絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章進(jìn)入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)

IGBT IPM實(shí)例：絕對(duì)最大額定值

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?各種項(xiàng)目的絕對(duì)最大額定值都是絕對(duì)不能超過(guò)的值。?IGBT IPM絕對(duì)最大額定值的解釋基本上與半導(dǎo)體器件相同。?由于絕對(duì)最大額定值不是保證產(chǎn)品工作和特性的值，因此設(shè)計(jì)通?；谕扑]工作條件和電氣特性項(xiàng)目中的規(guī)格值進(jìn)行。在本文中，將介紹IGBT IPM的絕對(duì)最大額定值。與上一篇一樣，我們將使用ROHM的第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”作為IGBT IPM的示例。?IGBT IPM實(shí)例：絕對(duì)最大額定值?首先，為了便于理解后續(xù)內(nèi)容，我們先
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&廣州金升陽(yáng)科技有限公司

10月31日，金升陽(yáng)作為EEPW的老朋友也來(lái)到直播間向我們分享了他們這次帶來(lái)的展品以及新的動(dòng)態(tài)。謝工在直播中介紹到，金升陽(yáng)成立于1998年7月，25年來(lái)創(chuàng)造了高品質(zhì)的機(jī)殼開(kāi)關(guān)電源、導(dǎo)軌電源、AC/DC電源模塊、DC/DC電源模塊隔離變送器、工業(yè)接口通訊模塊、 IGBT驅(qū)動(dòng)器、LED驅(qū)動(dòng)器等系列產(chǎn)品，其中多個(gè)產(chǎn)品系列已經(jīng)順利通過(guò)了UL、CE、EN60601-1。我們了解到，金升陽(yáng)在近日榮獲UL Solutions授予的中國(guó)工業(yè)電源UL61010-1/UL61010-2-201安全認(rèn)證證書(shū)及 IEC/UL 6
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東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線(xiàn)

11月2日消息，據(jù)“智新科技”官微消息，近日，首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線(xiàn)順利下線(xiàn)，完成自主封裝、測(cè)試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達(dá)175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車(chē)?yán)m(xù)航里程提升5%-8%。據(jù)悉，智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺(tái)，項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開(kāi)發(fā)，2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)

本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、開(kāi)啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動(dòng)器IC和功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦
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能實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊

隨著全球?qū)稍偕茉吹娜找骊P(guān)注以及對(duì)效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關(guān)鍵。Nexperia（安世半導(dǎo)體）的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需求的高溫短路耐受能力，實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。自推出以來(lái)，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）由于其高電壓、大電流、低損耗等優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，光伏，UPS，儲(chǔ)能，汽車(chē) 等領(lǐng)域。變頻器變頻器由于“節(jié)能降耗”等優(yōu)勢(shì)，廣泛的使用在電機(jī)驅(qū)動(dòng)的各個(gè)領(lǐng)域。讓我們先來(lái)走進(jìn)變頻器，看看變頻器的典型電路。“交—直—交”電路
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SiC MOSFET 器件特性知多少？

對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。開(kāi)關(guān)超過(guò) 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓
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充分利用IGBT的關(guān)鍵在于要知道何時(shí)、何地以及如何使用它們

如今，碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體風(fēng)頭正盛。但在此之前，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)才是電力電子行業(yè)的主角。本文將介紹IGBT在哪些應(yīng)用中仍能發(fā)揮所長(zhǎng)，然后快速探討一下這些多用途器件的未來(lái)前景。焊接機(jī)許多現(xiàn)代化焊接機(jī)使用逆變器，而非焊接變壓器，因?yàn)橹绷鬏敵鲭娏骺梢蕴岣吆附庸に嚨目刂凭?。更多?yōu)勢(shì)還包括直流電流比交流電流更安全，并且采用逆變器的焊接機(jī)具有更高的功率密度，因此重量更輕。圖 1：焊接機(jī)框圖焊接逆變器常用的開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括全橋、半橋和雙管正激，而恒定電流是最常用的控制方
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英飛凌推出面向高能效電源應(yīng)用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

英飛凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管，先進(jìn)的發(fā)射器控制設(shè)計(jì)結(jié)合高速技術(shù)，以滿(mǎn)足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導(dǎo)體器件適合用于各種應(yīng)用，如組串式逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、電動(dòng)汽車(chē)充電應(yīng)用以及如工業(yè)UPS和焊接等傳統(tǒng)應(yīng)用。?在分立式封裝
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onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC 應(yīng)用于工業(yè)馬達(dá)控制器

