壓控制。大家都知道柵極電壓升高,IGBT導(dǎo)通,柵極電壓低,IGBT關(guān)斷。但是使用的時(shí)候還是很容易忽略
- 關(guān)鍵字: 電源 IGBT 驅(qū)動(dòng)能力
絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極型晶體管(igbt)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的理解,并與今后在此搜索絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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