1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為高功率應(yīng)用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設(shè)計(jì)。其特性包括互補(bǔ)的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開(kāi)路或故障偵測(cè)功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護(hù)能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時(shí)的軟關(guān)斷以及獨(dú)立的高低驅(qū)動(dòng)器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統(tǒng)設(shè)計(jì)及開(kāi)發(fā)。 NCD57000 可在輸入側(cè)提供 5
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具有反向阻斷功能的新型 IGBT

新型 IGBT 已開(kāi)發(fā)出來(lái)，具有反向阻斷能力。各種應(yīng)用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開(kāi)關(guān)或矩陣轉(zhuǎn)換器。本文介紹了單片芯片的技術(shù)及其運(yùn)行行為，并通過(guò)典型電路中的個(gè)樣本進(jìn)行了測(cè)量。新型 IGBT 已開(kāi)發(fā)出來(lái)，具有反向阻斷能力。各種應(yīng)用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開(kāi)關(guān)或矩陣轉(zhuǎn)換器。本文介紹了單片芯片的技術(shù)及其運(yùn)行行為，并通過(guò)典型電路中的個(gè)樣本進(jìn)行了測(cè)量。簡(jiǎn)介：應(yīng)用需要具有反向阻斷能力的單向電流可控開(kāi)關(guān)的典型電路可分為：傳統(tǒng)電流源逆變器如圖1所示具有電流源的諧振轉(zhuǎn)換器如圖 2 所
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IGBT驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)入可編程時(shí)代，英飛凌新品X3有何玄機(jī)？

俗話(huà)說(shuō)，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅(qū)動(dòng)IC。一顆好的驅(qū)動(dòng)不僅要提供足夠的驅(qū)動(dòng)功率，最好還要有完善的保護(hù)功能，例如退飽和保護(hù)、兩電平關(guān)斷、軟關(guān)斷、欠壓保護(hù)等，為IGBT的安全運(yùn)行保駕護(hù)航。然而有保護(hù)功能的驅(qū)動(dòng)芯片，大部分的參數(shù)都是固定的，或者是只能靠外圍器件進(jìn)行粗放的調(diào)節(jié)。對(duì)于退飽和保護(hù)來(lái)說(shuō)，內(nèi)部電流源的電流是固定的，短路消隱時(shí)間只能靠調(diào)節(jié)外接電容大小來(lái)調(diào)整。對(duì)于兩電平關(guān)斷功能來(lái)說(shuō)，兩電平持續(xù)的時(shí)間和電位需要靠外接電容和齊納二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)。而軟關(guān)斷電流及米勒鉗位電流對(duì)于某一顆芯片來(lái)說(shuō)也是固定的，無(wú)
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英飛凌擴(kuò)展1200 V 62 mm IGBT7產(chǎn)品組合，推出全新電流額定值模塊

【2023年8月4日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的62 mm半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合。模塊的最大電流規(guī)格高達(dá) 800 A ，擴(kuò)展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設(shè)計(jì)的產(chǎn)品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)額定電流更高方案的時(shí)候，不僅提供最大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優(yōu)秀的電氣性能。新型模塊專(zhuān)為滿(mǎn)足集中式太陽(yáng)能逆變器以及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和不間斷電源（UPS）的需求而開(kāi)發(fā)。
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干貨碼住丨深度剖析IGBT柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)

IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個(gè)端子：一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅(qū)動(dòng)而言，該器件的行為類(lèi)似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路一?了解基本驅(qū)動(dòng)器圖 2. IGBT的導(dǎo)通電流了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT，必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)
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英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動(dòng)汽車(chē)芯片供貨協(xié)議

英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應(yīng)硅基電動(dòng)汽車(chē)芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應(yīng)由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動(dòng)汽車(chē)的主驅(qū)動(dòng)。根據(jù)協(xié)議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國(guó)德累斯頓和馬來(lái)西亞居林的工廠生產(chǎn)。IGBT依然緊缺根據(jù)供應(yīng)鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經(jīng)拉長(zhǎng)到50%以上，市場(chǎng)部分料號(hào)供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負(fù)荷接單狀態(tài)，整體積壓訂單金額超過(guò)
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析——下

IGBT是大家常用的開(kāi)關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明，用戶(hù)可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。在上篇《IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析——上》中，我們介紹了IGBT的命名、最大額定值及靜態(tài)參數(shù)。今天我們介紹動(dòng)態(tài)特性、開(kāi)關(guān)特性及其它參數(shù)。4.動(dòng)態(tài)特性● 輸入電容，輸出電容和反向傳輸電容Cies，Coes和Cres輸入電容Cies，是Cres同CGE之和，是設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。它在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期進(jìn)行充電和放電，它定
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